公开(公告)号：DE102013111496A1

公开(公告)日：2015-04-23

申请号：DE102013111496

申请日：2013-10-18

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/60 ,  H01L31/101 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01L33/36

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mit folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer Mehrzahl von Halbleiterkörperbereichen (200); b) Bereitstellen einer Mehrzahl von Trägerkörpern (3), die jeweils eine erste Kontaktstruktur (31) und eine zweite Kontaktstruktur (32) aufweisen; c) Ausbilden eines Verbunds (4) mit der Halbleiterschichtenfolge und den Trägerkörpern derart, dass benachbarte Trägerkörper durch Zwischenräume (35) voneinander getrennt sind und jeder Halbleiterkörperbereich mit der ersten Kontaktstruktur und der zweiten Kontaktstruktur des zugeordneten Trägerkörpers elektrisch leitend verbunden ist; und d) Vereinzeln des Verbunds in die Mehrzahl von Halbleiterbauelementen, wobei die Halbleiterbauelemente jeweils einen Halbleiterkörper (20) und einen Trägerkörper aufweisen. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102017104752B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102017104752

申请日：2017-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L21/50 ,  H01L33/48

Abstract: Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern (10), bei demA) eine Halbleiterstruktur (1) auf einem Aufwachssubstrat (3) bereitgestellt wird,B) eine Deckschicht (2) auf einer dem Aufwachssubstrat (3) abgewandten Seite der Halbleiterstruktur (1) angeordnet wird, wobei die Deckschicht (2) mit der Halbleiterstruktur (1) mechanisch fest verbunden ist,C) eine Transferstruktur (5) auf einer der Halbleiterstruktur (1) abgewandten Seite der Deckschicht (2) angeordnet wird, wobei die Transferstruktur (5) über zumindest eine Kontaktstruktur (25) mechanisch fest mit der Deckschicht (2) verbunden ist,D) das Aufwachssubstrat (3) von der Halbleiterstruktur (1) entfernt wird,E) die Halbleiterstruktur (1) in eine Vielzahl von Halbleiterkörpern (10) unterteilt wird,F) ein Träger (7) auf einer der Transferstruktur (5) abgewandten Seite der Halbleiterkörper (10) angeordnet wird,G) die Transferstruktur (5) von den Halbleiterkörpern (10) entfernt wird, wobei die mechanische Verbindung zwischen der Transferstruktur (5) und der Deckschicht (2) im Bereich der Kontaktstruktur (25) gelöst wird, wobei die Kontaktstruktur (25) mit einem anorganischen Dielektrikum gebildet ist.

公开(公告)号：DE102017106730A1

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：DE102017106730

申请日：2017-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/78 ,  H01L33/02

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauteilen (10) für elektronische Bauelemente angegeben, bei dem ein Substrat bereitgestellt wird. Ein Bauteilverbund (20) wird auf dem Substrat angeordnet, woraufhin eine Verankerungsschicht (30) auf den Bauteilverbund aufgebracht wird. Ein Träger (9) wird auf der Verankerungsschicht derart befestigt, dass die Verankerungsschicht zwischen dem Substrat und dem Träger angeordnet ist. Anschließend wird das Substrat entfernt. Der Bauteilverbund wird durch Bildung einer Mehrzahl von Trenngräben (4) zu einer Mehrzahl von Bauteilen zerteilt, wobei die Bauteile nach dem Entfernen des Substrats weiterhin durch die Verankerungsschicht auf dem Träger gehalten werden. Die Verankerungsschicht weist zumindest eine Sollbruchschicht (36) mit zumindest einer Sollbruchstelle (33) auf, wobei die Sollbruchstelle von den Trenngräben lateral umgeben und in Draufsicht auf den Träger von einem der Bauteile bedeckt ist.Des Weiteren ein Bauteil angegeben, das einen Hauptkörper (2) und eine Trägerschicht (40) umfasst, wobei eine dem Hauptkörper abgewandte Oberfläche (32, 42) der Trägerschicht Trennspuren (T) eines mechanischen Bruchs aufweist.

公开(公告)号：DE112017000332A5

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：DE112017000332

申请日：2017-01-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102017104752A1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：DE102017104752

申请日：2017-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L21/50 ,  H01L33/48

Abstract: Verfahren zum Übertragen von Halbleiterkörpern (10), bei demA) eine Halbleiterstruktur (1) auf einem Aufwachssubstrat (3) bereitgestellt wird,B) eine Deckschicht (2) auf einer dem Aufwachssubstrat (3) abgewandten Seite der Halbleiterstruktur (1) angeordnet wird, wobei die Deckschicht (2) mit der Halbleiterstruktur (1) mechanisch fest verbunden ist,C) eine Transferstruktur (5) auf einer der Halbleiterstruktur (1) abgewandten Seite der Deckschicht (2) angeordnet wird, wobei die Transferstruktur (5) über zumindest eine Kontaktstruktur (25) mechanisch fest mit der Deckschicht (2) verbunden ist,D) das Aufwachssubstrat (1) von der Halbleiterstruktur (1) entfernt wird,E) die Halbleiterstruktur (1) in eine Vielzahl von Halbleiterkörpern (10) unterteilt wird,F) ein Träger (7) auf einer der Transferstruktur (5) abgewandten Seite der Halbleiterkörper (10) angeordnet wird,G) die Transferstruktur (5) von den Halbleiterkörpern (10) entfernt wird, wobei die mechanische Verbindung zwischen der Transferstruktur (5) und der Deckschicht (2) im Bereich der Kontaktstruktur (25) gelöst wird.

公开(公告)号：DE102015111573A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE102015111573

申请日：2015-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR JOHANNES ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  HÖPPEL LUTZ ,  MAUTE MARKUS ,  SCHWARZ THOMAS ,  SABATHIL MATTHIAS ,  WIRTH RALPH ,  LINKOV ALEXANDER

IPC: H01L33/42

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (10) angegeben umfassend einen Licht emittierenden Halbleiterkörper (1) mit einer Abstrahlseite (1a), eine Stromaufweitungsschicht (2), welche an der Abstrahlseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) angeordnet ist und diese zumindest teilweise abdeckt, wobei die Stromaufweitungsschicht (2) ein für das vom Halbleiterkörper (1) abgestrahlte Licht transparentes elektrisch leitfähiges Material (2a) und Partikel (2b) eines weiteren Materials umfasst, und einen elektrischen Kontakt (3), welcher auf einer dem Halbleiterkörper (1) abgewandten Seite (2c) der Stromaufweitungsschicht (2) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102015100578A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102015100578

申请日：2015-01-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  MALM NORWIN VON

IPC: H01L33/62 ,  H01L21/283 ,  H01L23/482 ,  H01L31/0203 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), einer ersten Metallschicht (3) und einer zweiten Metallschicht (4) angegeben, wobei die erste Metallschicht zwischen dem Halbleiterkörper und der zweiten Metallschicht angeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine erste Halbleiterschicht (21), eine zweite Halbleiterschicht (22) und eine aktive Schicht (23) auf. Das Bauelement weist eine Durchkontaktierung (24) auf, die sich durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht erstreckt. Die zweite Metallschicht enthält einen ersten Teilbereich (41) und einen von dem ersten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandeten zweiten Teilbereich (42), wobei der erste Teilbereich mit der Durchkontaktierung elektrisch verbunden und einer ersten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet ist. Die erste Metallschicht überbrückt den Zwischenraum in Draufsicht lateral vollständig und ist einer von der ersten elektrischen Polarität verschiedenen zweiten elektrischen Polarität des Bauelements zugeordnet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102013107967A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：DE102013107967

申请日：2013-07-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN ,  HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L33/54

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Träger (2) und einen Halbleiterkörper (1) umfassend eine zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung vorgesehene aktive Schicht (13) aufweist, wobei der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet ist, der Halbleiterkörper eine dem Träger abgewandte erste Hauptfläche (1A) und eine dem Träger zugewandte zweite Hauptfläche (1B) aufweist, der Halbleiterchip eine Seitenfläche (1C) mit einer Verankerungsstruktur (4) aufweist, und die zweite Hauptfläche zwischen der ersten Hauptfläche und der Verankerungsstruktur angeordnet ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement (100) aufweisend einen solchen Halbleiterchip und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl solcher Halbleiterchips angegeben.

公开(公告)号：DE102012108879A1

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：DE102012108879

申请日：2012-09-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L25/075 ,  H01L27/15 ,  H01L33/52

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (2), die eine zur Emission von Strahlung geeignete aktive Zone (4) aufweist, – ein Trägersubstrat (10), und – eine Spiegelschicht (6), die zwischen der Halbleiterschichtenfolge (2) und dem Trägersubstrat (10) angeordnet ist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (2) in mehrere nebeneinander angeordnete aktive Bereiche (11, 12) unterteilt ist, die jeweils durch einen Graben (13) in der Halbleiterschichtenfolge (2) voneinander getrennt sind, wobei der Graben (13) jeweils die Halbleiterschichtenfolge (2) und die Spiegelschicht (6) durchtrennt, – die Spiegelschicht (6) Seitenflächen (16), die einem Graben (13) zugewandt sind, und Seitenflächen (17), die einer Außenseite (15) des Halbleiterchips (1) zugewandt sind, aufweist, – die einer Außenseite (15) des Halbleiterchips (1) zugewandten Seitenflächen (17) der Spiegelschicht (17) eine metallische Verkapselungsschicht (7) aufweisen, und – zumindest ein Teil der einem Graben (13) zugewandten Seitenflächen (16) der Spiegelschicht (6) eine dielektrische Verkapselungsschicht (9) aufweist.

公开(公告)号：DE112017002036B4

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：DE112017002036

申请日：2017-04-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (23) mit- einem Halbleiterkörper (22) umfassend einen ersten Halbleiterbereich (3), einen zweiten Halbleiterbereich (5) und eine zwischen dem ersten und zweiten Halbleiterbereich (3, 5) angeordnete aktive Zone (4),- einer elektrisch leitenden Kontaktschicht (7), die auf einer dem zweiten Halbleiterbereich (5) abgewandten Seite des ersten Halbleiterbereichs (3) angeordnet ist,- einer elektrisch leitenden Spiegelschicht (6), die zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) angeordnet ist und von dem ersten Halbleiterbereich (3) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) randseitig lateral überragt wird, so dass sich zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) ein Zwischenraum (8) befindet, in welchem zum Schutz der Spiegelschicht (6) eine Schutzschicht (9) angeordnet ist, wobei- sich die elektrisch leitende Kontaktschicht (7) lateral bis zu einem Rand des ersten Halbleiterbereichs (3) erstreckt,- die elektrisch leitende Kontaktschicht (7) aus Ni besteht, und- zwischen der elektrisch leitenden Spiegelschicht (6) und der elektrisch leitenden Kontaktschicht (7) eine Verbindungsschicht angeordnet ist, die aus einem transparenten elektrisch leitenden Oxid gebildet ist.