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公开(公告)号：KR1019970051705A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052655
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/133
Abstract: 본 발명은 액정 공정과 같은 열처리 고정에 의한 두 판 사이의 스트레스를 최소화하여 궁극적인 대면적 평판 디스플레이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 그 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 있어서, 지지용판과 평판 디스플레이의 상판과 하판을 이용하여 타일링할 때에 접착제를 부분적으로 도포하고, 나머지 부분은 충전제를 이용하는데에 있고, 그 다른 특징은 대면적 평탄 디스플레이 제조방법에 있어서, 충전시간을 단축하기 위해 접착제 도포 모양을 여러 개의 영역으로 나누어 도포하여 충전시간을 단축시키는데에 있으며, 그 또 다른 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 있어서, 투과형일 때는 충전제가 광투과형이며 접착제와 같은 광학적 특성을 가지는 데에 있고, 그 또 다른 특징은 대면적 평판 디스플레이 제조방법에 어서, 비투광형일때는 충전제가 광학적 접착제가 광학적 성질이 달라도 상관이 없는 평판 디스플레이 제조에서 지지용 판을 이용하고 상판과 하판을 접착제로 타일링에 의해 대면적화하는 공정 중 접착제와 상판과 하판 사이의 열적 스트레스를 줄이기 위한 방법으로 전면에 접착제를 도포하지 않고 일부만을 도포한 후 나머지 부분을 충전제로 충전하는 데에 있으므로, 본 발명은 열처리 공정에서 제품이 열에 의한 스트레스의 영향을 받아 제품이 열화되는 것을 방지하는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970011528B1
公开(公告)日：1997-07-11
申请号：KR1019930027344
申请日：1993-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B27/10
Abstract: The optoisolator formed by isotropic etching and substrate binding and manufacturing method thereof comprising the first step isotropic etching a directional Si substrate(201) by KOH to form a pyramid type etching hole(200) inclined against the substrate bottom surface; the second step forming a optical reflection layer(202) on said etching hole(200) to enhance reflection rate and then forming a deposit layer(203) to flatten the surface for binding substrates; the third step grinding said deposit layer(203) and then binding a substrate(204) having the same direction as said substrate(201) on said deposit layer(203); and the forth step removing said substrate(201) to form a optical reflection surface(205) is disclosed. Thereby, it is possible to provide a small optoisolator which optic signal inputted during optic signal process can be divided.
Abstract translation: 通过各向同性蚀刻和衬底粘合形成的光隔离器及其制造方法包括：通过KOH对第一步骤各向同性蚀刻<410方向的Si衬底（201），形成倾斜于衬底底面的金字塔型蚀刻孔（200）; 第二步骤，在所述蚀刻孔（200）上形成光反射层（202），以提高反射率，然后形成沉积层（203）以平坦化用于粘结基片的表面; 第三步骤研磨所述沉积层（203），然后将具有与所述基底（201）相同方向的基底（204）结合在所述沉积层（203）上; 并且公开了去除所述衬底（201）以形成光学反射表面（205）的第四步骤。 由此，可以提供在光信号处理期间输入的光信号可以被分割的小型光隔离器。
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公开(公告)号：KR1019970009972B1
公开(公告)日：1997-06-19
申请号：KR1019930028480
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: The present invention provides a method of making an ink jet nozzle by using anisotropic etching and hetero junction. This method includes the steps of joining a substrate (101) with a crystal direction (100) and a substrate (102) with a different crystal direction (101), and making the substrate (102) thin to a given thickness; forming an etching protecting mask on the substrate (101), selectively etching the same by anisotropic etching to form a region (105) in an inverted pyramid shape, and exposing the substrate (102)'s given portion to form an etching protecting window (107); and anisotropic etching the substrate (102) through the opened window (107) to form a removed region (108) of rectangular shape.
Abstract translation: 本发明提供一种通过使用各向异性蚀刻和异质结制造喷墨嘴的方法。 该方法包括以下步骤：使晶体方向（100）的衬底（101）与具有不同晶体方向（101）的衬底（102）接合，并使衬底（102）变薄至给定厚度; 在所述基板（101）上形成蚀刻保护掩模，通过各向异性蚀刻选择性地蚀刻所述蚀刻保护掩模，以形成倒金字塔形状的区域（105），并暴露所述基板（102）的给定部分以形成蚀刻保护窗口 107）; 并通过打开的窗口（107）对衬底（102）进行各向异性蚀刻，以形成矩形形状的去除区域（108）。
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公开(公告)号：KR1019950013796B1
公开(公告)日：1995-11-16
申请号：KR1019920025019
申请日：1992-12-22
IPC: H01L29/772
Abstract: forming a polycrystal silicon film(20) on a substrate(10); defining and forming an active region(20,20a) connected to both sides of the polycrystal silicon film(20), of which an interlayer part is separated to form a line pattern, and by which multichannels are formed; forming a gate oxide film(30) on the active region(20) and the exposed substrate; forming two gate eletrodes(40) to which one end is connected, being parallel with together; forming source/drain region(21) by implanting an impurity in the active region; and forming a metal or transparent electrode(60) by depositing a metal or a transparent conducting film after depositing an oxide film(50). The method forms double gate and multichannel structure TFT, reduces leakage current, and improves hydrogenation effect.
Abstract translation: 在衬底（10）上形成多晶硅膜（20）; 限定和形成连接到多晶硅膜（20）的两侧的有源区（20,20a），其中层间部分被分离以形成线图案，由此形成多通道; 在有源区（20）和暴露的衬底上形成栅氧化膜（30）; 形成一端连接的两个栅电极（40），并联在一起; 通过在有源区中注入杂质形成源/漏区（21）; 以及通过在沉积氧化膜（50）之后沉积金属或透明导电膜来形成金属或透明电极（60）。 该方法形成双栅和多通道结构TFT，减少漏电流，提高氢化效果。
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公开(公告)号：KR1019950011552B1
公开(公告)日：1995-10-06
申请号：KR1019910007294
申请日：1991-05-06
IPC: H01L21/28
Abstract: The method is about the contact formation between the interconnection metals and forming method of an ohmic contact to all of N-plus type semiconductor and P-plus type semiconductor .The method includes the steps of; joining the interconnection structure of barrier layer and AlSi layer on N-type semiconductor; and forming the interconnection structure that is joined AlSi layer having the minimum width ,barrier layer and AlSi layer.
Abstract translation: 该方法是关于互连金属之间的接触形成和与所有N型半导体和P型半导体的欧姆接触的形成方法。该方法包括以下步骤： 连接N型半导体上的阻挡层和AlSi层的互连结构; 并形成具有最小宽度，阻挡层和AlSi层的AlSi层的互连结构。
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公开(公告)号：KR1019950021153A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028480
申请日：1993-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 이방성 식각 및 이종기판 접합기술에 의한 잉크 제트노즐(ink jet nozzle)제작 방법에 관한 것으로서, 종래에 단순하게 기판을 이방성 식각하였기 때문에 아주 작은 노즐을 제작할 수 없고, 다양한 구조를 적절하게 응용할 수 없는 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 기판결정 방향에 따라 식각 특성이 다른것을 이용하여, 결정방향이 다른 기판을 접합시키고, 접합된 기판을 이방성 식긱을 하면 한번의 사진전사공정에 의해서도 다양한 모양의 노즐을 용이하게 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019940016583A
公开(公告)日：1994-07-23
申请号：KR1019920025029
申请日：1992-12-22
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 반도체 기판상에 유전체막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 염소를 기판과 SiO
2 막의 계면에 주입되게 하는 유전체막 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 상에 SiO
2 막을 형성할때 산화과정의 마지막 단계에서 3~5분간 O
2 가스에 대한 분율 1~3%정도의 TCA(C
2 H
3 CI
3 ) 또는 TCE(C
2 HCI
3 )와 O
2 가스 또는 O
3 가스의 혼합 가스에서 상기 SiO
2 막을 형성하여 상기 실리콘기판과 SiO
2 막 사이의 계면에 Cl가 축적되게 하는 것을 특징으로 하는 유전체막의 형성방법이다.
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