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公开(公告)号：FR3066269B1
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：FR1754047
申请日：2017-05-09
Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： TROCHUT SEVERIN , MONFRAY STEPHANE , BOISSEAU SEBASTIEN
Abstract: L'invention concerne un module de mesure (100) comprenant : un générateur électrique à récupération d'énergie ambiante (103) ; un élément capacitif de stockage (105) de l'énergie électrique produite par le générateur ; une batterie électrique (107) ; une première branche (B1) reliant un noeud de sortie (A) du générateur (103) à une première électrode (B) de l'élément capacitif de stockage ; une deuxième branche (B2) reliant une première borne (C) de la batterie à la première électrode de l'élément capacitif de stockage ; et un circuit actif (115) adapté à émettre un signal radio d'indication d'évènement à chaque fois que la tension aux bornes de l'élément capacitif de stockage dépasse un premier seuil, dans lequel, en fonctionnement, l'élément capacitif de stockage reçoit simultanément, un premier courant de charge provenant du générateur via la première branche, et un deuxième courant de charge provenant de la batterie via la deuxième branche.
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公开(公告)号：FR3009907B1
公开(公告)日：2015-09-18
申请号：FR1358072
申请日：2013-08-20
Inventor： MONFRAY STEPHANE , MAITRE CHRISTOPHE , KOKSHAGINA OLGA , SKOTNICKI THOMAS , SOUPREMANIEN ULRICH
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公开(公告)号：DE602007004139D1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：DE602007004139
申请日：2007-03-16
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUTARTRE DIDIER , TALBOT ALEXANDRE
IPC: H01L29/786
Abstract: The method involves forming an intermediate semiconductor layer (6) above a substrate (2), where the layer contains an alloy of silicon and germanium. Source, drain and insulated gate regions (11,12,9) of a MOS transistor are formed above the semiconductor layer. The semiconductor layer is oxidized from a lower surface of the layer for increasing concentration of germanium in a channel of the transistor.
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公开(公告)号：FR2860919B1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：FR0350665
申请日：2003-10-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： MONFRAY STEPHANE , HALIMAOUI AOMAR , CORONEL PHILIPPE , LENOBLE DAMIEN , FENOUILLET BERANGER CLAIRE
IPC: H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: A region of monocrystalline silicon (20, 124 - 128) on insulator on silicon (24, 120) is destined to receive at least one component. The insulator (26) comprises some over-thickness (OT). Independent claims are also included for: (a) a component realised in such a region of monocrystalline silicon; (b) the fabrication of a semiconductor on insulator region; (c) the fabrication of a MOS transistor.
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公开(公告)号：FR2899017A1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：FR0602467
申请日：2006-03-21
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： MONFRAY STEPHANE , SKOTNICKI THOMAS , DUTARTRE DIDIER , TALBOT ALEXANDRE
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor MOS comprenant :a) la formation, au-dessus d'un substrat 2, d'une couche semiconductrice intermédiaire 6 contenant un alliage de silicium et de germanium,b) la réalisation des régions 11, 12, 9 de source, de drain et de grille isolée du transistor, au-dessus de la couche intermédiaire 6,c) l'oxydation de la couche intermédiaire 6 à partir de sa surface inférieure de façon à augmenter la concentration de germanium dans le canal du transistor.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR2881416B1
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：FR0550276
申请日：2005-01-31
Inventor： ABELE NICOLAS , ANCEY PASCAL , TALBOT ALEXANDRE , SEGUENI KARIM , BOUCHE GUILLAUME , SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , CASSET FABRICE
Abstract: The microresonator has a resonant unit (160) made from monocrystalline silicon, and activation electrodes (120, 121) positioned close to the resonant unit. The unit (160) is placed in an opening in a semiconductor layer (110) that covers a substrate (100). The electrodes (120, 121) are formed in the layer and leveled with the opening. The unit (160) is in the shape of mushroom whose leg is fixed on the substrate. An independent claim is also included for a method of fabricating a microresonator.
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公开(公告)号：FR2881416A1
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：FR0550276
申请日：2005-01-31
Inventor： ABELE NICOLAS , ANCEY PASCAL , TALBOT ALEXANDRE , SEGUENI KARIM , BOUCHE GUILLAUME , SKOTNICKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , CASSET FABRICE
Abstract: L'invention concerne un microrésonateur comprenant un élément résonant (160) en silicium monocristallin et au moins une électrode d'activation (120, 121) placée à proximité de l'élément résonant, dans lequel l'élément résonant est placé dans une ouverture d'une couche semiconductrice (110) recouvrant un substrat (100), l'électrode d'activation étant formée dans la couche semiconductrice et affleurant au niveau de l'ouverture.
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公开(公告)号：FR2865850B1
公开(公告)日：2006-08-04
申请号：FR0401018
申请日：2004-02-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： SKOTNICKI THOMAS , CHANEMOUGAME DANIEL , MONFRAY STEPHANE
IPC: H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/786
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公开(公告)号：FR2860919A1
公开(公告)日：2005-04-15
申请号：FR0350665
申请日：2003-10-09
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE
Inventor： MONFRAY STEPHANE , HALIMAOUI AOMAR , CORONEL PHILIPPE , LENOBLE DAMIEN , FENOUILLET BERANGER CLAIRE
IPC: H01L21/762 , H01L21/336
Abstract: A region of monocrystalline silicon (20, 124 - 128) on insulator on silicon (24, 120) is destined to receive at least one component. The insulator (26) comprises some over-thickness (OT). Independent claims are also included for: (a) a component realised in such a region of monocrystalline silicon; (b) the fabrication of a semiconductor on insulator region; (c) the fabrication of a MOS transistor.
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公开(公告)号：FR2821483B1
公开(公告)日：2004-07-09
申请号：FR0102745
申请日：2001-02-28
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： SKOTNIKI THOMAS , MONFRAY STEPHANE , VILLARET ALEXANDRE
IPC: H01L21/336 , H01L21/762
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