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    METHOD AND DEVICE FOR FLOWING A LIQUID ON A SURFACE
    21.
    发明专利
    METHOD AND DEVICE FOR FLOWING A LIQUID ON A SURFACE 未知

    公开(公告)号：AU2003283627A1

    公开(公告)日：2004-06-23

    申请号：AU2003283627

    申请日：2003-11-13

    Applicant: IBM

    Inventor： DELAMARCHE EMMANUEL ,  JUNCKER DAVID ,  MICHEL BRUNO ,  SCHMID HEINZ

    IPC: B01J19/00 ,  B01L3/00 ,  B01L3/02 ,  B05C5/02 ,  C40B60/14

    Abstract: A device for flowing a liquid on a surface comprises: a flow path. A first port supplies the liquid to one end of the flow path and applies a first port pressure for retaining the liquid when the flow path is remote from the surface. A second port receives the liquid from the other end of the flow path and applies a second port pressure such that the difference between the first and second negative port pressures is oriented to promote flow of the liquid from the first port to the second port via the flow path in response to the flow path being located proximal to the surface and the liquid in the device contacting the surface. The first and second port pressures are such that the liquid is drawn towards at least the second port in response to withdrawal of the flow path from the surface. Such devices may employ microfluidic technology and find application in surface patterning.

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE3887891T2

    公开(公告)日：1994-08-11

    申请号：DE3887891

    申请日：1988-11-01

    Applicant: IBM

    Inventor： FINK HANS-WERNER DR ,  MORIN ROGER DR ,  SCHMID HEINZ ,  STOCKER WERNER

    IPC: H01J27/26 ,  G01Q40/02 ,  G01Q70/12 ,  G01Q70/16 ,  G01Q90/00 ,  H01J1/304 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08

    Abstract: This source for charged particles comprises a sharply pointed tip (1) and an aperture (2) in a thin sheet of material. If the point of the tip (1) is made sharp enough, i.e., if it ends in a single atom or a trimer of atoms, the electric field existing between the tip (1) and the aperture (2) will cause a stream of electrons to be emitted from the tip (1), pass the aperture (2) and to continue as a beam (4) of free electroms beyond said aperture (2). The sheet (3) carrying the aperture (2) may, for example, be a carbon foil or a metallic foil, including gold. The distance of the tip (1) from the aperture (2) is in the submicron range, and so is the diameter of said aperture (2). The distance is being held essentially constant by means of a feedback loop system. The divergence of the beam (4) is

    Halbleiter-Nanodraht-Herstellung
    25.
    发明专利
    Halbleiter-Nanodraht-Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112014004901T5

    公开(公告)日：2016-07-28

    申请号：DE112014004901

    申请日：2014-12-08

    Applicant: IBM

    Inventor： RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ ,  BORG MATTIAS BENGT ,  MOSELUND KIRSTEN EMILIE

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

    Abstract: Es werden Verfahren für ein Herstellen von Halbleiter-Nanodrähten 12, 40, 41, 45, 57 auf einem Substrat 1, 20, 50 bereitgestellt. Auf dem Substrat wird ein Nanodraht-Templat 3, 6; 22, 24; 31, 32 gebildet. Das Nanodraht-Templat definiert einen langgestreckten Tunnel 8, 26, 33, der sich lateral über dem Substrat zwischen einer Öffnung 7, 25 in dem Templat und einer Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 erstreckt. Die Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist zu dem Tunnel hin freigelegt und weist eine Fläche von bis zu etwa 2 × 104 nm2 auf. Der Halbleiter-Nanodraht wird über die Öffnung selektiv von der Kristallkeim-Oberfläche aus in dem Templat aufgewachsen. Die Fläche der Kristallkeim-Oberfläche 10, 27, 34 ist bevorzugt derart, dass sich das Aufwachsen des Nanodrahts von einem einzigen Nukleationspunkt auf der Kristallkeim-Oberfläche aus fortsetzt.

    Verfahren und Einheit zur Herstellung eines monokristallinen Blatts
    26.
    发明专利
    Verfahren und Einheit zur Herstellung eines monokristallinen Blatts 未知

    公开(公告)号：DE112011100856B4

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：DE112011100856

    申请日：2011-05-23

    Applicant: IBM

    Inventor： BJOERK MIKAEL T ,  RIEL HEIKE E ,  SCHMID HEINZ

    IPC: C30B11/10 ,  C30B11/12 ,  C30B13/18 ,  C30B15/08 ,  H01L31/18

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Blatts (11) eines Halbleitermaterials, wobei das Halbleitermaterial ein elementares Halbleitermaterial ist, welches das Folgende umfasst: Bereitstellen von mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2), welche zwischen sich eine Lücke (3) bilden; Bereitstellen einer geschmolzenen Legierung (4), welche das Halbleitermaterial umfasst, in der Lücke (3) zwischen den mindestens zwei Öffnungselementen (1, 2); Bereitstellen eines gasförmigen Vorstufenmediums (5), welches das Halbleitermaterial liefert, in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); Bereitstellen eines Keimkristalls (6) des Halbleitermaterials in Nachbarschaft der geschmolzenen Legierung (4); In-Kontakt-Bringen des Keimkristalls (6) mit der geschmolzenen Legierung (4); Anordnen der Öffnungselemente (1, 2) und der geschmolzenen Legierung (4) derart, dass die geschmolzene Legierung (4) durch die Oberflächenspannung zwischen den Öffnungselementen (1, 2) gehalten wird; allmähliches Zurückziehen des Keimkristalls (6) aus der geschmolzenen Legierung (4), wobei das Halbleitermaterial aus dem gasförmigen Vorstufenmedium (5), welches das Halbleitermaterial umfasst, in die geschmolzene Legierung (4) freigesetzt wird, wodurch die geschmolzene Legierung (4) mit dem Halbleitermaterial übersättigt wird.

    28.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE69724159T2

    公开(公告)日：2004-05-06

    申请号：DE69724159

    申请日：1997-09-19

    Applicant: IBM

    Inventor： BIEBUYCK HANS ,  MICHEL BRUNO ,  SCHMID HEINZ

    IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

    Abstract: Optical lithography scheme making use of light coupling structures, and elastomeric light coupling structures in particular. These light coupling structures comprise protruding portions and connecting portions. The protruding elements are designed to be brought into conformal contact with a resist to be exposed such that the light guided into the protruding elements is coupled from there directly into the resist. The lateral shape and size of the protruding elements defines 1:1 the lateral size and shape of small features to be exposed in the resist.

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