公开(公告)号：CN104215236A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310221698.5

申请日：2013-06-05

Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所

Inventor： 于连忠 ,  孙晨

IPC: G01C19/574 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01C19/5769 ,  B81B3/0048 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5747

Abstract: 一种MEMS反相振动陀螺仪，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体为两个，沿垂直方向相对连接，每个所述测量体包括外框架、位于所述外框架内的内框架以及位于所述内框架内的质量块；两个所述测量体之间通过所述外框架相连接；所述外框架与所述内框架之间通过第一弹性梁相连接；所述质量块与所述内框架通过所述第二弹性梁相连接；所述内框架与所述外框架之间的相对边设置有梳状耦合结构；两个所述质量块在垂直方向上以相反方向振动，本发明通过测量所述梳状耦合结构之间的电容变化来测量旋转角速度。本发明具有检测灵敏度高、耦合能耗小、噪声小等特点。

公开(公告)号：CN104169657A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013497.4

申请日：2013-03-12

Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司

Inventor： A·J·霍利达

IPC: F24F7/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B01D53/228 ,  B01D69/12 ,  B01D71/06 ,  B23B3/00 ,  B32B3/266 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0004 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00293 ,  H04R1/28 ,  H04R25/456 ,  H04R2460/11 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24331

Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。

公开(公告)号：CN104053626A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280063151.0

申请日：2012-10-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·洛萨 ,  R·佩祖托 ,  R·坎佩代利 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 ,  M·珀尔提 ,  L·埃斯波西托

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02178 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/0228

Abstract: 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤：通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。

公开(公告)号：CN103964376A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310148440.7

申请日：2013-04-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱家骅 ,  李德浩 ,  李久康 ,  梁凯智 ,  林宗贤 ,  郑钧文

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00039 ,  B81C1/00261 ,  B81C2203/035

Abstract: 本发明公开了示例性双层微机电系统(MEMS)器件以及其制造方法。一种示例性方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，SOI衬底包括通过绝缘层隔开的第一硅层与第二硅层；对第一硅层进行处理以形成MEMS器件的第一结构层；将第一结构层接合至衬底；以及对第二硅层进行处理以形成MEMS器件的第二结构层。

公开(公告)号：CN103917482A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201280053446.X

申请日：2012-10-30

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·坎佩代利 ,  R·佩祖托 ,  S·洛萨 ,  M·曼托瓦尼 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚

IPC: B81B7/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00476 ,  H01L29/84

Abstract: 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)：本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。

公开(公告)号：CN103477421A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280018240.3

申请日：2012-11-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 富泽浩 ,  古市卓也

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L22/14 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00563 ,  B81C2201/0132 ,  H01L22/26 ,  H01L22/30

Abstract: 本发明提供一种蚀刻完成检测方法，不论开口宽度多大都可正确检测SOI基板蚀刻完成位置。该方法在绝缘层上配置有导电性硅层的SOI基板的所述硅层中、蚀刻到达所述绝缘层的开口部时，检测蚀刻的完成，在由所述蚀刻形成的环状开口部围绕的条状区域的表面配置第一电极部，并在所述岛状区域的外侧区域配置第二电极部，构成蚀刻完成检测部，测量所述第一电极部和所述第二电极部之间的电阻，当该电阻超过预先设定的阈值时，判定到达蚀刻完成位置。

公开(公告)号：CN103430340A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280013178.9

申请日：2012-03-09

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： J·P·布莱克 ,  S·K·加纳帕斯 ,  P·J·史蒂芬诺 ,  K·E·彼得森 ,  C·阿卡 ,  R·V·夏诺伊 ,  N·I·布坎南

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/113 ,  B81B5/00 ,  G01C19/56 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L41/1132 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0242 ,  G01C19/5769 ,  H01L41/08 ,  H01L41/081

Abstract: 本公开提供了用于机电系统的系统、装置以及制造方法。在一个实施方式中，一种装置包括金属检验质量块和压电组件以作为MEMS设备的一部分。这样的装置对于MEMS陀螺仪设备可以是特别有用的。例如，可以具有数倍于硅的密度的金属检验质量块能够减少MEMS陀螺仪设备中的正交和偏移误差，并且能够增加MEMS陀螺仪设备的灵敏度。

公开(公告)号：CN101449347B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200780017871.2

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： C·A·雷 ,  J·布雷泽克

IPC: H01G5/00

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/40

Abstract: 本文公开的器件是在所有关键压力点上都具有单晶硅的电容性传感器。通过开槽和重新填充形成隔离沟槽，来形成电介质隔离的用于驱动、传感和保护的导电硅电极。对于根据本发明的压力传感器件，其为便于封装，使压力孔与电引线接合焊盘相反。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过原样复制加速度计并令其绕其平面外轴旋转90度容易实现平面内的第三轴。用此工艺技术可生成谐振斜钩、角速度传感器、辐射热测量仪、及许多其他结构。关键优点是密闭性、垂直通孔、垂直和水平间隙能力、单晶材料、晶片级封装、小尺寸、高性能和低成本。

公开(公告)号：CN103011051A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210357223.4

申请日：2012-09-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 瀧澤照夫

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01C19/5712 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2203/0145 ,  G01C25/00 ,  Y10T29/4989 ,  Y10T29/4998

Abstract: 本发明涉及电子装置及其制造方法、以及电子设备。所述电子设备具有较高的可靠性。所述电子装置包括：基体；功能元件，其被载置于基体上；盖体，其由硅制成，并以覆盖功能元件的方式被载置于基体上，在盖体上，设置有孔部、和对孔部进行封塞的密封部件，孔部中，与基体侧的第一开口的面积相比，第一开口的相反侧的第二开口的面积较大，密封部件的体积相对于孔部的体积的比率在35％以上且87％以下。

公开(公告)号：CN102947217A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201180019427.0

申请日：2011-04-15

Applicant: 森松诺尔有限公司

Inventor： 佐蒙德·基特尔斯兰德 ,  丹尼尔·勒珀达图 ,  西塞尔·雅各布森 ,  特朗德·维斯特高

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0191 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/058

Abstract: 一种在用于制造密封结构的硅－绝缘体复合晶片内提供密封的方法，包括步骤：图案化第一硅晶片，以使该第一硅晶片具有至少部分地延伸穿过该第一硅晶片的一个或多个凹槽；利用绝缘体材料填充所述凹槽，该绝缘体材料能够被阳极键合到硅，以形成具有多个硅－绝缘体界面和由绝缘体材料组成的第一接触表面的第一复合晶片；以及在该第一接触表面以及与其相对的第二接触表面上利用阳极键合技术，以在硅－绝缘体界面间产生密封，其中，该第二接触表面由硅组成。