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公开(公告)号：KR1020020051290A
公开(公告)日：2002-06-28
申请号：KR1020000080895
申请日：2000-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: F04B53/1077 , F04B19/24 , F04B43/043
Abstract: PURPOSE: A thermal drive type micro pump and method for manufacturing the same is provided to easily manufacture the micro pump which is buried to the silicon substrate, by using a trench etching method and thermal oxidation characteristics of silicon. CONSTITUTION: A micro pump comprises a pump space area constituted by a main space area(150) and an auxiliary space area(160) which have trench structure formed by etching a silicon substrate(100) into a predetermined depth; flow channel areas(140a,140b,140c) formed at both sides of the pump space area; a fluid flow resistance plate(180) constituted by a silicon line formed by etching the silicon substrate, between the flow channel area(140a) and the main space area, wherein the fluid flow resistance plate guides, in one direction, the fluid being introduced into the flow channel area; inlet/outlet areas(170a,170b) formed at both ends of the flow channels; an outer wall film(300) bonded to the surface of the silicon substrate, and where only the inlet/outlet area are open; and a heater(400) arranged at the outer wall film in the main space area, and which raises pressure of the fluid filling the main space area.
Abstract translation: 目的：提供一种热驱型微型泵及其制造方法，通过使用沟槽蚀刻法和硅的热氧化特性，容易地制造埋入硅基板的微型泵。 构成：微泵包括由主空间区域（150）和辅助空间区域（160）构成的泵空间区域，其具有通过将硅衬底（100）蚀刻成预定深度形成的沟槽结构; 形成在泵空间区域的两侧的流路区域（140a，140b，140c） 在由流路区域（140a）和主空间区域之间通过蚀刻硅衬底形成的硅线构成的流体阻流板（180），其中流体阻力板在一个方向上引导流体被引入 进入流道区域; 形成在流路两端的入口/出口区域（170a，170b） 结合到硅衬底的表面的外壁膜（300），并且其中只有入口/出口区域是敞开的; 以及设置在主空间区域的外壁膜处的加热器（400），并且提高填充主空间区域的流体的压力。
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公开(公告)号：KR100277533B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980028947
申请日：1998-07-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78
Abstract: 본 발명은 니들(needle)형 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 미세 반도체 가공 기술을 이용하여 화학적으로 절대적인 전압을 결정하기 위한 기준 전극, 기준 전극에서 결정된 전압을 기준으로 하여 인가된 전압에 의해 동작하며, 실제적인 화학 반응이 일어나는 영역인 다수의 작업 전극, 작업 전극에 흐르는 전류의 절대량 변화를 측정하기 위한 카운터 전극, 기준 전극, 다수의 작업 전극, 카운터 전극에 각기 금속 배선을 통해 각기 전압을 공급하기 위한 전압 인가용 다수의 전극으로 이루어지며, 기준 전극, 다수의 작업 전극, 카운터 전극, 다수의 전압 인가용 전극 및 금속 배선은 니들형의 반도체 기판 상에 형성되는 니들형 센서 및 그 제조 방법을 제시한다.-
公开(公告)号：KR100256669B1
公开(公告)日：2000-05-15
申请号：KR1019970072835
申请日：1997-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/283
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/18 , C23C16/4481 , H01L21/76877
Abstract: PURPOSE: A CVD(chemical vapor deposition) device and a method of forming a copper layer are to control surface deposition using thermal energy, thereby obtaining a superior copper metallization. CONSTITUTION: Through an MFC(mass flow controller)(114), gas such as Ar, He, H2, N2 enter a vaporizer(112). A copper source is connected to a deposition path(200). A copper source vessel(111) contains the copper source. The copper source vessel is maintained on a room temperature. To obtain an optimal deposition characteristic, hydrogen is added to the deposition path. An inner wall of the deposition path and a gas injector(210) are preheated to prevent condensation of the copper. The deposition path is connected to a vacuum source. A deposition gas injected into the deposition path is excited by thermal energy. By this excitation, a copper film is extracted on a wafer and discharged to a gas discharge port(240).
Abstract translation: 目的：CVD（化学气相沉积）器件和形成铜层的方法是使用热能来控制表面沉积，从而获得优异的铜金属化。 构成：通过MFC（质量流量控制器）（114），诸如Ar，He，H 2，N 2的气体进入蒸发器（112）。 铜源连接到沉积路径（200）。 铜源容器（111）包含铜源。 铜源容器保持室温。 为了获得最佳的沉积特性，向沉积路径添加氢。 沉积路径的内壁和气体注入器（210）被预热以防止铜的冷凝。 沉积路径连接到真空源。 注入沉积路径的沉积气体被热能激发。 通过该激发，在晶片上提取铜膜并排出到排气口（240）。
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公开(公告)号：KR100250455B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019970071109
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A method for forming a method wire is provided to allow a copper thin film to be used as a metal wire layer. CONSTITUTION: A method for forming a method wire forms an interlayer dielectric(12) on a substrate(11) in which various components forming a semiconductor device are formed. A plasma sort clean process is performed to remove an impurity and an oxide. A refractory metal layer(13A) is deposited in a contact hole or a via hole formed in a selected region. The refractory metal layer(13A) is experienced by nitrogen process using a rapid thermal process under ammonia gas atmosphere to form an anti-diffusion film. A copper thin film for a metal wire is deposited on the anti-diffusion layer. The copper thin film is filled within the contact hole with a good coverage. The refractory metal layer(13A) is deposited in thickness of less 200 angstrom using titanium(Ti), tantalum(Ta) or tungsten(W), etc.
Abstract translation: 目的：提供一种形成方法线的方法，以使铜薄膜用作金属线层。 构成：形成方法线的方法在其上形成形成半导体器件的各种成分的衬底（11）上形成层间电介质（12）。 进行等离子体分离清洁处理以去除杂质和氧化物。 难熔金属层（13A）沉积在形成在选定区域中的接触孔或通孔中。 难熔金属层（13A）通过氮气法在氨气气氛下使用快速热处理来形成抗扩散膜。 用于金属线的铜薄膜沉积在反扩散层上。 铜薄膜填充在接触孔内，覆盖率好。 难熔金属层（13A）使用钛（Ti），钽（Ta）或钨（W）等沉积厚度小于200埃。
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公开(公告)号：KR100236984B1
公开(公告)日：2000-03-02
申请号：KR1019960069286
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 확산방지막의 방향성 확보에 의해 상부에 증착되는 금속배선의 배향성 개선으로 전자이주 특성을 개선하는 방법에 관한 것으로, 실리콘 기판위에 확산방지막 또는 seed layer를 열화학 증착 방법이나 스퍼터링, 또는 열변환 등의 방법으로 형성하는 경우, 기판에 직류정원 또는 RF(radio frequency) 바이어스를 인가하여 형성되는 확산방지막이 배향성을 갖도록 하거나 기 형성된 단원계, 이원계 또는 삼원계의 내화금속 및 내화금속 질화물의 플라즈마 처리에 의해 배향성을 확보하여 상부에 고배향의 배선금속이 증착되게 하는 방법이다. 본 발명에서 제시한 확산방지막의 배향성 개선에 의해 전자이주 특성이 우수한 금속배선 구조를 형성할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100243654B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960061702
申请日：1996-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/22
Abstract: 종래의 구리 유기금속 화학증착시 증착률이 높은 고온에서는 결정립의 과도한 성장에 따른 박막간의 연결성이 불량해져 비저항이 커지는 반면, 낮은 증착온도에서는 조밀한 미세구조로 낮은 비저항의 박막형성이 가능하나 증착률이 느리고, 또한 기판에 따라 그 증착 특성이 달라 양호한 박막 특성, 높은 증착률 및 우수한 매립 특성을 동시에 달성하기 어려운 문제점이 있었다. 본 발명에서는 낮은 출력의 전자빔의 이용과 기판 바이어스의 인가에 의해 공정가스를 효율적으로 여기할 수 있어 기판종류와 무관하게 우수한 특성을 가진 구리박막을 저온에서 높은 증착률로 증착할 수 있고, 또한 증착시 기판상에 반응종들의 표면이동도를 증가시킬 수 있어 미세패턴 상의 단차피복성과 매립특성을 향상시키는 구리박막의 유기금속 화학증착을 구현하고자 한다.
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公开(公告)号：KR100137593B1
公开(公告)日：1998-06-01
申请号：KR1019940028976
申请日：1994-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 본 발명 반도체 소자제조용 절연막을 제조하기 위한 장치에 관한 것으로 특히 산화막 성장속도를 빠르게 할 뿐만아니라 저온에서도 박막 균일도가 우수한 산화막을 형성하거나 저온에서 열처리를 하기 위한 오존고압 산화방법에 관한 것이다.
종래의 열산화 방법은 800℃이하의 온도에서 열산화막을 성장시킬 경우 너무 성장속도가 느리며 공정이 어렵고, 600℃이하의 저온절연막 방법은 실리콘 기판과 산화막 사이의 계면을 불균일하고 전기적인 특성과 박막의 균일도가 좋지 못한 문제점 등이 발생하였다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 공정가스로 오존(O
3 )과 산소를 사용하고 여기에 자외선을 조사하므로써 산화속도를 증가시키고 보다 낮은 온도에서 양질의 산화막이 성장되도록 한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970030291A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042072
申请日：1995-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/22
Abstract: 본 발명은 확산 장벽층 형성방법에 관한 것으로서, 소정 도전형의 확산영역이 형성된 실리콘기판 상에 상기 확산영역을 노출시키는 개구를 갖는 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 표면 및 측면과 상기 확산영역의 상부에 고융점 금속을 증착하여 금속막을 형성하는 공정과, 상기 금속층을 질소 또는 암모니아 분위기에서 제1 및 제2 급속 열처리 단계로 저저항층과 확산 장격층을 형성하는 공정을 구비한다. 따라서, 저저항층을 얇게 하면서 확산 방지층을 두껍게 형성할 수 있어 확산 방지 특성을 향상시키면서 반도체기판과 계면에서 스트레스를 감소시킬 수 있으며, 또한, 실리콘기판과 저저항층의 계면을 균일하게 하고 저저항층의 부피 변화를 감소시켜 접합 누설이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
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