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    Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul
    1.
    发明专利
    Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul 未知

    公开(公告)号：DE102015118633A1

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：DE102015118633

    申请日：2015-10-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BEER GOTTFRIED ,  HOEGERL JUERGEN ,  HOIER MAGDALENA

    IPC: H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07

    Abstract: Ein Leistungshalbleitermodul umfassend ein Direct Copper Bonded (DCB) Substrat, umfassend ein Keramiksubstrat, eine erste an die erste Hauptoberfläche des Keramiksubstrats gebondete Kupfermetallisierung und eine zweite an die zweite Hauptoberfläche des Keramiksubstrats gegenüber der ersten Hauptoberfläche gebondete Kupfermetallisierung; Das Leistungshalbleitermodul umfasst weiterhin einen mit der ersten Kupfermetallisierung verbundenen Leistungshalbleiterchip, ein mit der ersten Kupfermetallisierung verbundenes passives Bauelement, eine erste Isolationsschicht, welche den Leistungshalbleiterchip und ein passives Bauelement einkapselt, eine erste strukturierte Metallisierungsschicht auf der ersten Isolationsschicht und eine erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen, die sich durch die erste Isolationsschicht aus der ersten Metallisierungsschicht zum Leistungshalbleiterchip und dem passiven Bauelement erstrecken. Ein integriertes Leistungsmodul und ein Verfahren zur Herstellung des integrierten Leistungsmoduls werden ebenfalls bereitgestellt.

    Halbleitergehäuse mit zwei Halbleitermodulen und sich seitlich erstreckenden Verbindern
    3.
    发明专利
    Halbleitergehäuse mit zwei Halbleitermodulen und sich seitlich erstreckenden Verbindern 未知

    公开(公告)号：DE102014116382A1

    公开(公告)日：2015-05-13

    申请号：DE102014116382

    申请日：2014-11-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOHLFELD OLAF ,  HOEGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  HOIER MAGDALENA

    IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

    Abstract: Ein Halbleitergehäuse umfasst einen Formkörper, der eine erste Hauptfläche, eine der ersten Hauptfläche entgegengesetzte zweite Hauptfläche und Seitenflächen aufweist, welche die erste und zweite Hauptfläche verbinden; ein erstes Halbleitermodul, das eine Vielzahl von ersten Halbleiterchips und eine erste Einkapselungsschicht umfasst, die über den ersten Halbleiterchips angeordnet ist; und ein zweites Halbleitermodul, das über dem ersten Halbleitermodul angeordnet ist. Das zweite Halbleitermodul umfasst eine Vielzahl von zweiten Halbleiterkanälen und eine zweite Einkapselungsschicht, die über den zweiten Halbleiterkanälen angeordnet ist. Das Halbleitergehäuse umfasst ferner eine Vielzahl von externen Verbindern, die sich durch eine oder mehrere der Seitenflächen des Formkörpers erstrecken.

    Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
    6.
    发明专利
    Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls 未知

    公开(公告)号：DE102013219780A1

    公开(公告)日：2015-04-02

    申请号：DE102013219780

    申请日：2013-09-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ARENS ANDRE ,  HÖGERL JÜRGEN ,  HOIER MAGDALENA

    IPC: H01L23/055 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16

    Abstract: Ein Aspekt der Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul. Gemäß einem Beispiel der Erfindung weist das Leistungshalbleitermodul eine Platine auf mit einer ersten, auf einer Oberseite der Platine angeordneten strukturierten Metallisierung und mit mindestens einer zweiten Metallisierung, welche in vertikaler Richtung unter der ersten Metallisierung, parallel zu dieser angeordnet und von dieser isoliert ist. Auf der Oberseite der Platine ist mindestens ein gehäuseloser Halbleiterchip angeordnet, der mehrere Kontaktelektroden aufweist, welche wiederum über Bonddrähte mit korrespondierenden Kontakt-Pads der ersten Metallisierung auf der Oberseite der Platine verbunden sind. Ein erster Teil der Kontaktelektroden und der korrespondierenden Kontakt-Pads sind im Betrieb hochspannungsführend. Sämtliche hochspannungsführenden Kontakt-Pads sind über Durchkontaktierungen mit der zweiten Metallisierung leitend verbunden. Eine Isolationsschicht deckt den Chip und einen abgegrenzten Bereich der Platine um den Chip vollständig ab, wobei sämtliche hochspannungsführenden Kontakt-Pads und die Durchkontaktierungen von der Isolationsschicht vollständig bedeckt sind. Ein zweiter Teil der Kontaktelektroden und der korrespondierenden Kontakt-Pads stehen im Betrieb unter niedrigen Spannungen stehen.

    Halbleitergehäuse mit zwei Halbleitermodulen und sich seitlich erstreckenden Verbindern und Verfahren zu dessen Herstellung
    7.
    发明专利
    Halbleitergehäuse mit zwei Halbleitermodulen und sich seitlich erstreckenden Verbindern und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014116382B4

    公开(公告)日：2022-05-05

    申请号：DE102014116382

    申请日：2014-11-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOHLFELD OLAF ,  HOEGERL JÜRGEN ,  BEER GOTTFRIED ,  HOIER MAGDALENA

    IPC: H01L23/48 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

    Abstract: Halbleitergehäuse (100; 300), umfassend:einen Formkörper (1; 301), der eine erste Hauptfläche (1A; 301A), eine der ersten Hauptfläche entgegengesetzte zweite Hauptfläche (1B; 301B) und Seitenflächen (IC; 301C) umfasst, welche die erste und zweite Hauptfläche verbinden;ein erstes Halbleitermodul (10), das eine Vielzahl von ersten Halbleiter-Transistorchips (11) und eine erste Einkapselungsschicht (12) umfasst, die über den ersten Halbleiter-Transistorchips (11) angeordnet ist;ein zweites Halbleitermodul (20), das über dem ersten Halbleitermodul (10) angeordnet ist, wobei das zweite Halbleitermodul (20) wenigstens einen zweiten Halbleiterchip (21) und eine zweite Einkapselungsschicht (22) umfasst, die über dem wenigstens einen zweiten Halbleiterchip (21) angeordnet ist; undeine Vielzahl von externen Verbindern (30; 325, 326), die sich durch eine oder mehrere der Seitenflächen (1C; 301C) des Formkörpers (1; 301) erstrecken, wobei der Formkörper (1; 301) durch die zweite Einkapselungsschicht (22) gebildet wird;eine Vielzahl von Halbleiter-Diodenchips (14); undeine Metallisierungsschicht (16), welche auf der ersten Einkapselungsschicht (12) aufgebracht ist und eine Vielzahl von metallischen Bereichen (16A) aufweist, welche elektrische Verbindungen zwischen ausgewählten der Halbleiter-Transistorchips (11) und der Halbleiter-Diodenchips (14) bilden.

    Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul sowie ein Verfahren zur Herstellung des Leistungshalbleitermoduls
    8.
    发明专利
    Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul sowie ein Verfahren zur Herstellung des Leistungshalbleitermoduls 未知

    公开(公告)号：DE102015118633B4

    公开(公告)日：2021-05-06

    申请号：DE102015118633

    申请日：2015-10-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： HOHLFELD OLAF ,  BEER GOTTFRIED ,  HOEGERL JUERGEN ,  HOIER MAGDALENA

    IPC: H01L23/538 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L25/07

    Abstract: Integriertes Leistungsmodul (100), aufweisend:ein Leistungshalbleitermodul (102), aufweisend:einen ersten, auf eine metallisierte Seite (108, 118) eines Isolationssubstrats (110) aufgebrachten Leistungshalbleiterchip (106);eine erste Isolationsschicht (112), welche den ersten Leistungshalbleiterchip (106) einkapselt; undeine erste strukturierte Metallisierungsschicht (114) auf der ersten Isolationsschicht (112) und durch mindestens eine erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen (116), die sich durch die erste Isolationsschicht (112) erstrecken, mit dem ersten Leistungshalbleiterchip (106) elektrisch verbunden;eine zweite Isolationsschicht (124) auf dem Leistungshalbleitermodul (102);eine zweite Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen (128), die sich durch die zweite Isolationsschicht (124) zur ersten strukturierten Metallisierungsschicht (114) erstrecken; undein erster, in der zweiten Isolationsschicht (124) oder in einer Isolationsschicht über der zweiten Isolationsschicht (124) eingekapselter Logik- oder passiver Halbleiterchip (130),wobei der erste Logik- oder passive Halbleiterchip (130) durch mindestens die erste strukturierte Metallisierungsschicht (114) und die erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen (116) mit dem ersten Leistungshalbleiterchip (106) oder mit einem anderen, im integrierten Leistungsmodul (100) angeordneten Halbleiterchip elektrisch verbunden ist,wobei der erste Logik- oder passive Halbleiterchip (130) ein erster Treiber-Halbleiterchip ist, der konfiguriert ist, ein Schalten des ersten Leistungshalbleiterchips (106) zu steuern.

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