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公开(公告)号：KR101909959B1
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：KR1020160151791
申请日：2016-11-15
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본발명은플라즈마공정설비용코팅기재의부식촉진장치및 이를이용한신뢰성시험방법에관한것이다. 본발명은코팅기재의부식촉진장치및 코팅기재의신뢰성시험방법에관한것으로, 코팅기재를부식시킬수 있는부식촉진부를포함하여, 상기코팅기재를짧은시간내에부식시킬수 있으며, 이에따른오염입자발생량을측정함으로써, 상기코팅기재의부식특성을용이하게측정할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101414130B1
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：KR1020120011255
申请日：2012-02-03
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
Abstract: 본 발명은 수용된 액상의 전구체가 기화되는 전구체 용기, 상기 전구체 용기로부터 기화된 전구체가 공급되는 샘플링 모듈, 및 상기 전구체 용기로부터 기화된 전구체가 유입되어, 내부에 안착된 웨이퍼에 화학 증착 공정이 수행되는 반응기를 포함하되, 상기 전구체 용기에서 기화된 전구체는 선택적으로 상기 샘플링 용기 또는 상기 반응기로 공급되는 전구체 샘플링 장치를 개시한다.
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公开(公告)号：KR101339954B1
公开(公告)日：2013-12-10
申请号：KR1020110093655
申请日：2011-09-16
Applicant: 한국표준과학연구원
Abstract: 본 발명은 전해액을 수용하는 전해조와, 상기 전해액에 침지되는 금속모재의 일면이 상기 전해조의 바닥면과 마주보도록 고정하는 홀더와, 상기 전해조 내에 상기 금속모재와 이격 배치되는 불활성 금속과, 상기 금속모재와 상기 불활성 금속에 전압을 인가하는 전원부, 및 상기 금속모재의 타면에 초음파를 인가하는 초음파장치를 포함하는 산화피막 형성장치를 개시한다.
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公开(公告)号：KR1020130090146A
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020120011255
申请日：2012-02-03
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/205 , H01L21/67098 , H01L23/38
Abstract: PURPOSE: A precursor sampling device and a precursor sample analyzing method using the same are provided to accurately analyze a precursor sample by easily sampling an evaporated precursor. CONSTITUTION: A precursor is received at a liquid state and is evaporated in a precursor container (100). A sampling module (200) supplies the precursor. The evaporated precursor is inputted to a reactor (300). A chemical deposition process is performed on a wafer in the reactor.
Abstract translation: 目的：提供前体采样装置和使用其的前体样品分析方法，以通过容易地对蒸发的前体进行取样来精确地分析前体样品。 构成：以液体状态接收前体并在前体容器（100）中蒸发。 采样模块（200）供应前体。 将蒸发的前体输入反应器（300）。 在反应器中的晶片上进行化学沉积工艺。
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25.发明授权열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법 有权使用热电涂层的半导体器件，具有其的半导体存储器件，其制造方法及其电流控制方法
公开(公告)号：KR101146301B1
公开(公告)日：2012-05-21
申请号：KR1020100105849
申请日：2010-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의하면, 열전박막의 열에너지 변환 현상을 토대로 입력신호를 조절함으로써 전류 제어를 시도할 수 있는 새로운 형태의 반도체 소자를 제공할 수 있다. 이를 위해 특히, 본 발명의 일 실시예는 기판; 기판 상에 형성된 소스 전극; 기판 상에 형성된 드레인 전극; 및 기판 상에 소스 전극과 드레인 전극 사이로 형성되고, 인가되는 입력신호에 대응하여 열에너지를 생성하는 열전박막을 포함하는 게이트 전극;을 포함하고, 기판은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 생성된 열에너지에 기반하여 전류가 흐를 수 있는 전류 채널이 형성되는 것을 특징으로 하는 열전박막을 이용한 반도체 소자를 포함한다.
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Patent Agency Ranking26.发明公开열전박막을 이용한 반도체 소자, 이를 포함하는 반도체 메모리소자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 전류 제어방법 有权使用热电涂层的半导体器件，具有其的半导体存储器件，其制造方法及其电流控制方法
公开(公告)号：KR1020120044538A
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：KR1020100105849
申请日：2010-10-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L35/02
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device using a thermoelectric thin film, a semiconductor memory device including the same, a manufacturing method thereof, and a current controlling method using the same are provided to easily control a current flowing in a semiconductor substrate by controlling a frequency of an input signal in the thermoelectric thin film formed on the substrate. CONSTITUTION: A source electrode(110) and a drain electrode(120) are formed on a substrate(100). A gate electrode(130) including a thermoelectric thin film(132) is formed between the source electrode and the drain electrode. The thermoelectric thin film is directly contacted with a metal wire(134) and the substrate. The gate electrode includes a reaction preventing layer for reducing reaction with the substrate. A current channel is formed between the source electrode and the drain electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种使用热电薄膜的半导体器件，包括该半导体存储器件的半导体存储器件，其制造方法和使用该半导体存储器件的制造方法和电流控制方法，以通过控制半导体衬底的频率来容易地控制流过半导体衬底的电流 在基板上形成的热电薄膜中的输入信号。 构成：在基板（100）上形成源电极（110）和漏电极（120）。 在源电极和漏电极之间形成包括热电薄膜（132）的栅电极（130）。 热电薄膜与金属线（134）和基板直接接触。 栅电极包括用于减少与衬底的反应的反应防止层。 在源电极和漏电极之间形成电流通道。
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公开(公告)号：KR101126218B1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100039570
申请日：2010-04-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 반도체 기판에 절연층이 형성된 반도체 시료가 안착되는 고정판과, 상기 고정판과 이격 형성되고 상기 고정판과 마주보는 면에 하나 이상의 전극이 형성된 투명기판과, 상기 투명기판의 상부에서 광을 조사하는 광원과, 상기 반도체 시료와 상기 전극에 전압차를 발생시키는 전압원, 및 상기 반도체 시료와 전극 사이에 흐르는 전류를 측정하는 전류측정기를 포함하되,상기 전극은 상기 절연층에 형성된 복수 개의 핀홀과 각각 대응되는 크기로 형성되고 순차적으로 전원이 인가되는 반도체 표면 검사장치 및 이를 이용한 반도체 표면의 핀홀 검사방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체의 도핑 농도, 절연층의 결함 및 절연층에 형성된 핀홀의 유무에 대하여 신속하고 간편하게 검사가 가능하여 반도체 제조 공정 단계에서 반도체 소자의 불량 여부를 초기에 판단할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020090025823A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：KR1020070090955
申请日：2007-09-07
Applicant: 한국표준과학연구원
CPC classification number: G01L27/005
Abstract: A calibration/test device and method of a vacuum gauge are provided to calibrate the vacuum gauge of a vacuum system being in operation with a gauge correction device connected to the vacuum gauge. A calibration/test device of a vacuum gauge includes a vacuum valve(16) opening and closing pipelines(14,18) connecting the vacuum gauge(12) to be corrected and a vacuum system(10), and a gauge correction device(100) connected to the vacuum gauge. The gauge correction device comprises a reference vacuum gauge(110), a vacuum connection valve(170), a vacuum chamber(120), a gate valve(132), and an air escape(134) which are successively equipped in the vacuum gauge to be corrected, a gas source(150) for generating pressure in the vacuum chamber, a leak valve(160) which controls the gas flow within the gas source and supplies it to the vacuum chamber, and a vacuum gauge(140) for vacuum chamber for measuring the vacuum pressure within the vacuum chamber.
Abstract translation: 提供真空计的校准/测试装置和方法来校准真空系统的真空计，其中真空系统正在与连接到真空计的量规校正装置一起工作。 真空计的校准/测试装置包括：真空阀（16）连接要校正的真空计（12）和真空系统（10）的开启和关闭管道（14,18）以及量规校正装置（100） ）连接到真空计。 仪表校正装置包括依次装在真空计中的参考真空计（110），真空连接阀（170），真空室（120），闸阀（132）和排气口（134） 要被校正的气体源（150），用于在所述真空室中产生压力;泄漏阀（160），其控制所述气体源内的气体流并将其供应到所述真空室;以及真空计（140），用于真空 用于测量真空室内的真空压力的室。
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29.发明公开
公开(公告)号：KR1020010001128A
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR1019990020158
申请日：1999-06-02
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for measuring doping concentration and fine hole of semiconductor surface are provided so that a doping concentration and the existence of minute holes can be inspected without damage by using non-contacting type and non-destructive inspection. CONSTITUTION: A light beam condensing and irradiation unit condenses light(10) to an optical fiber and irradiates it to a semiconductor material(40) or a fine hole formed on an insulting layer of the semiconductor material(40). The light beam condensing and irradiation unit includes an optical fiber(32) for transmitting light; a light condenser(31) for condensing light to the optical fiber through an optical lens. An excited electron condensing and current producing unit includes an optical fiber probe electrode(33) formed by coating the remnant portion except for the opening portion of the optical fiber probe with metal, and a voltage supplier(50) for applying a voltage through a conduction line(51). A current measuring unit includes a SQUID(60), as a sensor for measuring magnetic filed, connected between the optical fiber probe electrode(33) and voltage supplier(50).
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量半导体表面的掺杂浓度和微孔的方法和装置，使得可以通过使用非接触型和非破坏性检查来不损害地检查掺杂浓度和存在微孔。 构成：光束聚光和照射单元将光（10）冷凝到光纤并将其照射到形成在半导体材料（40）的绝缘层上的半导体材料（40）或细孔中。 光束聚光和照射单元包括用于透射光的光纤（32）; 用于通过光学透镜将光聚光到光纤的光聚光器（31）。 激发的电子冷凝和电流产生单元包括通过用金属涂覆光纤探针的开口部分以外的剩余部分而形成的光纤探针电极（33），以及用于通过导电施加电压的电压供给器（50） 线（51）。 电流测量单元包括连接在光纤探针电极（33）和电压供应器（50）之间的用作测量磁场的传感器的SQUID（60）。
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公开(公告)号：KR102204607B1
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：KR1020180173328
申请日：2018-12-31
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L21/67 , C23C16/448
Abstract: 본발명은반도체제조공정에이용되는액상전구체의디개싱에관한것으로, 본발명에따르면, 디개싱(degassing)시킬액상전구체가수용되는수용공간을형성하는캐니스터; 상기캐니스터와진공라인을통해연결되고, 상기캐니스터에서상기액상전구체가수용된상기수용공간내에진공상태를설정하여주는진공펌프; 및상기캐니스터에장착되며, 상기액상전구체를상기수용공간내 빈공간인디개싱공간상에분산시켜주는분산수단; 을포함하므로, 액상전구체의디개싱(degassing)효율을증대시켜주며, 액상전구체의증기압에대한측정정확성을증진시켜줄수 있는기술이개시된다.
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