公开(公告)号：DE102021132174A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102021132174

申请日：2021-12-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  ELPELT RUDOLF ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/161 ,  H01L29/80

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält: ein SiC-Substrat (102); eine Vorrichtungsstruktur in oder auf dem SiC-Substrat (102), das während eines Betriebs der Halbleitervorrichtung einem elektrischen Feld ausgesetzt ist; ein Stromleitungsgebiet (122) eines ersten Leitfähigkeitstyps im SiC-Substrat (102), das an die Vorrichtungsstruktur grenzt; und ein Abschirmgebiet (124) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, das dem Stromleitungsgebiet (122) lateral benachbart und dafür konfiguriert ist, die Vorrichtungsstruktur zumindest teilweise von dem elektrischen Feld abzuschirmen. Das Abschirmgebiet (124) weist eine höhere Netto-Dotierungskonzentration als das Stromleitungsgebiet (122) auf und hat eine Länge (L), die von einer ersten Position, die einer Unterseite der Vorrichtungsstruktur entspricht, bis zu einer zweiten Position gemessen wird, die einer Unterseite des Abschirmgebiets (124) entspricht. Das Stromleitungsgebiet (122) weist eine Breite (d) auf, die zwischen gegenüberliegenden lateralen Seiten des Stromleitungsgebiets (122) gemessen wird, und L/d liegt in einem Bereich von 1 bis 10.

公开(公告)号：DE102021120722A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102021120722

申请日：2021-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELL MICHAEL ,  ELPELT RUDOLF ,  LEENDERTZ CASPAR

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform eines Halbleiterbauelements enthält das Bauelement: mehrere in einem Halbleitersubstrat ausgebildete Bauelementzellen, wobei jede Bauelementzelle eine Transistorstruktur und eine Schottky-Dioden-Struktur enthält; und eine Superjunction-Struktur, die abwechselnde Gebiete eines ersten Leitfähigkeitstyps und eines zweiten Leitfähigkeitstyps, die in dem Halbleitersubstrat ausgebildet sind, enthält. Für jede Transistorstruktur sind ein Kanalgebiet der Transistorstruktur und ein Schottky-Metallgebiet einer benachbarten der Schottky-Dioden-Strukturen durch Halbleitermaterial vom ersten Leitfähigkeitstyp ohne Unterbrechung durch eines der Gebiete vom zweiten Leitfähigkeitstyp der Superjunction-Struktur miteinander verbunden, wobei das Halbleitermaterial vom ersten Leitfähigkeitstyp eines oder mehr der Gebiete vom ersten Leitfähigkeitstyp der Superjunction-Struktur enthält.

公开(公告)号：DE102019129545A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102019129545

申请日：2019-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ELLINGHAUS PAUL ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GRASSE FLORIAN ,  LEENDERTZ CASPAR ,  NIU SHIQUIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst die Vorrichtung (100) Gategräben (104), die in einem SiC-Substrat (102) ausgebildet sind und sich der Länge nach parallel in einer ersten Richtung (x1) erstrecken. Reihen von Sourcegebieten (114) eines ersten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet und erstrecken sich der Länge nach parallel in einer zweiten Richtung (x2), die zur ersten Richtung (x1) quer ist. Reihen von Bodygebieten (120) eines dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps sind im SiC-Substrat (102) unter den Reihen von Sourcegebieten (114) ausgebildet. Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet. Die Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) erstrecken sich der Länge nach parallel in der zweiten Richtung (x2). Erste Abschirmgebiete (138) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) tiefer als die Reihen der Bodygebiete (120) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102017125244B3

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017125244

申请日：2017-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  ELPELT RUDOLF ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/308 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Driftzone, die in einem Halbleiterbereich ausgebildet ist. In einem Übergangsabschnitt des Halbleiterbereichs nimmt eine vertikale Ausdehnung des Halbleiterbereichs von einer ersten vertikalen Ausdehnung auf eine zweite vertikale Ausdehnung ab. Eine Junction-Abschlusszone eines Leitfähigkeitstyps, der zu einem Leitfähigkeitstyp der Driftzone komplementär ist, ist zwischen einer ersten Oberfläche des Halbleiterbereichs und der Driftzone ausgebildet und enthält einen sich verjüngenden Bereich im Übergangsabschnitt. In dem sich verjüngenden Bereich nimmt eine vertikale Ausdehnung der Junction-Abschlusszone von einer maximalen vertikalen Ausdehnung innerhalb einer lateralen Breite von zumindest der doppelten maximalen vertikalen Ausdehnung auf Null ab.

公开(公告)号：DE102015114429B4

公开(公告)日：2017-05-11

申请号：DE102015114429

申请日：2015-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN

IPC: H01J37/09 ,  A61N5/10 ,  G21K1/04 ,  G21K1/10 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L29/06

Abstract: Strahlmodifikatorvorrichtung (700), umfassend: streuende Teilbereiche (720), in welchen vertikal auf eine Belichtungsoberfläche (701) der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) auftreffende Partikel von einer vertikalen Richtung abgelenkt sind, wobei die streuenden Teilbereiche (720) Dellen (721) aufweisen, die durch Vorsprünge (722) getrennt sind; abschattende Teilbereiche (710), die keine Dellen (721) aufweisen und in welchen eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel niedriger ist als in den streuenden Teilbereichen (720) und wobei die abschattenden und streuenden Teilbereiche (710, 720) sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701) abwechseln und ein Flächenverhältnis der abschattenden Teilbereiche (710) zu den streuenden Teilbereichen (720) längs der lateralen Richtung variiert, wobei in der Strahlmodifikatorvorrichtung (700) eine gesamte Durchlässigkeit für die Partikel sich längs einer lateralen Richtung parallel zu der Belichtungsoberfläche (701) verändert.

公开(公告)号：DE102015113493A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：DE102015113493

申请日：2015-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  ELPELT RUDOLF ,  BERGNER WOLFGANG ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/687

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Gate-Graben-Struktur einer Feldeffekttransistorstruktur, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Abschirmungsdotierungsregion, die benachbart zu der Gate-Graben-Struktur angeordnet ist. Die Abschirmungsdotierungsregion weist eine Nettodotierungskonzentration von weniger als 2·1017 Dotierstoffatomen pro cm3 auf. Die Abschirmungsdotierungsregion erstreckt sich von einer ersten Seitenwand der Gate-Graben-Struktur und entlang einem Boden der Gate-Graben-Struktur in Richtung einer zweiten Seitenwand der Gate-Graben-Struktur.