公开(公告)号：KR100582920B1

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：KR1020030071028

申请日：2003-10-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김창균 ,  김윤수 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  윤종욱

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 본 발명은 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따르면 자체 열분해가 가능한 아미노알콕시 금속 착화합물로부터 나노크기의 기공을 가지는 물질을 주형체로 사용하여 구리 및 니켈 금속 나노선 또는 나노막대를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100576932B1

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：KR1020030069585

申请日：2003-10-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  이영국 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  유승호 ,  성기환 ,  정영숙 ,  한기철

IPC: C07F15/04

Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 신규한 니켈 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 니켈 선구 물질은 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 자성 물질 박막의 증착 또는 여러 가지 합금의 증착에 니켈의 원료 물질로서 유용하게 사용할 수 있다:


상기 식에서, m은 1 내지 3 의 정수이고, n은 2 내지 4 의 정수이며, R 및 R'은 C
1 -C
4 의
선형 또는 분지형 알킬기이다.

公开(公告)号：KR100480756B1

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：KR1020020045746

申请日：2002-08-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  안기석 ,  이선숙 ,  정택모 ,  조원태 ,  성기환

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/403

Abstract: 본 발명은 산화알루미늄 박막 제조 방법에 관한 것으로서, a) 알루미늄 원으로서 알킬산디알킬알루미늄을 증착 반응기에 공급하여 기질 상에 알루미늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계; b) 미반응 알루미늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 반응기에 산소 원을 공급하여 알루미늄 함유 화학종이 흡착된 기질 상에 산소 함유 화학종을 흡착시키는 단계; 및 d) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의하면 기존의 원자층 증착법에 비해 온화한 공정 조건에서 양호한 품질의 산화알루미늄 박막을 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040012257A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：KR1020020045746

申请日：2002-08-02

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  안기석 ,  이선숙 ,  정택모 ,  조원태 ,  성기환

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/403

Abstract: PURPOSE: Provided is a process for preparing an aluminum oxide thin film of good quality under the mild process conditions in comparison with conventional atom layer deposition method. CONSTITUTION: The process comprises the steps of introducing alkyl acid dialkylaluminum as aluminum source into a deposition chamber to adsorb an aluminum contained chemical species on a substrate; removing the unreacted aluminum source and byproducts from the chamber; introducing an oxygen source into the deposition chamber to adsorb an oxygen contained chemical species on the substrate; and removing the unreacted oxygen source and byproducts from the chamber.

Abstract translation: 目的：提供与常规原子层沉积法相比，在温和的工艺条件下制备质量好的氧化铝薄膜的方法。 构成：该方法包括将作为铝源的烷基酸二烷基铝引入沉积室以将含铝化学物质吸附在基底上的步骤; 从室中除去未反应的铝源和副产物; 将氧源引入所述沉积室以将含氧化学物质吸附在所述基底上; 并从室中除去未反应的氧源和副产物。