-
公开(公告)号：KR1020050064649A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：KR1020030096221
申请日：2003-12-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00
CPC classification number: H04B10/299
Abstract: 광 클럭의 패턴 효과 및 시간 지터를 감소시킬 수 있는 완전광 클럭 재생 장치를 개시한다. 개시된 완전광 클럭 재생 장치는, 광 신호의 크기 및 편광 상태를 조절하는 광 신호 조절부, 상기 광 신호 조절부로부터 출력된 광 신호가 입력되어 광 클럭을 출력하는 레이저부, 및 상기 레이저부로부터 출력된 광 클럭의 위상 및 편광을 조절하여 상기 광 신호 조절부의 출력 광 신호와 함께 다시 레이저부에 상기 위상 및 편광이 조절된 광 클럭을 제공하는 광학적 재생 루프를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020050058630A
公开(公告)日：2005-06-17
申请号：KR1020030090569
申请日：2003-12-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 전기 광학적 크로스토크 및 수율을 개선할 수 있는 트랜스미터 및 리시버를 포함하는 양방향 모듈 및 그 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 트랜스미터 및 리시버로 구성되는 양방향 모듈로서, 상기 트랜스미터는 외부 공동(external cavity)을 갖는 DFB(distributed feedback) 레이저 다이오드를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR101754275B1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：KR1020100129150
申请日：2010-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01J3/42
Abstract: 본발명은발열효율을높이고초소형화될수 있는테라헤르츠파송수신모듈및 그를구비한장치를개시한다. 그의모듈은, 활성층, 안테나, 및전극패드들을구비한포토믹서칩과, 상기포토믹서칩 상에형성된렌즈와, 상기반구형렌즈에대향되는상기포토믹서칩의아래에서상기전극패드들에연결된솔더볼들을포함한회로기판과, 상기회로기판의하부및 측면을둘러싸고, 상기포토믹서칩의전극패드로부터상기회로기판까지전달되는상기활성층의발열을외부로방출하는패키지를포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了一种能够提高热效率并且小型化的太赫兹传输接收模块以及具有该太赫兹传输接收模块的设备。 他的模块，耦接至电极焊盘上的画面混合器芯片和图象混合器芯片和设置在具有有源层，天线光混合器芯片上的透镜，和电极焊盘，这是相反的半球面透镜的底部的焊球 以及封装，其环绕电路板的底部和侧表面并且将从光电混合器芯片的电极焊盘转移的有源层产生的热量发射到电路板。
-
公开(公告)号：KR1020170010936A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：KR1020150102358
申请日：2015-07-20
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G01R31/2656 , G01R1/06772 , G01R1/07 , G01R31/2635 , H01L22/32 , H01L23/535 , H01L23/66 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2924/00014 , H01P3/00 , H01P5/085 , H01S5/0014 , H01S5/0427 , H01L2224/45099
Abstract: 본발명의실시예에따른무선주파수프로브장치는접지전극및 신호전극을포함하는 RF 도파로(waveguide); 상기신호전극에연결된레지스터; 상기접지전극에연결되는외부도체, 상기신호전극에연결된내부도체, 및상기외부도체와상기내부도체사이를채우는유전체를포함하는 RF 커넥터; 및상기 RF 도파로의상기신호전극에연결되거나, 상기레지스터에연결된단일팁 프로브를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种射频探针装置，包括：RF波导，包括接地电极和信号电极;连接到信号电极的寄存器; RF连接器，包括连接到接地电极的外部导体;连接到信号电极的内部导体 以及填充外部导体和内部导体之间的部分的电介质体，以及连接到RF波导的信号电极或寄存器的单个尖端探头。
-
公开(公告)号：KR1020130067010A
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：KR1020110133827
申请日：2011-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 임영안
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/06256 , H01S5/0657 , H01S5/1221
Abstract: PURPOSE: A laser diode having a spatial hole burning control function and an optical pulse generation method are provided to have a frequency variable region with output of an optical pulse wide. CONSTITUTION: A laser diode includes a reflection region(10), an optical density control region(20) and a diode region(30). The reflection region is formed in the top of a diffraction grating layer formed by index-coupled grating. The optical density control region is formed in between the reflection region and diode region and obtains a broadband frequency characteristic by controlling spatial hole burning. The diode region is formed on the top of the diffraction grating layer by being separated from the reflection region. [Reference numerals] (10) Reflection region; (20) Optical density control region; (30) Λ/4 Phase-Shifted DFB laser diode
Abstract translation: 目的：提供具有空间空穴燃烧控制功能和光脉冲发生方法的激光二极管，以具有光脉冲输出的频率可变区域。 构成：激光二极管包括反射区域（10），光密度控制区域（20）和二极管区域（30）。 反射区形成在由折射率耦合光栅形成的衍射光栅层的顶部。 光密度控制区域形成在反射区域和二极管区域之间，通过控制空间孔燃烧获得宽带频率特性。 二极管区域通过与反射区域分离而形成在衍射光栅层的顶部上。 （附图标记）（10）反射区域; （20）光密度控制区; （30）Λ/ 4相移DFB激光二极管
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120064507A
公开(公告)日：2012-06-19
申请号：KR1020100125778
申请日：2010-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/12
CPC classification number: H01S5/1221 , H01S3/0623 , H01S3/0675
Abstract: PURPOSE: Multiple distributed feedback laser devices are provided to stably oscillate a first light source and a second light source by controlling the wavelength difference between the first light source and the second light source. CONSTITUTION: A substrate(200) includes a first distributed feedback domain, a modulated region, a second distributed feedback domain, and an amplification region. An active layer(206) is arranged consecutively on the substrate including the first distributed feedback domain, the modulated region, the second distributed feedback domain, and the amplification region. A first diffraction grating is arranged on the first distributed feedback domain. The first diffraction grating is coupled with the active layer of the first distributed feedback domain. A second diffraction grating is arranged on the second distributed feedback domain. The second diffraction grating is coupled with the active layer of the second distributed feedback domain. A first micro heater(236a) supplies heat to the first diffraction grating. A second micro heater(236b) supplies the heat to the second diffraction grating.
Abstract translation: 目的：提供多个分布反馈激光装置，通过控制第一光源和第二光源之间的波长差来稳定地振荡第一光源和第二光源。 构成：衬底（200）包括第一分布反馈域，调制区域，第二分布反馈区域和放大区域。 在包括第一分布反馈域，调制区域，第二分布反馈域和放大区域的衬底上连续布置有源层（206）。 第一衍射光栅布置在第一分布反馈域上。 第一衍射光栅与第一分布反馈域的有源层耦合。 第二衍射光栅布置在第二分布反馈域上。 第二衍射光栅与第二分布反馈域的有源层耦合。 第一微加热器（236a）向第一衍射光栅提供热量。 第二微加热器（236b）将热量供应到第二衍射光栅。
-
公开(公告)号：KR1020120020961A
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：KR1020100084922
申请日：2010-08-31
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/06258 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/1096 , H01S5/1215 , H01S5/2222
Abstract: PURPOSE: A duplex mode semiconductor laser and a terahertz wave apparatus using the same are provided to stabilize the frequency of a terahertz wave by applying a duplex mode semiconductor laser as a beating source of the terahertz wave. CONSTITUTION: A duplex mode semiconductor laser includes a distributed feedback laser structure section(A) and a distributed bragg reflector laser structure section(C). The distributed feedback laser structure section has a first diffraction grating(145). The distributed bragg reflector laser structure section has a second diffraction grating(135). The distributed feedback laser structure section includes an active waveguide(120). The distributed feedback laser structure section comprises a lower clad layer(110) on a substrate, the active waveguide, a top clad layer(140), and a first current injection electrode(150). An insulating layer(155) and a first micro heater electrode(180) are arranged on the first current injection electrode.
Abstract translation: 目的：提供双工模式半导体激光器和使用它的太赫兹波装置，以通过应用双模半导体激光器作为太赫兹波的击打源来稳定太赫兹波的频率。 构成：双工模式半导体激光器包括分布反馈激光器结构部分（A）和分布式布拉格反射器激光器结构部分（C）。 分布反馈激光器结构部分具有第一衍射光栅（145）。 分布式布拉格反射器激光器结构部分具有第二衍射光栅（135）。 分布式反馈激光器结构部分包括有源波导（120）。 分布式反馈激光器结构部分包括在衬底上的下覆盖层（110），有源波导，顶覆层（140）和第一电流注入电极（150）。 绝缘层（155）和第一微加热器电极（180）布置在第一电流注入电极上。
-
公开(公告)号：KR1020100072608A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131058
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H04B10/00 , H04B10/2581
CPC classification number: H01S5/4062 , H01S5/0268 , H01S5/0612 , H01S5/0687 , H01S5/141 , H01S5/4087
Abstract: PURPOSE: A multi-wavelength laser diode, a multi-wavelength laser diode module, and a wavelength division multiplexing optical communication system are provided to make the output wavelength of a multi-wavelength laser diode be identical to the external reference wavelength of the multi-wavelength laser diode. CONSTITUTION: First light amplifiers(110) generate and amplify first to nth wavelength signals, and a second wavelength amplifier(120) generates and amplifies a monitor wavelength signal. A wavelength selector(150) selects and outputs the amplified monitor wavelength signal and the amplified first to nth wavelength signals. An optical detector(140) detects the reflection wavelength signal of the monitor wavelength signal outputted from the wavelength selector.
Abstract translation: 目的：提供多波长激光二极管，多波长激光二极管模块和波分复用光通信系统，使多波长激光二极管的输出波长与多波长激光二极管的外部参考波长相同， 波长激光二极管。 构成：第一光放大器（110）产生并放大第一至第n波长信号，第二波长放大器（120）产生和放大监视波长信号。 波长选择器（150）选择并输出放大的监视波长信号和放大的第一至第十波长信号。 光检测器（140）检测从波长选择器输出的监视波长信号的反射波长信号。
-
公开(公告)号：KR1020100066291A
公开(公告)日：2010-06-17
申请号：KR1020090031273
申请日：2009-04-10
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01S5/323 , H01S3/09415 , H01S5/06203 , H01S5/1003
Abstract: PURPOSE: A resonator of a hybrid laser diode is provided to minimize the effect of a surface bonding by widening the width of the compound semiconductor waveguide of the resonator. CONSTITUTION: A substrate includes a semiconductor layer in which a waveguide for a hybrid(120h), a multiple mode waveguide(122), and a single mode waveguide(126) are serially connected. A compound semiconductor waveguide(210) is arranged on the waveguide for the hybrid of the semiconductor layer. A tapered coupling structure(210t), which is overlapped with a part of the multiple mode waveguide, is formed on one end of the compound semiconductor waveguide. A reflective unit(128) is arranged on one end of the single mode waveguide.
Abstract translation: 目的：提供混合激光二极管的谐振器，以通过扩大谐振器的化合物半导体波导的宽度来最小化表面接合的影响。 构成：衬底包括半导体层，其中用于混合（120h）的波导，多模波导（122）和单模波导（126）串联连接。 复合半导体波导（210）布置在用于半导体层的混合物的波导上。 在复合半导体波导的一端形成有与多模波导的一部分重叠的锥形耦合结构（210t）。 反射单元（128）布置在单模波导的一端。
-
公开(公告)号：KR100900320B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020080086907
申请日：2008-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 각 영역에 회절격자를 포함하는 두 개의 DFB 영역과 위상 변조 영역으로 구성된 다중 영역 DFB 레이저 소자를 이용하는 테라헤르츠파 발생 방법에 관한 것이다.
기판 상에 하부 도파로, 상기 하부 도파로 상부에 활성층 및 상기 활성층 상부에 상부 도파로를 포함하는 제1 DFB 영역에 제1 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 하부 도파로, 상기 활성층 및 상기 상부 도파로를 포함하며 상기 제1 DFB영역과 이격 거리에 위치된 제2 DFB 영역에 제2 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB영역과 상기 제2 회절 격자가 형성된 제2 DFB영역 사이에 위상 변조 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB 영역에 제1 전류를 공급하고, 상기 제2 회절 결자가 형성된 제2 DFB 영역에 제2 전류를 공급하여 상기 제1 DFB 영역 및 상기 제2 DFB 영역에서 제1 발진파 및 제2 발진파를 발생시키는 단계, 상기 위상 변조 영역에 위상 조정 전류를 공급하여 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 위상을 조정하는 단계 및 상기 위상이 조정된 제1 발진파 및 제2 발진파를 포토믹싱하는 단계를 포함하되, 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 브래그 파장 차이에 비례하여 상기 제1 발진파의 발진파장은 감소하고 상기 제2 발진파의 발진파장은 증가하는 것을 특징으로 하는 테라 헤르츠파를 발생하는 방법을 제공할 수 있다.
전술한 바와 같은 방법으로 생성되는 테라헤르츠파는 , 각각 회절격자의 주 기 차이를 변화시킴으로써 다중 영역 DFB 레이저에서 방출하는 두 모드의 주파수 차이를 매우 낮은 주파수에서 THz 영역까지 변화시킬 수 있다.
다중 영역 DFB LD, 테라헤르츠파 생성, 회절격자
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
74
records
(took 0.028 seconds)
