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公开(公告)号：KR1020020028258A
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：KR1020000059175
申请日：2000-10-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03H7/18
CPC classification number: H03H7/18 , H03H7/12 , H03H7/175 , H03H11/1213 , H03H11/22
Abstract: PURPOSE: A phase displacement unit having a low insertion loss variation is provided, which has extremely low variation of an insertion loss within a designed frequency range, by making an insertion loss when operating as a low pass filter similar to an insertion loss when operating as a high pass filter. CONSTITUTION: MESFET(105a,106,105b) are connected in serial between an input port(101) and an output port(102). A capacitor(110a) is connected between a source and a drain of the MESFET(105a). An inductor(111a), a resistor(400a), a resistor(400b) and an inductor(111b) are connected in serial from a source to a drain of the MESFET(106). And a capacitor(110b) is connected between a source and a drain of the MESFET(105b). Also, MESFET(107,108) are connected in serial between a connection node(A) of the resistors(400a,400b) and a ground, and an inductor(112) is connected between a source and a drain of a MESFET(108). Gates of each MESFET are connected to a resistor, and each MESFET receives a bias signal applied to signal ports(103,104) through the resistor.
Abstract translation: 目的：提供一种具有低插入损耗变化的相位移单元，其在设计频率范围内的插入损耗的变化极小，通过在作为低通滤波器工作时与插入损耗相似地插入损耗，当作为 高通滤波器。 构成：MESFET（105a，106,105b）串联连接在输入端口（101）和输出端口（102）之间。 电容器（110a）连接在MESFET（105a）的源极和漏极之间。 电感器（111a），电阻器（400a），电阻器（400b）和电感器（111b）从MESFET（106）的源极到漏极串联连接。 并且电容器（110b）连接在MESFET（105b）的源极和漏极之间。 此外，MESFET（107,108）串联连接在电阻器（400a，400b）的连接节点（A）和接地之间，并且电感器（112）连接在MESFET（108）的源极和漏极之间。 每个MESFET的栅极连接到电阻器，并且每个MESFET通过电阻器接收施加到信号端口（103,104）的偏置信号。
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公开(公告)号：KR1020010057814A
公开(公告)日：2001-07-05
申请号：KR1019990061225
申请日：1999-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a compound semiconductor device using a stacked gamma-type gate is provided to form a micro gate having excellent repeatability, by using a photolithography process, lift-off of a heat-resistant metal and a heat-resistant metal sidewall to form the gamma-type gate. CONSTITUTION: An etch stop layer, an ohmic layer and an oxide layer are formed on an epitaxially-grown substrate. Photoresist for a photolithography process is applied on the oxide layer. The photoresist is etched by a photolithography process and an isotropic plasma etching process to form a photoresist pattern. The first heat-resistant metal(41) is vacuum-deposited on the oxide layer including the photoresist pattern. The second heat-resistant metal is deposited in a predetermined portion of the first heat-resistant metal opened by lifting off the photoresist pattern, and is entirely etched to form a heat-resistant metal sidewall(42). Photoresist is applied on the resultant structure, and a photolithography process is performed to form an intagliated photoresist pattern. A gate recess is performed by using the intagliated photoresist pattern, the heat-resistant metal sidewall and the first heat-resistant metal as a mask. A gate metal is formed on the resultant structure, and lifted off to form a gamma-type gate(45).
Abstract translation: 目的：提供一种使用堆叠的伽马型栅极制造化合物半导体器件的方法，以通过使用光刻工艺，耐热金属和耐热金属侧壁的剥离来形成具有优异重复性的微栅极 以形成γ型栅极。 构成：在外延生长的衬底上形成蚀刻停止层，欧姆层和氧化物层。 用于光刻工艺的光刻胶被施加在氧化物层上。 通过光刻工艺和各向同性等离子体蚀刻工艺蚀刻光致抗蚀剂以形成光致抗蚀剂图案。 将第一耐热金属（41）真空沉积在包括光致抗蚀剂图案的氧化物层上。 第二耐热金属沉积在通过剥离光致抗蚀剂图案而打开的第一耐热金属的预定部分中，并被完全蚀刻以形成耐热金属侧壁（42）。 将光刻胶施加在所得结构上，并进行光刻工艺以形成凹版光致抗蚀剂图案。 通过使用变色光致抗蚀剂图案，耐热金属侧壁和第一耐热金属作为掩模来执行栅极凹槽。 在所得结构上形成栅极金属，并且提起栅极金属以形成γ型栅极（45）。
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公开(公告)号：KR100274150B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019970059538
申请日：1997-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B7/14
Abstract: PURPOSE: An indoor/outdoor wireless repeater is provided to amplify and radio-repeat a radio signal such as satellite broadcast, LMDS, wireless CATV, radio ATM from outdoor or, in reverse, to radio-repeat a wireless signal transmitted from an indoor radio terminal or a radio private network to the outdoor. CONSTITUTION: A subscriber transmitting part(200) amplifies the radio signal transmitted from an indoor terminal equipment without an additional frequency amplification and transfers it to the outdoor. A subscriber receiving part(100) amplifies the radio signal transmitted from the outdoor without the additional frequency amplification and transfers it the indoor.
Abstract translation: 目的：提供一个室内/室外无线中继器，用于放大和无线电重复室外无线电信号（如卫星广播，LMDS，无线CATV，无线电ATM）等无线电信号，或者反向无线电重复从室内无线电发送的无线信号 终端或无线电专线到室外。 构成：用户发送部件（200）放大从室内终端设备发送的无线信号，无需额外的频率放大，并将其传送到室外。 订户接收部分（100）放大从室外发射的无线电信号而没有额外的频率放大，并将其传送到室内。
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公开(公告)号：KR1020000038238A
公开(公告)日：2000-07-05
申请号：KR1019980053146
申请日：1998-12-04
IPC: H03F1/32
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a low distortion power amplifier is provided to have a power gain and a good efficiency by using A and B type amplifiers. CONSTITUTION: In a method for manufacturing a low distortion power amplifier, a driver stage of a front stage which uses an A type amplifier having a power gain of a negative slope is arranged. A small signal has a maximal gain so that the power gain has a negative slope according to an input power. A power state of a rear stage by using a B type amplifier which applies a gate bias having a voltage lower than a pinch-off voltage is installed. By applying a gate bias of a voltage lower than a pinch- off voltage so that a current does not flow in a direct current state, a power gain is small in an input power having a small power gain.
Abstract translation: 目的：提供一种制造低失真功率放大器的方法，通过使用A和B型放大器具有功率增益和良好的效率。 构成：在制造低失真功率放大器的方法中，布置了使用具有负斜率的功率增益的A型放大器的前级的驱动级。 小信号具有最大增益，使得功率增益根据输入功率具有负斜率。 通过使用施加具有低于夹断电压的电压的栅极偏置的B型放大器来安装后级的电源状态。 通过施加低于钳位电压的电压的栅极偏压，使得电流不在直流状态下流动，功率增益在具有小功率增益的输入功率中较小。
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公开(公告)号：KR100218679B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960033177
申请日：1996-08-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03F3/20
CPC classification number: H03F1/0272 , H03F1/301 , H03F3/1935 , H03F2200/18 , H03F2200/318 , H03G3/3042
Abstract: 본 발명은 전력증폭기의 게이트 전압 제어회로에 관한 것으로, 출력 전력을 검출하여 출력 전력이 낮아지면 게이트 전압을 낮추고, 출력 전력이 높아지면 게이트 전압을 높여주어 전력증폭기가 주로 동작하는 평균 출력 전력에서는 효율을 높여 소비 전력을 대폭 줄이고, 최대 출력에서는 선형성을 개선시킬 수 있도록 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990051064A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070303
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/00
Abstract: 본 발명은 마이크로웨이브 전력증폭기용 셀 구조에 관한 것으로, 종래에는 전력증폭기용 셀을 측정한 후 설계시에 안정도를 위한 회로를 삽입하는데 측정중에 발진이 일어나 셀이 죽거나 정확한 측정이 어렵게 된다. 또한 높은 출력을 얻기 위하여 셀들을 병렬로 결합하게 되는데 종래의 방법은 입력 및 출력 신호 경로가 결합된 셀들간에 차이가 있어 주파수가 밀리미터에 이르면 위상 왜곡이 심하게 된다. 이에 본 발명은 셀 구조를 개선하여 입력 및 출력의 신호 경로를 각각 같게 하여 위상 왜곡을 방지하였고, 입력측에 안정도를 위하여 저항을 삽입하여 마이크로웨이브 측정에서 나타나는 발진을 막도록 하여 측정이 용이하며 마이크로웨이브 전력증폭기의 설계가 용이하게 하였다.
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公开(公告)号：KR1019950021722A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027630
申请日：1993-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 선형성이 향상된 전력소자 기판구조에 관한 것으로서, 종래에 제1활성층(2)이 아닌 기판을 통한 전류가 수반되어 마이크로 웨이브 특성저하의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 기판과 활성층 사이에 기판(1)을 통한 전류를 방지하기 위한 장벽층(5)과 고농도로 도핑된 얇은 제2활성층(6)및 알루미늄의 경사좆성을 갖는 제2캡층(7)으로 형성된 구조를 제공함으로써 기판전류를 감소시켜 출력전력과 효율을 향상시키고, 쇼트키 특성 향상 및 리세스 공정없이 공정의 균일도를 향상시켜 공정개선 및 수율향상에 기여할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021450A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026305
申请日：1993-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/34
Abstract: 본 발명은 채널층 식각을 통한 마이크로웨이브용 전력FET의 열방출방법에 관한 것으로서, 종래의 사용도중 채널에서 열방출이 효과적이지 못한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 기간(33)을 연마한 후 감광막(22)을 형성 및 채널층 식각을 위한 비어홀 마스크(11)를 상부에 위치하는 공정(가)과, 상기 비어홀 마스크(11)를 이용하여 식각을 한 후 상기 감광막(22)을 제거하는 공정(나)과, 상기 채널중 아랫부분의 바닥에 소정의 금속(55)을 소정 두께로 증각하는 공정(다)과, 상기 채널층부분만을 금으로 재충진하기 위해 감광막(22)마스크를 형성하는 공정(라)과, 상기 감광막(22)마스크를 제외한 부분에 소정두께로 금(55)을 도금하여 재충진하는 공정 (마)과, 상기 감광막(22)마스크를 제거한 후 전면을 도금하는 공정(마)로 구성 되어 보다 효율적으로 열을 방출 킬 수 있는 장점이 있다
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