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    23.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004043663B4

    公开(公告)日：2006-06-08

    申请号：DE102004043663

    申请日：2004-09-07

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER MICHAEL ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG ,  HAIMERL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

    IPC: H01L23/04 ,  G01L9/00

    Abstract: A semiconductor device and method is disclosed. In one embodiment, the semiconductor device includes a cavity housing and a sensor chip. In one embodiment, the cavity housing has an opening to the surroundings. The sensor region of the sensor chip faces said opening. The sensor chip is mechanically decoupled from the cavity housing. In one embodiment, the sensor chip is embedded into a rubber-elastic composition on all sides in the cavity of the cavity housing.

    24.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004047510A1

    公开(公告)日：2006-04-13

    申请号：DE102004047510

    申请日：2004-09-28

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MAHLER JOACHIM ,  KESSLER ANGELA ,  RIEDL EDMUND

    IPC: H01L23/18 ,  H01L21/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

    Abstract: The invention relates to a semiconductor component with semiconductor component parts (3) that are potted in a plastic housing mass and in particular to the use of silicon and organometallic compounds for creating an adhesion promoter layer (5). Said adhesion promoter layer (5) on the surfaces (4) of the semiconductor component parts (3) of a semiconductor component has a microporous morphology (6) and an average thickness D of 5 nm = D = 300 nm. The adhesion promoter layer (5) comprises semiconductor and/or metal oxides of a reactive compound consisting of oxygen molecules and organometallic molecules.

    Baugruppe mit Verbindungen, die verschiedene Schmelztemperaturen aufweisen, Fahrzeug mit der Baugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben und Verwendung der Baugruppe für eine Automobilanwendung
    25.
    发明专利
    Baugruppe mit Verbindungen, die verschiedene Schmelztemperaturen aufweisen, Fahrzeug mit der Baugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben und Verwendung der Baugruppe für eine Automobilanwendung 未知

    公开(公告)号：DE102016121801B4

    公开(公告)日：2022-03-17

    申请号：DE102016121801

    申请日：2016-11-14

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GRASSMANN ANDREAS ,  HÖGERL JÜRGEN ,  KESSLER ANGELA ,  NIKITIN IVAN

    IPC: H01L23/482 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07

    Abstract: Eine Baugruppe (100), die Folgendes aufweist:• mindestens einen elektronischen Chip (102);• einen ersten Wärmeabführungskörper (104), auf dem der mindestens eine elektronische Chip (102) mittels einer ersten Verbindung (170) befestigt ist,• einen zweiten Wärmeabführungskörper (106), der über dem mindestens einen elektronischen Chip (102) mittels einer zweiten Verbindung (172) befestigt ist,• mindestens einen elektrisch leitfähigen Abstandshalterkörper (126), zwischen dem mindestens einen elektronischen Chip (102) und dem zweiten Wärmeabführungskörper (106), welcher Abstandshalterkörper (126) mittels einer zweiten Verbindung (172) direkt mit dem elektronischen Chip (102) verbunden ist,• eine dritte Verbindung (174), die den mindestens einen Abstandshalterkörper (126) mit dem zweiten Wärmeabführungskörper (106) direkt verbindet,• wobei die erste Verbindung (170) und die dritte Verbindung (174) dazu ausgelegt sind, eine höhere Schmelztemperatur als die zweite Verbindung (172) aufzuweisen;• wobei die dritte Verbindung (174) eine aufweist aus der Gruppe, die besteht aus: einer Lötmittelstruktur und einer Sinterstruktur.

    Chipgehäuse, Chipanordnungen, eine Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung von Chipgehäusen
    28.
    发明专利
    Chipgehäuse, Chipanordnungen, eine Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung von Chipgehäusen 未知

    公开(公告)号：DE102013106438A1

    公开(公告)日：2014-01-02

    申请号：DE102013106438

    申请日：2013-06-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER MICHAEL ,  HAIMERL ALFRED ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG

    IPC: H01L23/495 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

    Abstract: Es ist ein Chipgehäuse (210) vorgesehen, welches aufweist: einen Chipträger (102), einen Chip (104), der über einer Chipträgeroberseite (106) angeordnet ist und elektrisch damit verbunden ist, ein elektrisch isolierendes Material (108), das über dem Chip (104) angeordnet ist und diesen zumindest teilweise umgibt, ein oder mehrere elektrisch leitende Kontaktgebiete (112), die über dem elektrisch isolierenden Material (108) ausgebildet sind und in elektrischer Verbindung mit dem Chip (104) stehen, und ein weiteres elektrisch isolierendes Material (114), das über einer Chipträgerunterseite angeordnet ist, wobei ein elektrisch leitendes Kontaktgebiet (112) auf der Chipträgerunterseite von dem weiteren elektrisch isolierenden Material (114) befreit ist.

    30.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102006056363A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：DE102006056363

    申请日：2006-11-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAUER MICHAEL ,  KESSLER ANGELA ,  SCHOBER WOLFGANG ,  HAIMERL ALFRED ,  MAHLER JOACHIM

    IPC: H01L23/48 ,  H01L25/04

    Abstract: A semiconductor module includes a module package including a first substrate having a first semiconductor device and a second substrate having a second semiconductor device. A first outer conductor extends from the module package and is connected to the first substrate and a second outer conductor extends from the module package and is connected to the second substrate. A method for producing the semiconductor module includes attaching first outer conductors of a leadframe to a first substrate, where the first substrate includes a first semiconductor device that is attached to the first substrate either before or after attaching the first outer conductors. A second substrate is provided including a signal processing circuit and the second substrate is fastening to second outer conductors of the leadframe.

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