公开(公告)号：GB2509683B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：GB201408711

申请日：2012-08-03

Applicant: IBM

Inventor： COONEY EDWARD C ,  DUNN JAMES S ,  MARTIN DALE W ,  MUSANTE CHARLES F ,  RAINEY BETH-ANN ,  SHI LEATHEN ,  SPROGIS EDMUND J ,  TSANG CORNELIA K

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

公开(公告)号：DE112010004326T5

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE112010004326

申请日：2010-11-09

Applicant: IBM

Inventor： MCALLISTER MICHAEL F ,  SHAPIRO MICHAEL J ,  KIM TAE HONG ,  SPROGIS EDMUND J

IPC: H01L27/08 ,  H01L23/522 ,  H01L25/04

Abstract: Bei einem Kondensator (180) in einem Halbleitersubstrat (10) wird eine leitfähige Durchkontaktierung durch das Substrat (Through-Substrate Via, TSV) (80) als eine innere Elektrode und eine säulenförmige dotierte Halbleiterzone als eine äußere Elektrode verwendet. Der Kondensator (80) stellt eine große Entkopplungskapazität auf einer kleinen Fläche bereit und beeinflusst nicht die Schaltungsdichte oder einen 3DSi-Strukturentwurf. In dem Halbleitersubstrat (10) können weitere leitfähige TSVs bereitgestellt sein, um für eine elektrische Verbindung für Stromversorgungen und eine Signalübertragung durch dieses hindurch zu sorgen. Der Kondensator (180) weist eine niedrigere Induktivität als ein herkömmliches Kondensatorfeld mit vergleichbarer Kapazität auf, wodurch in dem Stromversorgungssystem gestapelter Halbleiterchips eine Verringerung des Hochfrequenzrauschens ermöglicht wird.

公开(公告)号：CA1264868A

公开(公告)日：1990-01-23

申请号：CA562614

申请日：1988-03-28

Applicant: IBM

Inventor： SPROGIS EDMUND J

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/02 ,  G01R31/28 ,  G11C29/24 ,  G11C7/00 ,  G01R31/00

Abstract: A semiconductor-processing defect monitor construction for diagnosing processing-induced defects. The semiconductor-processing defect monitor utilizes an array layout and includes continuity defect monitoring structures and short-circuit defect monitoring structures. Once a defect has been indicated by a testing operation, the array layout associated with the defect monitor can be used quickly to determine the approximate location of the known defect, thereby facilitating prompt visual observation of the known defect and, thus, prompt determination of the appropriate corrective action to be applied before substantial continued manufacturing has occurred.