公开(公告)号：FR2955205A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une réalisation d'un premier substrat (1) semiconducteur comportant une formation d'une première couche (5) et d'une deuxième couche (4) entre une première face (7) et une deuxième face (2) du substrat, une réalisation de premiers composants (10) et d'une partie d'interconnexion au niveau et au dessus de la deuxième face (2), un amincissement du substrat comprenant une première gravure sélective du premier substrat depuis la première face (7) avec arrêt sur la première couche (5) suivie d'une deuxième gravure sélective avec arrêt sur la deuxième couche (4).

公开(公告)号：FR2950504A1

公开(公告)日：2011-03-25

申请号：FR0956600

申请日：2009-09-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： BARBIER FREDERIC ,  ROY FRANCOIS

IPC: H04N5/335 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

Abstract: L'invention concerne un circuit de pixel d'un capteur d'image comprenant un noeud de détection (106) pour mémoriser une charge transférée à partir d'une ou plusieurs photodiodes (102) ; et un transistor à source suiveuse (210) dont la grille est couplée au noeud de détection et la source est couplée à une ligne de sortie (114) du circuit de pixel par l'intermédiaire d'un transistor de lecture (212), dans lequel le contact de caisson du transistor à source suiveuse est couplé à la ligne de sortie (114).

公开(公告)号：FR2930676A1

公开(公告)日：2009-10-30

申请号：FR0852759

申请日：2008-04-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  RAMADOUT BENOIT

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'image formé dans un empilement semiconducteur d'une région inférieure d'un premier type de conductivité (27) et d'une région supérieure d'un second type de conductivité (25), comprenant : une photodiode constituée d'une première portion dudit empilement ; une zone de lecture constituée d'une deuxième portion dudit empilement ; une tranchée à parois isolées (31, 45) remplie d'un matériau conducteur (35), la tranchée entourant la photodiode et la zone de lecture et étant interrompue, sur toute sa hauteur, sur une partie en regard de la photodiode et de la zone de lecture ; et un premier moyen de connexion associé au matériau conducteur de la tranchée et adapté à être connecté à une tension de polarisation de référence.

公开(公告)号：FR3069371A1

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：FR1756836

申请日：2017-07-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: Dispositif électronique, capteur d'images, comprenant : une première partie (2) incluant une plaquette de substrat (4) pourvue d'un côté de circuits électroniques (6) et d'une couche diélectrique (7) incluant un réseau de connexions électriques (8) et présentant une face (5) pourvue de contacts électriques (10) ; et une deuxième partie (3) apte à générer des signaux électriques sous l'effet de la lumière, sous la forme de pixels, incluant une plaquette de substrat (11) pourvue d'un côté de circuits électroniques (13) et d'une couche diélectrique (14) incluant un réseau de connexions électriques (15), présentant une face (16) pourvue de contacts électriques (17) et, de l'autre côté, d'une plaquette secondaire (19) déterminant lesdits pixels. Lesdites faces (9, 16) et lesdits contacts électriques (10, 17) sont accolés. Des plots de connexion extérieure (22) aménagés dans des trous (21) de ladite plaquette secondaire (19) sont reliés audit réseau (15) de ladite deuxième partie (3).

公开(公告)号：FR3013506A1

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：FR1361193

申请日：2013-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium fortement dopée sur un substrat de silicium (30) plus faiblement dopé, ce procédé comportant les étapes suivantes consistant à déposer une couche de silicium amorphe fortement dopée (32) ; déposer une couche de nitrure de silicium (34) ; et chauffer la couche de silicium amorphe à une température supérieure ou égale à la température de fusion du silicium.

公开(公告)号：FR2989519A1

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：FR1253425

申请日：2012-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  FIORI VINCENT

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/302

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes suivantes : former des structures élémentaires d'un capteur d'image (48) sur la première face d'un substrat semiconducteur (30) ; reporter une poignée (52) sur ladite première face ; définir des tranchées dans la poignée (52), lesdites tranchées formant un motif dans la poignée ; et reporter, sur un support courbe en creux (60) le dispositif obtenu, du côté de la face libre de la poignée (52), ledit motif étant choisi en fonction de la forme de la surface du support (60).

公开(公告)号：FR2974238A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153178

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant du substrat, des zones (38) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur, s'étendant en profondeur sous ladite face avant, ces zones étant bordées de régions isolantes (35) orthogonales à la face avant ; b) amincir le substrat par la face arrière jusqu'à proximité desdites zones et jusqu'à atteindre les régions isolantes ; c) évider partiellement les régions isolantes du côté de la face arrière ; et d) recuire superficiellement, par laser, la face arrière du substrat.

公开(公告)号：FR2974237A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153177

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images (21) à éclairement par la face arrière formé à partir d'un substrat semiconducteur (23) aminci, dans lequel : une électrode (29) conductrice transparente, isolée du substrat par une couche isolante (27), s'étend sur toute la face arrière du substrat ; et des régions (37) conductrices, isolées du substrat par un revêtement isolant (39), s'étendent orthogonalement depuis la face avant du substrat jusqu'à ladite électrode.

公开(公告)号：FR2955700B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：FR1050565

申请日：2010-01-28

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/142

公开(公告)号：FR2969821A1

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：FR1061198

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MICHELOT JULIEN

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

Abstract: Dispositif d'imagerie formé dans un substrat (8) semi-conducteur comprenant un réseau matriciel de photosites, chaque photosite comportant une zone semi-conductrice de stockage de charges (90), une zone semi-conductrice de lecture de charges (3) propre audit photosite, et des moyens de transfert de charges configurés pour autoriser un transfert de charges entre la zone de stockage de charges (90) et la zone de lecture de charges (3). Chaque photosite comprend au moins une première électrode (2) enterrée dont au moins une partie délimite au moins une partie de ladite zone de stockage de charges (90), et les moyens de transfert de charges de chaque photosite comprennent au moins deuxième une électrode enterrée (4).