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公开(公告)号：KR101358300B1
公开(公告)日：2014-02-10
申请号：KR1020090125467
申请日：2009-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/0224 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 그의 방법은 다수개의 돌기들이 노출되는 버퍼층을 형성한다. 이후, 버퍼층의 다수개의 돌기를 따라 울퉁불퉁하게 굴곡되는 상부표면을 갖는 윈도우 전극층을 형성한다. 따라서, 윈도우 전극층의 상부표면을 거칠게 가공하기 위한 별도의 가공처리를 요구하지 않기 때문에 생산성을 향상할 수 있다.
버퍼층, 돌기, 난반사, 윈도우(window), 전극-
公开(公告)号：KR1020040046479A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020020074420
申请日：2002-11-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to be capable of embodying a SAW filter using an Sl(Semi Insulating)-GaN layer of an HEMT(High Electron Mobility Transistor) for integrating the devices on a unit wafer. CONSTITUTION: An HEMT device is manufactured by depositing an SI GaN layer(12) and an AlxGa1-xN layer(13) on a semiconductor substrate(11). The first predetermined region of the AlxGa1-xN layer is etched. An FET(Field Effect Transistor) device is manufactured by forming FET electrodes(14a,14b) on the predetermined region of the AlxGa1-xN layer. The second predetermined region of the AlxGa1-xN layer is etched for exposing the SI GaN layer. Then, a SAW filter is manufactured by forming SAW filter electrodes(15) on the exposed SI-GaN layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，其能够使用用于将器件集成在单元晶片上的HEMT（高电子迁移率晶体管）的S1（半绝缘）-GaN层来体现SAW滤波器。 构成：通过在半导体衬底（11）上沉积SI GaN层（12）和Al x Ga 1-x N层（13）来制造HEMT器件。 蚀刻Al x Ga 1-x N层的第一预定区域。 通过在Al x Ga 1-x N层的预定区域上形成FET电极（14a，14b）来制造FET（场效应晶体管）器件。 蚀刻Al x Ga 1-x N层的第二预定区域以暴露SI GaN层。 然后，通过在暴露的SI-GaN层上形成SAW滤波器电极（15）来制造SAW滤波器。
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公开(公告)号：KR100413523B1
公开(公告)日：2004-01-03
申请号：KR1020010079308
申请日：2001-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an HEMT(High Electron Mobility Transistor) having the increased electron density of two dimensional electron gas is provided to be capable of improving the high power and frequency characteristics of the transistor without electron scattering by forming a potential well at the bi-junction surface between a GaN layer and an AlxGa1-xN layer at the temperature of 1000°C, or higher. CONSTITUTION: A high resistive GaN layer(62) is formed on a substrate(60). An InN layer(64) is formed on the high resistive GaN layer(62) by In-delta doping using an MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) method. At this time, a potential well is formed at the InN layer and an electron density increased two dimensional electron gas layer is capable of being formed at the potential well. An AlxGa1-xN layer(69) is formed on the InN layer(64). Preferably, the substrate is made of one selected from a group consisting of sapphire, SiC, GaN, Si, or GaAs. Preferably, the GaN layer(62) has a thickness of 1-10 μm. Preferably, the GaN, InN, and AlxGa1-xN layer forming processes are carried out at the temperature of 1000°C, or higher.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有增加的二维电子气的电子密度的HEMT（高电子迁移率晶体管）的方法，以便能够通过在所述电子阱中形成势阱而改善没有电子散射的晶体管的高功率和频率特性 在1000℃或更高的温度下，在GaN层和Al x Ga 1-x N层之间的双结表面。 构成：在衬底（60）上形成高电阻GaN层（62）。 通过使用MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法的In-δ掺杂，在高电阻GaN层（62）上形成InN层（64）。 此时，在InN层上形成势阱，并且势阱中能够形成电子密度增加的二维电子气层。 在InN层（64）上形成Al x Ga 1-x N层（69）。 优选地，衬底由选自蓝宝石，SiC，GaN，Si或GaAs中的一种制成。 优选地，GaN层（62）具有1-10μm的厚度。 优选地，GaN，InN和Al x Ga 1-x N层形成工艺在1000℃或更高的温度下进行。
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公开(公告)号：KR100404323B1
公开(公告)日：2003-11-03
申请号：KR1020010004338
申请日：2001-01-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: Disclosed is a method for depositing a thin dielectric on a portion in which a decreased growth speed of epitaxy is needed in a bridge fashion, and adjusting the width of bridges made of dielectric material and the distance of the bridges deposited, thereby controlling a growth speed and growth thickness of an epitaxial growth layer, which comprising the processes of growing a bridge-shape thin dielectric on a semiconductor substrate for fabricating a semiconductor integrated circuit device, and growing an epitaxial layer with different epitaxial growth rates on selective areas on top of the semiconductor substrate. Thus, the method controls a distance between bridges and a width of the bridge, thereby adjusting a growth speed and growth thickness of an epitaxial layer to be grown in future. Furthermore, the method allows a change in growth characteristics of the epitaxial layer to be smooth, resulting in a decreased light reflection, and allows the change in growth characteristics to be occurred at an extremely small region, thereby efficiently applying to a high-speed revolution epitaxial growth apparatus.
Abstract translation: 公开了一种用于在需要以桥接方式降低外延生长速度的部分上沉积薄电介质并且调节由电介质材料制成的桥的宽度和所沉积的桥的距离从而控制生长速度的方法 以及外延生长层的生长厚度，其包括在用于制造半导体集成电路器件的半导体衬底上生长桥形薄电介质的工艺，并且在所述外延生长层的顶部上的选择性区域上生长具有不同外延生长速率的外延层 半导体衬底。 因此，该方法控制桥之间的距离和桥的宽度，从而调节将来生长的外延层的生长速度和生长厚度。 此外，该方法允许外延层的生长特性的变化平滑，导致光反射降低，并且允许生长特性的变化发生在极小的区域，从而有效地应用于高速旋转 外延生长装置。
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公开(公告)号：KR1020030049169A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010079308
申请日：2001-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an HEMT(High Electron Mobility Transistor) having the increased electron density of two dimensional electron gas is provided to be capable of improving the high power and frequency characteristics of the transistor without electron scattering by forming a potential well at the bi-junction surface between a GaN layer and an AlxGa1-xN layer at the temperature of 1000°C, or higher. CONSTITUTION: A high resistive GaN layer(62) is formed on a substrate(60). An InN layer(64) is formed on the high resistive GaN layer(62) by In-delta doping using an MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) method. At this time, a potential well is formed at the InN layer and an electron density increased two dimensional electron gas layer is capable of being formed at the potential well. An AlxGa1-xN layer(69) is formed on the InN layer(64). Preferably, the substrate is made of one selected from a group consisting of sapphire, SiC, GaN, Si, or GaAs. Preferably, the GaN layer(62) has a thickness of 1-10 μm. Preferably, the GaN, InN, and AlxGa1-xN layer forming processes are carried out at the temperature of 1000°C, or higher.
Abstract translation: 目的：提供具有增加的二维电子气体的电子密度的HEMT（高电子迁移率晶体管）的制造方法，以便能够通过在二极管形成电位阱来改善晶体管的高功率和频率特性而不发生电子散射 在1000℃或更高的温度下，GaN层和Al x Ga 1-x N层之间的双结面。 构成：在衬底（60）上形成高电阻GaN层（62）。 通过使用MOCVD（金属有机化学气相沉积）方法的In-δ掺杂，在高电阻GaN层（62）上形成InN层（64）。 此时，在InN层形成势阱，能够在势阱形成电子密度增加的二维电子气层。 在InN层（64）上形成Al x Ga 1-x N层（69）。 优选地，衬底由选自由蓝宝石，SiC，GaN，Si或GaAs组成的组中的一种制成。 优选地，GaN层（62）的厚度为1-10μm。 优选地，GaN，InN和Al x Ga 1-x N层形成工艺在1000℃或更高的温度下进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020063738A
公开(公告)日：2002-08-05
申请号：KR1020010004338
申请日：2001-01-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor epitaxial layer growth method is provided to unequally control a growth speed and a thickness by controlling a width and an interval of a deposited dielectric thin film bridge. CONSTITUTION: The first selective etch layer, a spacer(730'), the second selective etch layer and a dielectric thin film are sequentially formed on InP substrate(710). By etching the dielectric thin film using a photo-lithography, a pair of rectangular-type dielectric thin films(750') and a number of bridge-type dielectric thin films are formed. Then, the resultant structure is performed with an MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition). At this time, an epitaxial layer(780') has a thin thickness due to the dielectric thin films(750') and another epitaxial layer(780) is thick due to no dielectric thin film(750').
Abstract translation: 目的：通过控制沉积的电介质薄膜桥的宽度和间隔来提供半导体外延层生长方法以不均匀地控制生长速度和厚度。 构成：在InP衬底（710）上依次形成第一选择蚀刻层，间隔物（730'），第二选择蚀刻层和电介质薄膜。 通过使用光刻法蚀刻电介质薄膜，形成一对矩形电介质薄膜（750'）和多个桥式电介质薄膜。 然后，用MOCVD（金属有机化学气相沉积）进行所得结构。 此时，外延层（780'）由于电介质薄膜（750'）而具有薄的厚度，另一外延层（780）由于没有电介质薄膜（750'）而变厚。
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公开(公告)号：KR1020000026688A
公开(公告)日：2000-05-15
申请号：KR1019980044345
申请日：1998-10-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L47/00
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: Photoelectric devices using negative resistance diodes are provided to perform a function of an all-optical oscillator by tying two diodes with a direct metal line without an external electrical source, and to exchange an electro-optical signal and to process a wire/wireless signal by exchanging a binary optical signal, modulating optical input with regular intensity and an electro-circuit self vibrating signal from the negative resistance of an optical composition as an electro-optical oscillator. CONSTITUTION: Photoelectronic devices using diodes in negative resistance comprises a semi-insulation compound semiconductor substrate(10), a semiconductor mirror(20), two-Positive Intrinsic Negative(PIN) diodes. The semiconductor mirror has a hetero semiconductor layer which is repeatedly stacked thereon to raise optical-absorption of an optical PIN diode on the substrate. Opposite polarity of the two PIN diodes is formed in parallel for an external electrical source on the same area of the semiconductor mirror. The PIN diodes induce N-shaped negative resistance characteristics by two exposure beams from outside, and output the exposure beams as optical-modulation which reversed the exposure beams by an electric vibrating signal, which the external electrical source is applied and induced when inducing the negative resistance characteristics.
Abstract translation: 目的：提供使用负电阻二极管的光电器件，通过用不带外部电源的直接金属线连接两个二极管来执行全光振荡器的功能，并交换电光信号并处理有线/无线 通过交换二进制光信号，调制具有规则强度的光输入和作为电光振荡器的光学组合物的负电阻的电路自振信号。 构成：使用负电阻二极管的光电子器件包括半绝缘化合物半导体衬底（10），半导体镜（20），双正内部负极（PIN）二极管。 半导体反射镜具有反复层叠在其上的异质半导体层，以提高基板上的光学PIN二极管的光吸收。 两个PIN二极管的相反极性在半导体镜的相同区域上的外部电源并联形成。 PIN二极管通过来自外部的两个曝光光束引起N形负电阻特性，并且将曝光光束作为光学调制输出，通过电振动信号反转曝光光束，外部电源被施加并诱导时产生负 电阻特性。
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公开(公告)号：KR100249788B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970060633
申请日：1997-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 다중양자우물구조 PIN다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터에 관한 것으로서, 전기-광흡수(electro-absorption)를 갖는 반도체 다중양자우물(multiple quantum well) 구조를 중간층(intrinsic layer)으로 하는 반도체 PIN다이오드에서 광 흡수에 의한 광전류-전압(photocurrent-voltage)의 부저항(negative resistance) 특성을 이용하며, 이 다이오드구조에 강한 연속 레이져 빔(continuous laser beam)을 조사하여 다이오드의 부저항특성을 크게 증가시키므로써 발생된 다이오드의 광전류-전압의 부저항 지역에 정전압 (dc voltage)을 인가하여 다이오드의 진동(oscillation)을 유발시켜 전기적 교류 신호(electrical ac-signal) 및 다이오드의 진동에의해 연속-조사빔의 변조-광신호(modulated optical signal) 발생을 유발 시킨다. 이러한 본 발명에서는 전기-광흡수를 갖는 다중양자우물 구조를 PIN다이오드의 중간층으로 이용하여 고출력의 전기적 교류 신호 뿐만 아니라 변조- 광신호를 생성할 수 있으며, PIN 다이오드 및 구성 회로요소(electrical elements)들의 조절로 전기적 교류 신호의 주파수 및 신호 진폭(amplitude)을 조절할 수 있으며, 다중양자우물 구조의 조절로 변조광신호의 신호 주파수 및 변조신호의 크기차(signal difference) 및 명암비(extinction ratio)를 조절할 수 있어, 고출력 고주파수의 전기 및 광 신호를 생성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100244524B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019970001101
申请日：1997-01-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S3/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/1035
Abstract: 본 발명은 반도체 광전 소자에 관한 것으로, 이중장벽 구조를 갖는 공명투과 다이오드의 양자 상태간의 에너지 차이를 최대로 하기 위하여 에미터쪽의 간격층에 인듐비소를 단원자층의 두께로 형성함으로써 약한 세기의 빛에서도 삼각 우물의 두 양자 상태에 의한 공명투과 전류가 분리되어 나타나므로 빛으로 삼각 우물의 여기 상태에 의한 공명투과를 제어하여 광원으로 전기적 신호를 제어하는 스위칭 소자의 제작이 가능할 수 있는 광 제어 공명투과 다이오드가 제시된다.
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公开(公告)号：KR1019990047100A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970065336
申请日：1997-12-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 공명 투과 광전소자를 이용한 다중 피크 발생 방법에 관한 것으로, 특히 이중장벽 구조를 갖는 공명 투과 소자의 측면에 간격층의 밴드 갭보다 큰 에너지의 빛을 조사함으로써, 공명 투과 조건이 이중장벽 구조의 일부분만 변조되어 다중 피크 특성이 나타나도록 하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에서는 공명 투과 소자의 측면에서 광원을 조사하여, 공명 투과 소자에 흐르는 전류가 빛이 흡수된 영역과 빛이 흡수되지 않은 영역이 병렬로 연결된 것과 같은 특성을 보이도록 함으로써 다중 피크 특성이 발생하게 하는 방법을 제시한다. 본 발명에 의한 측면 수광 공명 투과 소자는 간격층에 직접 빛이 조사되므로 약한 광 신호에서도 전기적 신호의 변조가 가능하게 된다.
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