公开(公告)号：CN106946214A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201610832295.8

申请日：2016-09-19

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 查德·S·道森 ,  斯蒂芬·R·胡珀 ,  李丰园 ,  阿尔温德·S·萨利安

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00309 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00865 ,  B81C2203/0109 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/02 ,  B81B2207/09 ,  B81C1/00261 ,  B81C1/00269 ,  B81C2201/01

Abstract: 本发明涉及一种MEMS传感器封装，MEMS传感器封装包括MEMS管芯，MEMS管芯包括具有在其上形成的传感器的基板和耦合到基板的顶盖层。顶盖层具有上覆于传感器所驻留的基板区的空腔。端口在空腔和MEMS管芯的侧壁之间延伸，并使流体能够进入到所述空腔中。制造方法涉及提供具有在其上形成的传感器的基板结构，提供具有朝内延伸的空腔的顶盖层结构，以及在空腔对之间形成通道。顶盖层结构与基板结构耦合，并且每一通道插入在一对空腔之间。切割过程产生一对传感器封装，传感器封装各自具有通过分割所述通道形成的端口，其中端口在切割期间暴露，在其相应的空腔和所述传感器封装的侧壁之间延伸。

公开(公告)号：CN105217560B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510359084.2

申请日：2015-06-25

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  H·弗雷利施 ,  M·福格特 ,  M·施特格曼 ,  B·宾德

IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00 ,  G01L1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2203/0721 ,  B81C2203/0735 ,  G01D5/145 ,  G01L9/0073

Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机械系统和用于制造微机械系统的方法，该方法包括：在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；在FEOL工艺之后，形成牺牲层；对牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；形成至少部分地覆盖经结构化的牺牲层的功能层；以及去除牺牲层以创建空腔。

公开(公告)号：CN104555887B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410547282.7

申请日：2014-10-15

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·玛吉 ,  S·康蒂

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00825 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/032 ,  H04R19/005

Abstract: 一种微机电器件包括：衬底；键合至衬底并且并入微结构的半导体裸片；位于裸片和衬底之间的粘合膜层；以及位于裸片和膜粘合层之间的保护层。该保护层有开口，并且粘合膜层透过这些开口粘合至保护层。

公开(公告)号：CN103663346B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310361495.6

申请日：2013-08-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·G·齐廖利 ,  F·V·丰塔纳 ,  L·马吉

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0118 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H04R1/086 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种封装器件，其中芯片(6)的至少一个敏感部分(7)被包围在由封装(3、2；33；62、63、70、73)形成的室(4；64；74)中。该封装具有可渗透空气区域(17)和排液结构(16；30；56)以便实现在外部环境和室之间的空气通道并且阻挡液体通道，该可渗透空气区域(17)具有多个孔(15)。

公开(公告)号：CN104054357B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280067451.6

申请日：2012-11-14

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 中河佑将 ,  笠井隆 ,  多田罗佳孝

IPC: H04R19/04 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84 ,  H04R31/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  G01H11/06 ,  G01L9/12 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明提供一种电容式传感器及其制造方法，在硅基板(32)上设置在上下开口的贯通孔膜(35)。隔膜(35)的周缘部与硅基板(32)的上面隔开间隙而相对，在隔膜(35)的周缘部下面和硅基板(32)的上面之间形成用于使声响振动通过的通风孔(36)。在隔膜(35)的上方经由气隙设置固定电极膜(46)。在硅基板(32)的上面中的与隔膜(35)的周缘部重合的区域，设置至少一部分由倾斜面构成的排气部(34)。排气部(34)以至少在一部分与硅基板(32)的上面平行的截面面积随着从排气部(34)的上面开口向下方而变小的方式形成。排气部(34)的倾斜面由硅基板(32)的最稠密面构成。(33)。在硅基板(32)的贯通孔(33)的上方配置隔

公开(公告)号：CN103663344B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201310415336.X

申请日：2013-09-12

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： 戴维·L·马克斯 ,  B·伯坎肖 ,  J·布雷泽克

IPC: H01L23/48

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  H01L23/481 ,  H01L28/40 ,  H01L28/60 ,  H01L28/82 ,  H01L29/84 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。

公开(公告)号：CN102749159B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201210118992.9

申请日：2012-04-20

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 史蒂芬·R·胡珀 ,  德怀特·L·丹尼尔斯 ,  詹姆斯·D·麦克唐纳 ,  威廉·G·麦克唐纳 ,  春林·C·夏

IPC: G01L1/18

CPC classification number: G01L9/0052 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  G01L19/0672 ,  G01L19/147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/16152

Abstract: 本发明提供了一种具有密封结构的传感器器件。传感器器件包括传感器结构(102)，该传感器结构(102)包括具有在其上形成的感测装置的第一部分(108)，以及第二结构(106)。密封结构(104)被插入在传感器结构(102)和第二结构(106)之间，其中密封结构(104)包围传感器结构(102)的第一部分(108)。密封结构(104)建立在第一部分(108)的第一侧上的固定基准压力，并且第一部分(108)的相对侧暴露于环境压力。

公开(公告)号：CN106082108A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN104662399B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380049578.X

申请日：2013-06-18

Applicant: 国立大学法人东京大学 ,  株式会社鹭宫制作所

Inventor： 藤田博之 ,  年吉洋 ,  三屋裕幸

IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  H01L29/84

Abstract: 本发明提供没有密封层侵入内腔内并填埋内腔的可能且能够以简单的工序形成具有作为预期目标的规定形状的内腔，并且作为设备具有期待功能的设备部件以及其制造方法。该设备部件具备：由半导体构成的基板部件(12)；形成于基板部件(12)的上表面且具有绝缘性的中间层(14)；形成于中间层(14)的上表面且由半导体构成的上面层(16)；形成于上面层(16)的开口部(18)；以及以密封开口部(18)的方式形成的透气性的密封层(20)，内腔(22)是由透过密封层(20)的蚀刻气体来除去中间层(14)而形成的内腔(22)。

公开(公告)号：CN106029553A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480075720.2

申请日：2014-12-22

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： U·汉森

IPC: B81B7/00

CPC classification number: G01D11/245 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00325

Abstract: 用于微机械传感器元件(10)的壳体(100)，具有：‑空腔(30)，所述传感器元件(10)能布置在该空腔中；‑和减振元件(20)，其中，所述微机械传感器元件(10)在所述空腔(30)中能借助所述减振元件(20)这样固定，使得所述减振元件(20)和所述传感器元件(10)共同具有一个基本上共同的质心。