公开(公告)号：DE102018127797A1

公开(公告)日：2020-05-07

申请号：DE102018127797

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSE FLORIAN ,  ENGLERT BARBARA ,  BERGNER WOLFGANG ,  STRENGER CHRISTIAN ,  BAIER AXEL SASCHA

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/49

Abstract: Ein Siliziumcarbid-Körper (100) umfasst eine Driftstruktur (130) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, ein Bodygebiet (120) und ein Abschirmgebiet (140). Das Bodygebiet (120) und das Abschirmgebiet (140) weisen einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf und sind zwischen der Driftstruktur (130) und einer ersten Oberfläche (101) des Siliziumcarbid-Körpers (100) gelegen. Ein erster und ein zweiter Graben-Gatestreifen (150) erstrecken sich in den Siliziumcarbid-Körper (100). Das Bodygebiet (120) ist mit einer ersten Seitenwand (151) des ersten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt. Das Abschirmgebiet (140) ist mit einer zweiten Seitenwand (152) des zweiten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt. Die zweite Seitenwand (152) hat eine erste Länge (L1) in einer laterlaen ersten Richtung (291) parallel zur ersten Oberfläche (101). Ein Ergänzungsgebiet (170) des ersten Leitfähigkeitstyps ist mit einer oder mehreren Grenzflächenzonen (175) der zweiten Seitenwand (152) in Kontakt. Die eine oder mehreren Grenzflächenzonen (175) haben eine kombinierte zweite Länge (L2+ L2+ ... + L2) entlang der ersten Richtung (291) . Die zweite Länge (L2) beträgt höchstens 40 % der ersten Länge (L1) .

公开(公告)号：DE102019100130B4

公开(公告)日：2021-11-04

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200) umfassend:eine Kontaktmetallisierungsschicht (120), die auf einem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist;eine anorganische Passivierungsstruktur (130), die auf dem Halbleitersubstrat (110) angeordnet ist; undeine organische Passivierungsschicht (140), wobei ein erster Teil der organischen Passivierungsschicht (140) lateral zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht (120) und der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, sodass die Kontaktmetallisierungsschicht (120) und die anorganische Passivierungsstruktur (130) voneinander beabstandet sind, und ein zweiter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur (130) positioniert ist, und wobei der erste Teil der organischen Passivierungsschicht vertikal näher an dem Halbleitersubstrat (110) positioniert ist als der zweite Teil der organischen Passivierungsschicht, wobei ein dritter Teil der organischen Passivierungsschicht (140) oben auf der Kontaktmetallisierungsschicht (120) positioniert ist.

公开(公告)号：DE102019129545A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102019129545

申请日：2019-10-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ELLINGHAUS PAUL ,  ELPELT RUDOLF ,  ESTEVE ROMAIN ,  GRASSE FLORIAN ,  LEENDERTZ CASPAR ,  NIU SHIQUIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst die Vorrichtung (100) Gategräben (104), die in einem SiC-Substrat (102) ausgebildet sind und sich der Länge nach parallel in einer ersten Richtung (x1) erstrecken. Reihen von Sourcegebieten (114) eines ersten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet und erstrecken sich der Länge nach parallel in einer zweiten Richtung (x2), die zur ersten Richtung (x1) quer ist. Reihen von Bodygebieten (120) eines dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps sind im SiC-Substrat (102) unter den Reihen von Sourcegebieten (114) ausgebildet. Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) ausgebildet. Die Reihen von Body-Kontaktgebieten (130) erstrecken sich der Länge nach parallel in der zweiten Richtung (x2). Erste Abschirmgebiete (138) des zweiten Leitfähigkeitstyps sind in dem SiC-Substrat (102) tiefer als die Reihen der Bodygebiete (120) ausgebildet.

公开(公告)号：DE102018127797B4

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102018127797

申请日：2018-11-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRASSE FLORIAN ,  ENGLERT BARBARA ,  BERGNER WOLFGANG ,  STRENGER CHRISTIAN ,  BAIER AXEL SASCHA

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/49

Abstract: Halbleitervorrichtung, aufweisend:einen Siliziumcarbid-Körper (100), der eine Driftstruktur (130) mit einem ersten Leitfähigkeitstyp, ein Bodygebiet (120) und ein Abschirmgebiet (140) aufweist, wobei das Bodygebiet (120) und das Abschirmgebiet (140) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweisen und zwischen der Driftstruktur (130) und einer ersten Oberfläche (101) des Siliziumcarbid-Körpers (100) gelegen sind;einen ersten und einen zweiten Graben-Gatestreifen (150), die sich in den Siliziumcarbid-Körper (100) erstrecken, wobei das Bodygebiet (120) mit einer ersten Seitenwand (151) des ersten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt ist und das Abschirmgebiet (140) mit einer zweiten Seitenwand (152) des zweiten Graben-Gatestreifens (150) in Kontakt ist; wobei die zweite Seitenwand (152) eine erste Länge (L1) in einer ersten Richtung (291) parallel zur ersten Oberfläche (101) aufweist; undein Ergänzungsgebiet (170) des ersten Leitfähigkeitstyps, wobei das Ergänzungsgebiet (170) mit einer oder mehreren Grenzflächenzonen (175) der zweiten Seitenwand (152) in Kontakt ist,wobei die eine oder mehreren Grenzflächenzonen (175) eine kombinierte zweite Länge (L21+ L22+ ... + L2n) entlang der ersten Richtung (291) aufweisen, wobei die zweite Länge (L2) höchstens 40% der ersten Länge (L1) beträgt.

公开(公告)号：DE102019100130A1

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：DE102019100130

申请日：2019-01-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  HILSENBECK JOCHEN ,  KRAMP STEFAN ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  GAISBERGER RICHARD ,  GRASSE FLORIAN ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  KRIVEC STEFAN ,  LUPINA GRZEGORZ ,  NARAHASHI HIROSHI ,  VOERCKEL ANDREAS ,  WOEHLERT STEFAN

IPC: H01L23/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L29/06 ,  H01L29/43

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Kontaktmetallisierungsschicht, die auf einem Halbleitersubstrat angeordnet ist, eine anorganische Passivierungsstruktur, die auf dem Halbleitersubstrat angeordnet ist, und eine organische Passivierungsschicht. Die organische Passivierungsschicht, die zwischen der Kontaktmetallisierungsschicht und der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist, ist vertikal näher an dem Halbleitersubstrat positioniert als ein Teil der organischen Passivierungsschicht, die oben auf der anorganischen Passivierungsstruktur positioniert ist.