公开(公告)号：TW201732870A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW105139439

申请日：2016-11-30

Applicant: 歐司朗光電半導體公司 ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： 荷普曼索菲亞 ,  HUPPMANN SOPHIA ,  凱茲西蒙 ,  KATZ SIMEON ,  詹格馬克斯 ,  ZENGER MARCUS ,  史戈茲多米尼克 ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0033

Abstract: 本發明提供一種用於生產複數個組件之方法，包括下列步驟：- 提供複合載板(10)，該複合載板(10)含有基板本體(13)及包括平坦的連接表面(11)；- 提供複合晶圓(200)，該複合晶圓(200)含有複合半導體本體(20)及包括平坦的接觸表面(31)；- 連接該複合晶圓至該複合載板，用於形成該複合載板及該複合晶圓之複合物，其中該平坦的接觸表面及該平坦的連接表面是接合用以形成該接合邊界表面(1131)；- 減少該複合物中的內部機械應力，其中該複合載板之材料在某位置處移除；以及- 將該複合物切單成為複數個組件。 再者，本發明提供組件，該組件尤其可以藉由此類的方法而生產。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于生产复数个组件之方法，包括下列步骤：- 提供复合载板(10)，该复合载板(10)含有基板本体(13)及包括平坦的连接表面(11)；- 提供复合晶圆(200)，该复合晶圆(200)含有复合半导体本体(20)及包括平坦的接触表面(31)；- 连接该复合晶圆至该复合载板，用于形成该复合载板及该复合晶圆之复合物，其中该平坦的接触表面及该平坦的连接表面是接合用以形成该接合边界表面(1131)；- 减少该复合物中的内部机械应力，其中该复合载板之材料在某位置处移除；以及- 将该复合物切单成为复数个组件。 再者，本发明提供组件，该组件尤其可以借由此类的方法而生产。

公开(公告)号：DE102016103353B4

公开(公告)日：2025-02-27

申请号：DE102016103353

申请日：2016-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  OTTO ISABEL

IPC: H10H20/831 ,  H10H20/841

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten:A) Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),B) Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine Oberseite (21) und Unterseite (22), mindestens einen n-dotierten Halbleiterbereich (23), mindestens einen p-dotierten Halbleiterbereich (24) und eine zwischen diesen Halbleiterbereichen angeordnete aktive Schicht (25) zur Strahlungserzeugung aufweist, wobei die Oberseite (21) dem Wachstumssubstrat (1) abgewandt und die Unterseite (22) dem Wachstumssubstrat (1) zugewandt ist,C) Strukturieren der Halbleiterschichtenfolge (2) von der Oberseite (21) bis zur Unterseite (22) der Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung von Seitenflächen (26) der Halbleiterschichtenfolge (2),D) Aufbringen einer Opferschicht (3) auf die Seitenflächen (26) der Halbleiterschichtenfolge (2) und auf im Schritt C) freigelegten Oberflächen des Wachstumssubstrats (1), die zum Entfernen des Wachstumssubstrats (1) durch Laserabhebeverfahren eingerichtet ist,E) Abscheiden einer Metallschicht (4) zur Ausbildung eines ersten Anschlusskontaktes auf die dem Wachstumssubstrat (1) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), auf die Seitenflächen (26) der Halbleiterschichtenfolge (2) und auf die Opferschicht (3),G) Ausbilden eines zweiten Anschlusskontaktes (8) durch den aktiven Bereich (25),H) Aufbringen eines permanenten Trägers (6) auf die dem Wachstumssubstrat (1) abgewandte Seite der Halbleiterschichtenfolge (2), undI) Ablösen des Wachstumssubstrats (1) und dadurch Freilegen der Metallschicht (4), wobei das Verfahren nach Schritt I) frei von Lithografieschritten ist.

公开(公告)号：DE102014116205B4

公开(公告)日：2022-09-01

申请号：DE102014116205

申请日：2014-11-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  MANDL MARTIN ,  STRASSBURG MARTIN ,  SCHIMPKE TILMAN

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (10) mit den Schritten- Bereitstellen eines Substrats (1) mit einer darauf angeordneten lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2),- Aufbringen einer Mehrzahl von dreidimensionalen Strukturelementen (3) auf eine Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberfläche (2a) als eine Abstrahlfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) ausgebildet ist, wobei für das Aufbringen der Strukturelemente (3) die folgende Methode verwendet wird:- Bereitstellen eines weiteren Substrats (1a), wobei auf dem weiteren Substrat (1a) eine Maske (4) angeordnet wird, wobei die Maske (4) strukturiert wird, so dass die Maske (4) nach der Strukturierung Öffnungen (4a) aufweist, wobei die dreidimensionalen Strukturelemente (3) in den Öffnungen (4a) dreidimensional gewachsen werden, wobei die dreidimensional gewachsenen Strukturelemente (3) vom weiteren Substrat (1a) abgelöst werden, wobei die vom weiteren Substrat (1a) abgelösten Strukturelemente (3) zur Bildung einer Suspension in eine Flüssigkeit (5) eingebracht werden und mit der Flüssigkeit (5) auf die Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) und/oder der Leuchtdiode (10) aufgebracht werden,- Einbringen eines Konvertermaterials (6) in die dreidimensionalen Strukturelemente (3), wobei- die Strukturelemente (3) mittels Sedimentation und/oder elektrophoretischer Deposition auf der abstrahlenden Oberfläche der Leuchtdiode (10) und/oder auf der Oberfläche (2a) der lichtemittierenden Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet werden,- die Flüssigkeit (5) ein Lösemittel oder Wasser ist, und- das Konvertermaterial (6) nach dem Aufbringen der Strukturelemente (3) in die Strukturelemente (3) eingebracht wird.

公开(公告)号：DE102017114565A1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：DE102017114565

申请日：2017-06-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHUMANN MICHAEL ,  SCHULTEN DOMINIK ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: G01S7/481 ,  G01B11/14 ,  G01C3/00 ,  G01S17/08

Abstract: Optische Abstandsmessvorrichtung (1) umfassend- eine pixelierte Strahlungsquelle (10) mit zumindest zwei Pixeln (101, 102),- einen Strahlungsdetektor (30), welcher dazu eingerichtet ist, von der pixelierten Strahlungsquelle (10) emittierte und in Messbereichen (51, 52, 53) reflektierte elektromagnetische Strahlung (L) zu detektieren, und- eine Steuereinheit (40), welche dazu eingerichtet ist, die Strahlungsquelle (10) zu betreiben und elektrische Signale vom Strahlungsdetektor (30) zu empfangen, wobei- unterschiedliche Messbereiche (51, 52, 53) mit elektromagnetischer Strahlung (L) mit paarweise unterschiedlichen Eigenschaften beleuchtbar sind.

公开(公告)号：DE102017113573A1

公开(公告)日：2018-12-20

申请号：DE102017113573

申请日：2017-06-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L31/12

Abstract: Eine Anordnung weist eine Mehrzahl (120) von Leuchtmodulen (111-119) auf, die von einem Träger (101) gehalten sind, wobei:- die Leuchtmodule (111-119) jeweils eine Mehrzahl (110) von optoelektronischen Bauelementen (121-129) aufweisen, die in einer ersten Anzahl an Zeilen (102) und einer zweiten Anzahl an Spalten (103) angeordnet sind, und die Leuchtmodule (111-119) die jeweilige erste Anzahl an ersten Elektroden (104) und die jeweilige zweite Anzahl an zweiten Elektroden (105) aufweisen, wobei die optoelektronischen Bauelemente (121-129) jeweils einer Zeile (102) der Zeilen (102) mit einer der ersten Elektroden (104) des jeweiligen Leuchtmoduls (111-119) elektrisch verbunden sind, und die optoelektronischen Bauelemente (121-129) jeweils einer Spalte (103) der Spalten (103) mit einer der zweiten Elektroden (105) des jeweiligen Leuchtmoduls (111-119) elektrisch verbunden sind,- der Träger (101) je Zeile (102) eine dritte Elektrode (108) und je Spalte (103) eine vierte Elektrode (109) aufweist, die jeweils von außerhalb des Trägers (101) elektrisch kontaktierbar sind, wobei die ersten Elektroden (104) jeweils einer der Zeilen (102) mit einer der dritten Elektroden (108) elektrisch verbunden sind und wobei die zweiten Elektroden (105) jeweils einer der Spalten (103) mit einer der vierten Elektroden (109) verbunden sind.

公开(公告)号：DE102016112857A1

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：DE102016112857

申请日：2016-07-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  PFEUFFER ALEXANDER F

IPC: H01L27/15

Abstract: Die Erfindung betrifft einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) umfassend einen Halbleiterkörper (10), erste (11) und zweite (12) Kontaktstellen, eine Umverdrahtungsstruktur (20) und erste (21) und zweite Anschlussstellen (22), bei dem der Halbleiterkörper (10) eine Vielzahl von Emissionsbereichen (100) aufweist, die lateral nebeneinander angeordnet sind und die jeweils elektrisch leitend über die erste (11) und zweite (12) Kontaktstelle kontaktierbar und separat voneinander betreibbar sind, die Umverdrahtungsstruktur (20) jede erste Kontaktstelle (11) elektrisch leitend mit einer zugeordneten ersten Anschlussstelle (21) verbindet, die Umverdrahtungsstruktur (20) jede zweite Kontaktstelle (12) elektrisch leitend mit einer zugeordneten zweiten Anschlussstelle (22) verbindet, mindestens eine der Anschlussstellen (21, 22) überlappt mit einer elektrisch leitend mit dieser Anschlussstelle (21, 22) verbundenen Kontaktstelle (11, 12) in vertikaler Richtung nicht, mehrere zweite Kontaktstellen (12) mit einer gemeinsamen zweiten Anschlussstelle (22) elektrisch leitend verbunden sind, jede erste Anschlussstelle (21) lateral direkt benachbart zu einer weiteren ersten Anschlussstelle (21) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016100317A1

公开(公告)日：2017-07-13

申请号：DE102016100317

申请日：2016-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/38

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Halbleiterschicht (11), einer aktiven Schicht (13), einer zweiten Halbleiterschicht (12) und einer Oberseite (14). Auf die erste Halbleiterschicht (11) ist eine erste Kontaktschicht (31) aufgebracht, über die im bestimmungsgemäßen Betrieb die erste Halbleiterschicht (11) elektrisch kontaktiert ist. Auf der Oberseite (14) ist eine Spiegelschicht (4) angeordnet, über die im Betrieb die zweite Halbleiterschicht (12) elektrisch kontaktiert ist. Das Bauelement (100) umfasst ferner eine Aussparung (2) in der Halbleiterschichtenfolge (1), die sich von der Oberseite (14) aus durch die gesamte zweite Halbleiterschicht (12) und die aktive Schicht (13) erstreckt und in die erste Halbleiterschicht (11) mündet. Die Aussparung (2) weist im Bereich der ersten Halbleiterschicht (11) eine Bodenfläche (20) auf, die in lateraler Richtung, parallel zur aktiven Schicht (13), durch zumindest eine quer zur aktiven Schicht (13) verlaufende Seitenwand (21) begrenzt ist. Die Bodenfläche (20) und die Seitenwand (21) sind durch die Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet. Die erste Kontaktschicht (31) ist direkt auf der Bodenfläche (20) der Aussparung (2) aufgebracht. In Draufsicht auf die Oberseite (14) gesehen überdeckt die Spiegelschicht (4) einen Teil der Aussparung (2).

公开(公告)号：DE102015108532A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：DE102015108532

申请日：2015-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PFEUFFER ALEXANDER ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird eine Anzeigevorrichtung (1) mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte (1a, 1b, 1c) angegeben, die eine Halbleiterschichtenfolge (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung umfasst. Die Halbleiterschichtenfolge (3) weist eine erste Halbleiterschicht (31), eine aktive Schicht (33) und eine zweite Halbleiterschicht (35) auf. Die Anzeigevorrichtung (1) umfasst ferner eine erste Kontaktstruktur (51) zur Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht (31) und eine zweite Kontaktstruktur (55) zur Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht (35). Die erste Kontaktstruktur (51) weist getrennt voneinander betreibbare erste Kontakte (51a, 51b, 5c) auf, die sich jeweils lateral unterbrechungsfrei entlang der ersten Halbleiterschicht (31) erstrecken. Die ersten Kontakte (51a, 51b, 51c) begrenzen jeweils mit ihrer Kontur einen Bildpunkt (1a, 1b, 1c) lateral. Die Halbleiterschichtenfolge (3) und die erste Kontaktstruktur (51) weisen mindestens eine bezüglich eines jeweiligen Bildpunkts (1a, 1b, 1c) lateral angrenzende Ausnehmung (7a, 7b) auf, die sich durch die erste Kontaktstruktur (51), die erste Halbleiterschicht (31) und die aktive Schicht (33) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (35) hinein erstreckt. Die zweite Kontaktstruktur (55) weist zweite Kontakte (55a, 55b) auf, die sich von einer der ersten Kontaktstruktur (51) zugewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (3) durch die mindestens eine Ausnehmung (7a, 7b) erstrecken.

公开(公告)号：DE102015102458A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：DE102015102458

申请日：2015-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HÖPPEL LUTZ ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK ,  OTTO ISABEL ,  MALM NORWIN VON ,  ILLEK STEFAN

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301 ,  H01L29/06 ,  H01L33/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterchips (10) angegeben. Ein Verbund (1), der einen Träger (4) und eine Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufweist wird bereitgestellt. Trenngräben (17) werden in der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) entlang eines Vereinzelungsmusters (16) ausgebildet. Eine die Halbleiterschichtenfolge (2, 3) zu den Trenngräben (17) hin begrenzende Füllschicht (11) wird an einer dem Träger (4) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) aufgebracht. Ferner wird eine an die Füllschicht (11) grenzende Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) aufgebracht. Durch Entfernen der an die Füllschicht (11) grenzenden Metallschicht (10) in den Trenngräben (17) werden die Halbleiterchips (20) vereinzelt. Die vereinzelten Halbleiterchips (20) weisen jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge (2, 3) und der Füllschicht (11) auf. Weiterhin wird ein Halbleiterchip (10) angegeben.

公开(公告)号：DE102014112750A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：DE102014112750

申请日：2014-09-04

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： OTTO ISABEL ,  PFEUFFER ALEXANDER F ,  SCHOLZ DOMINIK

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/08

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen einer strukturierten Halbleiterschichtenfolge (21, 22, 23) aufweisend – eine erste Halbleiterschicht (21) mit einer Bodenfläche (21c), zumindest einer Vertiefung (211) und einer der Bodenfläche (21c) abgewandten ersten Deckfläche (21a) im Bereich der Vertiefungen (211), – eine aktive Schicht (23) und – eine zweite Halbleiterschicht (22) an einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (23), wobei – die aktive Schicht (23) und die zweite Halbleiterschicht (22) gemeinsam in eine Vielzahl von Bereiche (221, 231) strukturiert sind und jeder Bereich (221, 231) zusammen mit der ersten Halbleiterschicht (21) einen Emissionsbereich (3) bildet, B) Gleichzeitiges Aufbringen einer ersten Kontaktschicht (41) auf der ersten Deckfläche (21a) und einer zweiten Kontaktschicht (42) auf einer der ersten Halbleiterschicht (21) abgewandten zweiten Deckfläche (3a) der Emissionsbereiche (3) derart, dass – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) elektrisch voneinander getrennt sind und – die erste Kontaktschicht (41) und die zweite Kontaktschicht (42) parallel zueinander verlaufen.