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公开(公告)号：KR1020080096634A
公开(公告)日：2008-10-31
申请号：KR1020080086907
申请日：2008-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
CPC classification number: H01S5/06258 , G02B6/136 , H01S5/12
Abstract: A method for generating terahertz waves using a DFB(Distributed feedback) laser device is provided to change difference between two mode frequencies emitted from a multiregional DFB laser device from a low frequency to a THz region by changing period difference of a diffraction grating. A first diffraction grating is formed in a first DFB region including a lower waveguide(102) on a substrate(101), an active layer(110) formed on the lower waveguide, and a waveguide on the active layer. A second diffraction grating is formed in a second DFB region which is separated from the first DFB region and includes the lower waveguide, the active layer, and the upper waveguide on the substrate. A phase tuning section is formed between the first DFB region with the first diffraction grating and the second DFB region with the second diffraction grating. A first oscillating wave and a second oscillating wave are generated in the first and second DFB regions by supplying a first current to the first DFB region with the first diffraction grating and a second current to the second DFB region with the second diffraction grating. The phases of the fist and second oscillating waves are controlled by supplying a phase control current to the phase tuning section. The first and second oscillating waves with controlled phases are photo-mixed.
Abstract translation: 提供了一种使用DFB（分布式反馈）激光装置产生太赫兹波的方法，通过改变衍射光栅的周期差来改变从多波段DFB激光装置发射的两个模式频率从低频到太赫兹区域的差异。 第一衍射光栅形成在包括在基底（101）上的下波导（102），形成在下波导上的有源层（110）和有源层上的波导的第一DFB区域中。 第二衍射光栅形成在与第一DFB区分离并且在衬底上包括下波导，有源层和上波导的第二DFB区中。 在具有第一衍射光栅的第一DFB区域和具有第二衍射光栅的第二DFB区域之间形成相位调谐部分。 通过用第一衍射光栅向第一DFB区域提供第一电流，并且通过用第二衍射光栅向第二DFB区域提供第二电流，在第一和第二DFB区域中产生第一振荡波和第二振荡波。 通过向相位调谐部提供相位控制电流来控制第一和第二振荡波的相位。 具有受控相位的第一和第二振荡波是光混合的。
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公开(公告)号：KR100900320B1
公开(公告)日：2009-06-02
申请号：KR1020080086907
申请日：2008-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 각 영역에 회절격자를 포함하는 두 개의 DFB 영역과 위상 변조 영역으로 구성된 다중 영역 DFB 레이저 소자를 이용하는 테라헤르츠파 발생 방법에 관한 것이다.
기판 상에 하부 도파로, 상기 하부 도파로 상부에 활성층 및 상기 활성층 상부에 상부 도파로를 포함하는 제1 DFB 영역에 제1 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 기판 상에 형성된 상기 하부 도파로, 상기 활성층 및 상기 상부 도파로를 포함하며 상기 제1 DFB영역과 이격 거리에 위치된 제2 DFB 영역에 제2 회절 격자를 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB영역과 상기 제2 회절 격자가 형성된 제2 DFB영역 사이에 위상 변조 영역을 형성하는 단계, 상기 제1 회절 격자가 형성된 제1 DFB 영역에 제1 전류를 공급하고, 상기 제2 회절 결자가 형성된 제2 DFB 영역에 제2 전류를 공급하여 상기 제1 DFB 영역 및 상기 제2 DFB 영역에서 제1 발진파 및 제2 발진파를 발생시키는 단계, 상기 위상 변조 영역에 위상 조정 전류를 공급하여 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 위상을 조정하는 단계 및 상기 위상이 조정된 제1 발진파 및 제2 발진파를 포토믹싱하는 단계를 포함하되, 상기 제1 발진파 및 제2 발진파의 브래그 파장 차이에 비례하여 상기 제1 발진파의 발진파장은 감소하고 상기 제2 발진파의 발진파장은 증가하는 것을 특징으로 하는 테라 헤르츠파를 발생하는 방법을 제공할 수 있다.
전술한 바와 같은 방법으로 생성되는 테라헤르츠파는 , 각각 회절격자의 주 기 차이를 변화시킴으로써 다중 영역 DFB 레이저에서 방출하는 두 모드의 주파수 차이를 매우 낮은 주파수에서 THz 영역까지 변화시킬 수 있다.
다중 영역 DFB LD, 테라헤르츠파 생성, 회절격자-
公开(公告)号：KR1020070088356A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：KR1020070017161
申请日：2007-02-20
Applicant: 한국전자통신연구원 , 숭실대학교산학협력단
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S3/0675 , H01S5/0602 , H01S5/0656
Abstract: A multiple section DFB(Distributed FeedBack) laser device, a manufacturing method thereof, and a method for generating tera hertz waves are provided to vary a frequency difference of two modes discharged from a multiple section DFB laser device, from a low frequency to a tera hertz frequency by varying a periodic difference of a complex-coupled diffraction grating. A multiple section DFB laser device includes an active layer(110), a first DFB section, a second DFB section, and a phase modulation section. The active layer(110) is formed on an upper part of a substrate(101). The first DFB section is formed on one region of an upper part and a lower part of the active layer(110), and has a plurality of first diffraction gratings. The second DFB section is formed to be spaced apart from the first DFB section, and has a plurality of second diffraction gratings which are formed on one region of the lower part and the upper part of the active layer(110). The phase modulation section is formed between the first DFB section and the second DFB section. The first and second DFB sections have a waveguide(102) which is formed on the substrate(101), a first SCH(Separate Confinement Hetero) layer(109a) which is formed on the waveguide(102) of the lower part of the active layer(110), and a second SCH layer(109b) which is formed on the active layer(110).
Abstract translation: 提供多段DFB（分布式反馈）激光装置及其制造方法和用于产生多赫兹波的方法，以改变从多段DFB激光装置放出的两种模式的频率差，从低频到Tera 通过改变复耦合衍射光栅的周期性差异来产生赫兹频率。 多段DFB激光装置包括有源层（110），第一DFB部分，第二DFB部分和相位调制部分。 有源层（110）形成在基板（101）的上部。 第一DFB部分形成在有源层（110）的上部和下部的一个区域上，并且具有多个第一衍射光栅。 第二DFB部分形成为与第一DFB部分间隔开，并且具有形成在有源层（110）的下部和上部的一个区域上的多个第二衍射光栅。 相位调制部分形成在第一DFB部分和第二DFB部分之间。 第一DFB部分和第二DFB部分具有形成在基板（101）上的波导（102），形成在活动的下部的波导（102）上的第一SCH（分离限制异质）层（109a） 层（110）和形成在有源层（110）上的第二SCH层（109b）。
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公开(公告)号：KR101725112B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020100127787
申请日：2010-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0673 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L29/068 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L29/78696 , Y10S977/762
Abstract: 반도체소자및 이를제조하는방법을제공한다. 반도체소자는, 제1 상부면, 제1 상부면보다낮은제2 상부면과, 제1 및제2 상부면사이의제1 수직면을포함하는기판, 제1 상부면에형성된제1 소스/드레인영역, 수직면으로부터, 수직면과수직인방향으로제2 상부면과이격되어연장하는제1 나노와이어, 제1 나노와이어의일 측면으로부터, 제1 나노와이어의연장방향과동일한방향으로제2 상부면과이격되어연장하고제2 불순물영역을포함하는제2 나노와이어, 제1 나노와이어상에배치되는게이트전극, 그리고, 제1 나노와이어및 게이트전극사이에개재되는유전체막을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 半导体元件，所述第一顶表面，第一上比棉降低第二顶表面，第一mitje第二基板，包括所述上表面之间的第一垂直平面中，第一源极/漏极形成在所述第一顶表面上的区域，一个垂直表面 从第二顶表面和间隔开的延伸的第一纳米线，从一个第一纳米线，在作为导线的延伸方向与所述第二顶表面垂直于所述方向上分离的垂直平面相同的方向上的第一延伸部处的一个侧 第二纳米线，包括第二杂质区，布置在第一纳米线上的栅电极以及介于第一纳米线和栅电极之间的介电膜。
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公开(公告)号：KR1020170014877A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108873
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은기계적특성이취약한장파장적외선(long wavelength infrared: LWIR) 광학소재와내 마모성을향상시키기위한경질박막사이의열 스트레스(thermal stress)를완화시키기위한열 완충층(thermal buffer layer)를삽입하는방법을제공한다. 이러한열 완충층은경질박막의균열및 벗겨짐(peeling)을방지하는장점을가진다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160049433A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020150067558
申请日：2015-05-14
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L33/00
Abstract: 본발명은질화물계발광다이오드의제조방법에관한것으로, 기판상에순차적으로적층되는제 1 질화물반도체층, 활성층및 제 2 질화물반도체층을포함하는발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들은서로연결되지않는고립된아일랜드형태로배치되어상기제 2 질화물반도체층을부분적으로노출하고, 상기발광구조체상에마스크막들을형성하는것, 및열처리공정을수행하여상기마스크막들에의해노출된상기제 2 질화물반도체층을식각하는것을포함하고, 상기발광구조체를형성하는것, 상기마스크막들을형성하는것, 및상기열처리공정을수행하는것은동일한장비내에서인-시츄방식(in-situ manner)으로수행되는질화물계발광다이오드의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造氮化物基发光二极管的方法。 该方法包括：形成包括依次层叠在基板上的第一氮化物半导体层，有源层和第二氮化物半导体层的发光结构; 通过以彼此不连接的岛状形式设置的掩模膜部分曝光第二氮化物半导体层，并在发光结构上形成掩模膜; 并且通过进行热处理工艺来蚀刻由掩模膜暴露的第二氮化物半导体层，其中形成发光结构，形成掩模膜和进行热处理工艺是在原位进行的 方式在同一设备。
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公开(公告)号：KR101616156B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020120018591
申请日：2012-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812 , H01L21/338
Abstract: 본발명은질화물전자소자및 그제조방법에관한것으로서, 상세하게는갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족원소및 질소를포함하는 3족질화물(III-Nitride) 반도체전자소자에서사용되는반절연성질화갈륨(GaN)층의재성장기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을통해다양한형태의질화물집적구조를동일기판위에구현할수 있는질화물전자소자및그 제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020090035290A
公开(公告)日：2009-04-09
申请号：KR1020070100496
申请日：2007-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H04B10/25759 , H04W88/10
Abstract: A method for separating/converting a multiband signal and an apparatus thereof are provided to expand the service available area regardless of the type of an input/output signal by using the first switch and a photo-electric converter. A photoelectric converter(203) converts an optical signal received from the outside into an electric signal. The first switch(205) separates the converted electric signal according to each frequency band. The first mobile communication band amplifier(207) amplifies a signal of the mobile communication band among signals separated by the first switch. A broadband up-converter(209) up-converts the frequency of a baseband signal among the signals separated by the first switch. The first broadband amplifier(211) amplifies the up-converted signal. A transmitter(215) wirelessly transmits signals amplified by the broadband amplifier and a mobile communication amplifier.
Abstract translation: 提供一种用于分离/转换多频带信号的方法及其装置，用于通过使用第一开关和光电转换器来扩展服务可用区域，而不管输入/输出信号的类型如何。 光电转换器（203）将从外部接收的光信号转换为电信号。 第一开关（205）根据每个频带分离转换后的电信号。 第一移动通信频带放大器（207）放大由第一交换机分离的信号中的移动通信频带的信号。 宽带上变换器（209）对由第一交换机分离的信号中的基带信号的频率进行上变频。 第一宽带放大器（211）放大上变频信号。 发射机（215）无线发射由宽带放大器和移动通信放大器放大的信号。
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9.发明公开수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드의 ＤＢＲ 구조물 및그 제조방법과 수직 공진 표면 발광 레이저 다이오드 有权在垂直孔表面发射激光（VCSEL）二极管中的分布式反射镜（DBR）及其制造方法和VCSEL二极管
公开(公告)号：KR1020070059853A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060049238
申请日：2006-06-01
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18366 , H01S3/0675 , H01S5/06256 , H01S5/3054
Abstract: A DBR(Distributed Bragg Reflector) in a vertical cavity surface emitting laser diode and a manufacturing method thereof, and a vertical cavity surface emitting laser diode are provided to obtain a high reflection factor without an optical loss of photons generated from an active layer by reducing an absorption band. In a DBR in a vertical cavity surface emitting laser diode, an InAlGaAs layer(341) has a predetermined reflection factor and is formed on an InP substrate. A first InAlAs layer(342) of a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(341) is formed on the InAlGaAs layer(341). An InP layer(343) of a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(341) is formed on the first InAlAs layer(342). A second InAlAs layer(344) of a lower reflection factor than the InAlGaAs layer(341) is formed on the InP layer(343).
Abstract translation: 提供了垂直腔表面发射激光二极管中的DBR（分布式布拉格反射器）及其制造方法，以及垂直腔表面发射激光二极管，以获得高反射系数，而不会通过减少从有源层产生的光子的光学损耗 吸收带。 在垂直腔表面发射激光二极管的DBR中，InAlGaAs层（341）具有预定的反射系数并形成在InP衬底上。 在InAlGaAs层（341）上形成比InAlGaAs层（341）低的反射系数的第一InAlAs层（342）。 在第一InAlAs层（342）上形成比InAlGaAs层（341）低的反射系数的InP层（343）。 在InP层（343）上形成比InAlGaAs层（341）低的反射系数的第二InAlAs层（344）。
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公开(公告)号：KR100576776B1
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040103665
申请日：2004-12-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: 본 발명은 가입자용이나 파장분할다중(WDM) 방식의 광통신 시스템에 사용되는 반도체 광소자의 제작 방법에 관한 것으로, 단일 활성층에 레이저 다이오드(Laser Diode; LD)와 반도체 광증폭기(Semiconductor Optical Amplifier; SOA)가 집적된다. 레이저 다이오드와 반도체 광증폭기는 서로 광학적으로 연결되며, 이온 주입에 의해 전기적으로 절연된다. 각각의 전극을 통해 독립적으로 전류를 주입하면 레이저 다이오드(LD)에서 생성된 광이 반도체 광증폭기(SOA)에 의해 증폭되기 때문에 발진개시전류가 낮고 출력광의 세기가 높다.
반도체 광증폭기, 레이저 다이오드, 전류차단층, 전류주입층, 이온주입Abstract translation: 激光二极管（LD）和半导体光放大器（SOA）用于单个有源层， 被集成。 激光二极管和半导体光放大器彼此光学连接并通过离子注入电绝缘。 当注入电流独立地通过每个电极为低时，振荡起动电流高时，由于在激光二极管（LD）产生的光由半导体光学放大器（SOA）放大的光的输出强度。
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