태양 전지
    21.
    发明公开
    태양 전지 审中-实审
    太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020170100078A

    公开(公告)日:2017-09-04

    申请号:KR1020160021640

    申请日:2016-02-24

    Abstract: 본발명의실시예들에따른태양전지는, 기판상의후면전극, 상기후면전극상의, 갈륨(Ga)과인(In)을포함하는제 1 광흡수층, 상기제 1 광흡수층상의제 1 버퍼층, 상기제 1 버퍼층상의제 1 윈도우층, 상기제 1 윈도우층상의, 갈륨(Ga)을포함하는제 2 광흡수층, 상기제 2 흡수층상의제 2 버퍼층및 상기제 2 버퍼층상의제 2 윈도우층을포함하되, 상기제 1 광흡수층의 (Ga)/(Ga+In)의조성비는상기제 2 광흡수층의그것보다작다.

    Abstract translation: 根据本发明,背电极,光吸收层上的第一缓冲层的实施例中的太阳能电池,在基板上,其包括在背电极上的镓(Ga)过磷酸钙(In)的所述第一光吸收层,其特征在于 第一窗口层,所述第一缓冲层上的第一窗口的层,包括在所述第二缓冲层和第二光吸收层上的第二缓冲层上的第二窗口层,包括镓(Ga)的第二吸收层,该 第一光吸收层的(Ga)/(Ga + In)的组成比小于第二光吸收层的组成比。

    불순물 주입 장치 및 이를 이용한 N형 반도체 다이아몬드의 형성방법
    22.
    发明公开
    불순물 주입 장치 및 이를 이용한 N형 반도체 다이아몬드의 형성방법 审中-实审
    用于形成N型半导体金刚石的杂质注入设备和方法

    公开(公告)号:KR1020170097961A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:KR1020160019715

    申请日:2016-02-19

    Abstract: 불순물주입장치는그 내부에제공된고체물질을승화시켜소스가스를형성하는소스부, 상기소스부로부터이송된상기소스가스를해리하는가열부, 및상기해리된소스가스를대상막상으로분사하는토출부를포함한다. 상기토출부는제1 홀들을포함하는제1 분사유닛, 및제2 홀들을포함하고상기제1 분사유닛과중첩하도록제공되는제2 분사유닛을포함한다. 상기해리된소스가스는상기제1 홀들및 상기제2 홀들을통해상기대상막상으로분사되고, 상기제1 분사유닛이회전함에따라상기해리된소스가스의분사량이제어된다.

    Abstract translation: 掺杂装置,包括:用于目标膜喷涂到排出所述源气体解离确实yeolbu,并从光源单元供给的源气体的离解,源单元,以形成源气体转化设置在其中该固体材料 的。 喷射部分包括具有第一孔的第一喷射单元和具有第二孔并且设置为与第一喷射单元重叠的第二喷射单元。 离解的原料气体通过第一孔和第二孔注入靶膜,所述第一喷射单元使源气体的离解的喷射量是根据控制。

    세라믹 코팅층의 제조 방법
    23.
    发明公开
    세라믹 코팅층의 제조 방법 审中-实审
    一种陶瓷涂层的制作方法

    公开(公告)号:KR1020160024347A

    公开(公告)日:2016-03-04

    申请号:KR1020150074208

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 세라믹코팅층의제조방법은 ZnS렌즈상에아연(Zn) 및제1 분자구조의황(S)을제공하고, 아연(Zn)과제1 분자구조의황(S)을가열하는것을포함하고, 제1 분자구조의황(S)을제공하는것은황(S)을포함하는칼코겐소스를증발시켜서제2 분자구조의황(S)을형성하고, 제2 분자구조의황(S)을분해하여서제2 분자구조보다더 적은황(S) 원자들을포함하는분자구조인제1 분자구조의황(S)을형성하는것을포함한다.

    Abstract translation: 制造陶瓷涂层的方法包括在ZnS透镜上提供第一分子结构的锌(Zn)和硫(S)的步骤,以及加热第一分子结构中的锌(Zn)和硫(S)的步骤 分子结构。 提供第一分子结构的硫(S)的步骤包括通过蒸发包括硫(S)的硫族化物源和形成硫(S)的步骤,形成第二分子结构的硫(S)的步骤, 通过溶解第二分子结构的硫(S),包括比第二分子结构少的硫(S)原子的第一分子结构。 本发明的目的是提供在低温下形成陶瓷涂层的方法。

    칼코겐 기체 모니터링 장치
    24.
    发明公开
    칼코겐 기체 모니터링 장치 审中-实审
    CHALCOGEN气体监测装置

    公开(公告)号:KR1020150086750A

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:KR1020140006791

    申请日:2014-01-20

    Inventor: 조대형 정용덕

    Abstract: 본발명은칼코겐기체모니터링장치에관한것이다. 칼코겐기체모니터링장치는금속포일에칼코겐기체가접촉함에의해생성되는반응에따라저항변화를일으키는반응부, 저항변화에따른저항값을측정하는측정부, 저항값에따라칼코겐기체의존재여부와농도중 적어도하나를측정하는연산부, 및측정된결과를출력하는표시부를포함하고, 금속포일은칼코겐기체와의반응결과에따라교체되는것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种硫属元素气体监测装置。 硫属元素气体监测装置包括:反应单元,其根据由金属箔和硫属气体之间的接触产生的反应而引起电阻变化; 测量单元,其根据电阻变化测量电阻值; 计算单元,其根据所述电阻值测量所述硫族元素气体的存在与其浓度之间的至少一个; 以及输出测量结果的显示单元。 此外,根据与硫属元素气体的反应结果来替换金属箔。

    단일접합 CIGS(Cu(In,Ga)Se2)박막 태양전지 및 그 제조방법
    25.
    发明公开
    단일접합 CIGS(Cu(In,Ga)Se2)박막 태양전지 및 그 제조방법 有权
    使用单节CU(IN,GA)SE2的薄膜太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120047162A

    公开(公告)日:2012-05-11

    申请号:KR1020100108880

    申请日:2010-11-03

    Inventor: 정용덕 한원석

    Abstract: PURPOSE: A thin film solar cell using single junction CIGS(Cu(In,Ga)Se2) and a manufacturing method thereof are provided to preventing a surface and an interface due to the use of a buffer layer from being contaminated by providing a solar cell having a single-junction light absorption layer by using a P CIGS layer and a N CIGS layer. CONSTITUTION: A back electrode(2) is located on a substrate(1). A light absorption layer(3) is located on the back electrode. The light absorption layer is formed by bonding a P CIGS(Cu(In,Ga)Se2)(31) layer and a N CIGS(32) layer. A reflection barrier layer(4) is located on the light absorption layer. A grid electrode(5) is located on a side of the reflection barrier layer. A window layer(6) is located between the light absorption layer and the reflection barrier layer.

    Abstract translation: 目的:提供使用单结CIGS(Cu(In,Ga)Se2)的薄膜太阳能电池及其制造方法,以防止由于使用缓冲层而导致的表面和界面被提供太阳能电池 具有通过使用P CIGS层和N CIGS层的单结光吸收层。 构成:背面电极(2)位于基板(1)上。 光吸收层(3)位于背面电极上。 光吸收层通过键合P CIGS(Cu(In,Ga)Se2)(31)层和N CIGS(32)层而形成。 反射阻挡层(4)位于光吸收层上。 栅电极(5)位于反射阻挡层的一侧。 窗口层(6)位于光吸收层和反射阻挡层之间。

    다중 대역 신호 분리 변환 방법 및 장치
    26.
    发明授权
    다중 대역 신호 분리 변환 방법 및 장치 有权
    다중대역신호분리변환방법및장치

    公开(公告)号:KR100930585B1

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:KR1020070100496

    申请日:2007-10-05

    CPC classification number: H04B10/25759 H04W88/10

    Abstract: 본 발명은 외부로부터 수신되는 광신호를 전기신호로 변환하는 광전변환장치, 상기 변환된 전기신호를 주파수 대역에 따라 분리하는 제1 선택부, 상기 제1 선택부에서 분리된 신호 중 이동통신망 대역의 신호를 증폭하는 제1 이동 통신 대역 증폭기, 상기 제1 선택부에서 분리된 신호 중 기저대역 신호의 주파수를 광대역으로 상향하는 광대역 상향 변환기, 상기 광대역 상향 변환기에서 상향된 신호를 증폭하는 제1 광대역 증폭기 및 상기 광대역 증폭기 및 이동 통신 증폭기에서 증폭된 신호를 무선으로 송신하는 송신기를 포함하는 다중 대역 신호 분리 변환 장치를 제공할 수 있다.
    다중 대역, 광통신, 광대역 통신 변환

    Abstract translation: 提供了一种用于分离和转换多频带信号的方法和设备。 该装置包括:光电转换器,用于将外部接收的光信号转换为电信号;第一开关,用于将转换后的电信号按照频带分离成信号;第一移动通信带通放大器,用于放大移动通信网络信号 由第一开关分离的信号;宽带上变频器,用于将由第一开关分离的信号的基带信号上变频为宽带信号;第一宽带放大器,用于放大从宽带上变频器输出的宽带信号; 以及发射器,用于无线发射由第一移动通信带通放大器和第一宽带放大器放大的信号。

    광 모듈 및 광 모듈 패키지
    27.
    发明授权
    광 모듈 및 광 모듈 패키지 有权
    光模块和光模块封装

    公开(公告)号:KR100696205B1

    公开(公告)日:2007-03-20

    申请号:KR1020050078708

    申请日:2005-08-26

    Abstract: 본 발명은 고주파(RF) 신호를 광섬유를 통해 전송하는 ROF(Radio over Fiber) 방식의 통신 시스템에 사용되는 광 모듈에 관한 것으로, 광소자와, 외부회로로부터 입력되는 고주파 신호를 상기 광소자로 전달하기 위한 신호선과, 상기 신호선의 소정 부분에 형성되며 고주파 신호를 통과시키고 직류 성분을 차단하는 필터와, 상기 신호선과 독립적으로 위치하며 일단이 상기 광소자와 연결되는 저항을 포함하며, 상기 저항에 의해 상기 신호선에서 본 입력 임피던스가 정합되는 것을 특징으로 한다.
    상기 광소자의 동작을 위해 공급되는 바이어스 전압은 상기 광소자와 필터 사이의 신호선에 연결된 인덕터를 통해 인가되며, 이 때 상기 필터에 의해 바이어스 전압이 상기 외부회로로 전달되는 것이 차단된다. 상기 외부회로로부터 입력되는 고주파 신호를 증폭하기 위해 상기 외부회로와 상기 필터 사이에 증폭기가 연결될 수 있다.
    광 모듈, 광소자, 필터, 종단 저항, 임피던스 정합

    CIGS 태양전지
    30.
    发明公开
    CIGS 태양전지 审中-实审
    CIGS太阳能电池

    公开(公告)号:KR1020150092991A

    公开(公告)日:2015-08-17

    申请号:KR1020140013696

    申请日:2014-02-06

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/04

    Abstract: 본 발명은 태양전지를 개시한다. 태양전지는, 기판 상의 하부 전극 층과, 상기 하부 전극 층 상에 배치되고 제 1 에너지 밴드 갭을 갖는 광 흡수 층과, 상기 광 흡수 층 상에 배치되고 상기 제 1 에너지 밴드 갭보다 높은 제 2 에너지 밴드 갭을 갖는 상부 전극 층과, 상기 상부 전극 층과 상기 광 흡수 층 사이에 배치된 버퍼 층을 포함한다. 여기서, 상기 버퍼 층은 상기 제 1 에너지 밴드 갭과 제 2 에너지 밴드 갭 사이에서 연속적으로 변화되는 가변 에너지 밴드 갭을 갖는 ZnO
    1
    -
    x S
    x 를 포함하고, 상기 x의 값은 0.15 내지 0.9일 수 있다.

    Abstract translation: 在本发明中,公开了一种太阳能电池。 太阳能电池包括设置在基板上的下电极层; 光吸收层,其设置在下电极层上,具有第一能带隙; 布置在所述光吸收层上并具有比所述第一能带隙高的第二能带隙的上电极层; 以及布置在上电极层和光吸收层之间的缓冲层。 这里,缓冲层包括在第一能带隙和第二能带间隙之间连续变化的可变能带隙的ZnO_(1-x)S_x,其中x的值为0.15〜0.9。

Patent Agency Ranking