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    Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels und Schichtstapel
    22.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels und Schichtstapel 未知

    公开(公告)号：DE102017115252A1

    公开(公告)日：2019-01-10

    申请号：DE102017115252

    申请日：2017-07-07

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KLEMP CHRISTOPH

    IPC: H01L33/02 ,  H01L33/40

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Schichtstapels angegeben, mit den Schritten:a) Ausbilden einer ersten Schicht (1) mit einer ersten Materialzusammensetzung auf einem Substrat (9);b) Durchführen einer Zwischenbearbeitung des Substrats mit der ersten Schicht;c) Ausbilden einer Zusatzschicht mit einer zweiten Materialzusammensetzung, wobei sich die erste Materialzusammensetzung und die zweite Materialzusammensetzung um höchstens 5 Gewichtsprozent voneinander unterscheiden, zumindest stellenweise unmittelbar auf der ersten Schicht; undd) Aufbringen einer zweiten Schicht (2) zumindest stellenweise unmittelbar auf die Zusatzschicht.Weiterhin wird ein Schichtstapel angegeben.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
    23.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014114194A1

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：DE102014114194

    申请日：2014-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： KLEMP CHRISTOPH

    IPC: H01L33/20 ,  H01L21/306 ,  H01L33/30

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) und einem Trägersubstrat (10) beschrieben, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen ersten Halbleiterbereich (5) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Halbleiterbereich (3) eines zweiten Leitungstyps und eine zwischen dem ersten Halbleiterbereich (5) und dem zweiten Halbleiterbereich (3) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, und wobei der erste Halbleiterbereich (5) dem Trägersubstrat (10) zugewandt ist. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist erste Ausnehmungen (11), die in dem ersten Halbleiterbereich (5) ausgebildet sind und die aktive Schicht (4) nicht durchtrennen, und zweite Ausnehmungen (12), die zumindest teilweise den ersten Halbleiterbereich (5) und die aktive Schicht (4) durchtrennen, auf, wobei die zweiten Ausnehmungen (12) an eine erste Ausnehmung (11) angrenzen oder zwischen zwei ersten Ausnehmungen (12) angeordnet sind. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
    24.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102013104953A1

    公开(公告)日：2014-12-04

    申请号：DE102013104953

    申请日：2013-05-14

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BRÖLL MARKUS ,  KLEMP CHRISTOPH ,  SCHMID WOLFGANG

    IPC: H01L33/36 ,  H01L21/283

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Halbleiterkristalls, der eine Oberfläche aufweist, zum Aufbringen einer ersten Schicht, die ein Dielektrikum aufweist, auf die Oberfläche, zum Aufbringen und Strukturieren einer Fotolackschicht auf der ersten Schicht, wobei die Fotolackschicht so strukturiert wird, dass sie eine Öffnung aufweist, zum teilweisen Herauslösen der ersten Schicht, um einen lateralen Bereich der Oberfläche freizulegen, zum Aufbringen einer Kontaktfläche, die ein erstes Metall aufweist, im lateralen Bereich der Oberfläche, zum Entfernen der Fotolackschicht, zum Aufbringen einer zweiten Schicht, die ein optisch transparentes, elektrisch leitfähiges Material aufweist, und zum Aufbringen einer dritten Schicht, die ein zweites Metall aufweist.

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