公开(公告)号：DE102018114664A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018114664

申请日：2018-06-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ELPELT RUDOLF ,  ZIPPELIUS BERND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  RUPP ROLAND

IPC: H01L21/328 ,  H01L23/62 ,  H01L29/16

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Vorsehen eines Retikels (400), das zumindest zwei erste Gebiete (411) und ein zweites Gebiet (412) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) aufweist. Jedes der ersten Gebiete (411) enthält erste opake Flächen (431) und erste transparente Flächen (411). Ein lateraler Abstand (d0) zwischen den beiden ersten Gebieten (411) ist größer als eine Breite (w1) jeder der ersten opaken Flächen (431). Ein Siliziumcarbidsubstrat (700) und eine lichtempfindliche Schicht (300) werden auf einer Hauptoberfläche (701) des Siliziumcarbidsubstrats (700) vorgesehen. Die lichtempfindliche Schicht (300) wird einer Belichtungsstrahlung (820) ausgesetzt, die das Retikel (400) passiert, wobei Teile (825) der Belichtungsstrahlung, die durch benachbarte erste transparente Flächen (441) hindurchgehen, überlappende Flächen (301) der lichtempfindlichen Schicht (300) belichten.

公开(公告)号：DE102015121566B4

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：DE102015121566

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  KONRATH JENS ,  BERGNER WOLFGANG ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/80

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 120, 130, 140, 150, 160, 210, 220, 230, 240, 250, 260, 270), umfassend:eine Mehrzahl von Drift-Regionen (101) einer Mehrzahl von Feldeffekttransistorstrukturen, die in einem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Drift-Regionen (101) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine Mehrzahl von Kompensationsregionen (103), die in dem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet sind, wobei die Mehrzahl von Kompensationsregionen (103) einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei jede Drift-Region (101) aus der Mehrzahl von Drift-Regionen (101) benachbart zu zumindest einer Kompensationsregion (103) aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen (103) angeordnet ist; undzumindest eine Schottky-Diodenstruktur oder gategesteuerte Metall-Isolation-Halbleiter-Diodenstruktur (104), die an dem Siliziumcarbidsubstrat (102) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102018123596A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102018123596

申请日：2018-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELPELT RUDOLF ,  RUPP ROLAND ,  ZIPPELIUS BERND ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  SCHÖRNER REINHOLD

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L29/78

Abstract: In Abschlussgebieten eines Siliziumcarbidsubstrats werden Feldzonen mittels Ionenimplantation ausgebildet, wobei durch laterales Modulieren einer Verteilung von Dotierstoffen, die über die Ionenimplantation in das Siliziumcarbidsubstrat eindringen, eine horizontale Netto-Dotierstoffverteilung in den Feldzonen so eingerichtet wird, dass sie von einer maximalen Netto-Dotierstoffkonzentration Nmax innerhalb von zumindest 200 nm auf Nmax/e zu fallen, wobei e die Eulersche Zahl repräsentiert. Die Feldzonen bilden erste pn-Übergänge mit einer Driftschicht.

公开(公告)号：DE102018106992B3

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE102018106992

申请日：2018-03-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  SCHÖRNER REINHOLD

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: In einem SiC Halbleiterkörper (100) eines Halbleiterbauelements (500) ist eine Driftstruktur (130) mit einer Driftzone (131) von einem ersten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Transistorzellen (TC) weisen in dem SiC Halbleiterkörper (100) jeweils ein Dotiergebiet (120) und ein Sourcegebiet (110) auf. Das Dotiergebiet (120) bildet einen ersten pn-Übergang (pn1) mit der Driftstruktur (130) und einen zweiten pn-Übergang (pn2) mit dem Sourcegebiet (110) aus und ist mit einer ersten Lastelektrode (310) elektrisch verbunden. Zwischen den Transistorzellen (TC) und einer Seitenfläche (103) des SiC Halbleiterkörpers (100) ist ein Diodengebiet (220) ausgebildet. Das Diodengebiet (220) ist mit der ersten Lastelektrode (310) elektrisch verbunden und bildet einen dritten pn-Übergang (pn3) mit der Driftstruktur (130) aus. Eine Emittereffizienz des Diodengebiets (220) ist höher als eine Emittereffizienz des Dotiergebiets (120).

公开(公告)号：DE102015121566A1

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：DE102015121566

申请日：2015-12-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  MAUDER ANTON ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  KONRATH JENS ,  PETERS DETHARD

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161 ,  H01L29/739 ,  H01L29/80

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Mehrzahl von Drift-Regionen einer Mehrzahl von Feldeffekttransistorstrukturen, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Die Mehrzahl von Drift-Regionen weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Mehrzahl von Kompensationsregionen, die in dem Halbleitersubstrat angeordnet sind. Die Mehrzahl von Kompensationsregionen weist einen zweiten Leitfähigkeitstyp auf. Jede Drift-Region aus der Mehrzahl von Drift-Regionen ist benachbart zu zumindest einer Kompensationsregion aus der Mehrzahl von Kompensationsregionen angeordnet. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner zumindest eine Schottky-Diodenstruktur oder gategesteuerte Metall-Isolation-Halbleiter-Diodenstruktur, die an dem Halbleitersubstrat angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102017125244B3

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：DE102017125244

申请日：2017-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHÖRNER REINHOLD ,  ELPELT RUDOLF ,  WEHRHAHN-KILIAN LARISSA ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/308 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Driftzone, die in einem Halbleiterbereich ausgebildet ist. In einem Übergangsabschnitt des Halbleiterbereichs nimmt eine vertikale Ausdehnung des Halbleiterbereichs von einer ersten vertikalen Ausdehnung auf eine zweite vertikale Ausdehnung ab. Eine Junction-Abschlusszone eines Leitfähigkeitstyps, der zu einem Leitfähigkeitstyp der Driftzone komplementär ist, ist zwischen einer ersten Oberfläche des Halbleiterbereichs und der Driftzone ausgebildet und enthält einen sich verjüngenden Bereich im Übergangsabschnitt. In dem sich verjüngenden Bereich nimmt eine vertikale Ausdehnung der Junction-Abschlusszone von einer maximalen vertikalen Ausdehnung innerhalb einer lateralen Breite von zumindest der doppelten maximalen vertikalen Ausdehnung auf Null ab.

公开(公告)号：DE102015122020A1

公开(公告)日：2016-06-23

申请号：DE102015122020

申请日：2015-12-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHÖRNER REINHOLD

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/161 ,  H01L29/872

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Einbringen von Stickstoff in eine Metallschicht (131) oder in eine Metallnitridschicht (130), wobei die Metallschicht (131) oder die Metallnitridschicht (130) in Kontakt mit einem Halbleitermaterial (100) gebildet sind. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitermaterial (100) und eine Metallnitridschicht (130) in Kontakt mit dem Halbleitermaterial (100). Das Metallnitrid hat einen Stickstoffgehalt größer als eine Lösbarkeitsgrenze von Stickstoff in dem Metallnitrid.