公开(公告)号：CN100515921C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN03826364.5

申请日：2003-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宓晓宇 ,  高马悟觉 ,  壶井修 ,  岩城匡郁 ,  奥田久雄 ,  曾根田弘光 ,  上田知史 ,  佐胁一平

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00547 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G02B26/0841

Abstract: 用于制造具有薄壁部(T1～T3)的微型结构体的方法，包含如下工序：通过对包含由第一导体层(11)以及具有与薄壁部(T1～T3)的厚度相当的厚度的第二导体层(12)构成的层叠结构的材料基板，从第一导体层(11)侧进行第一蚀刻处理，从而在第二导体层(12)中形成了在该第二导体层(12)的面内方向上具有间隔开的一对侧面并与第一导体层(11)连接的预备薄壁部(T1’～T3’)的工序；通过从第一导体层(11)侧起的第二蚀刻处理，除去在第一导体层(11)中与预备薄壁部(T1’～T3’)连接的地方并形成薄壁部的工序。

公开(公告)号：CN1511259A

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN02810445.5

申请日：2002-03-21

Applicant: VTI技术有限公司

Inventor： H·奎斯马 ,  J·拉登佩雷 ,  R·穆蒂凯宁

IPC: G01P15/00 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00182 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/0817

Abstract: 本发明涉及一种制造硅传感器结构的方法以及一种硅传感器。根据该方法，通过在单晶硅薄片(10)内蚀刻开口来形成至少一个弹簧元件轮廓(7)和至少一个与弹簧元件结构(7)连接的测震质量(8)的步骤。根据本发明，延伸通过该硅薄片深度的开口和沟槽(8)通过干蚀刻法制造，而用于控制该弹簧元件轮廓(7)弹簧常数的蚀刻方法以湿蚀刻法为根据。

公开(公告)号：CN108502840A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810270664.8

申请日：2018-03-29

Applicant: 中国科学技术大学

Inventor： 蔡洪冰 ,  赵慧 ,  王晓平 ,  罗毅

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B1/00 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00031 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种高效率制备环状纳米间隙有序阵列的方法，包括以下步骤：A)在衬底表面沉积一层酸不溶性薄膜；B)在所述酸不溶性薄膜表面自组装小球单层有序膜；C)采用反应离子刻蚀所述小球单层有序膜，得到粒径减小的小球；D)采用氩离子刻蚀所述粒径减小的小球间的、步骤A)所述的酸不溶性薄膜；E)通过单原子层沉积技术在步骤D)得到的产物表面沉积一层酸溶性薄膜；F)在所述步骤E)得到的产物表面沉积一层与步骤A)中厚度相同的酸不溶性薄膜；G)用酸溶液刻蚀掉步骤F)得到的产物表面的酸溶性薄膜，用溶剂去除所述粒径减小的小球，得到环状纳米间隙有序阵列。

公开(公告)号：CN105431376B

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201480042006.3

申请日：2014-07-23

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 莫塞斯·M·大卫 ,  余大华 ,  丹尼尔·S·巴特斯 ,  杰施里·塞思 ,  迈克尔·S·贝格尔 ,  卡斯腾·弗兰克 ,  塞巴斯蒂安·F·泽亨特迈尔

IPC: B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC classification number: C23C16/0245 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0132 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/606 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结构和纳米结构化制品的方法，该方法通过以下方式：由从气态混合物进行的等离子体化学气相沉积来将层沉积到基底的主表面上同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基底；将在形成为等离子体时能够将层沉积到基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻基底的第二气态物质混合，从而形成气态混合物；将气态混合物形成为等离子体；以及使基底的表面暴露于等离子体，其中表面被蚀刻，并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上，从而形成纳米结构。基底可为(共)聚合物材料、无机材料、合金、固溶体或它们的组合。沉积的层可以包括使用反应性气体进行的等离子体化学气相沉积的反应产物，该反应性气体包括选自以下的化合物：有机硅化合物、金属烷基化合物、金属异丙氧化物化合物、金属乙酰丙酮化物、金属卤化物以及它们的组合。可以制备具有高纵横比并且在至少一个维度上并且优选在三个正交维度上任选地具有无规维度的纳米结构。

公开(公告)号：CN104795311B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201410027719.4

申请日：2014-01-21

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 伏广才 ,  杨天伦 ,  张校平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L23/5283 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00095 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/475 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53247 ,  H01L29/0649 ,  H01L2221/1063

Abstract: 一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一电极层，所述第一电极层表面具有牺牲层；在所述牺牲层表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料为导电材料；在第一掩膜层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出部分与第一电极层位置对应的第一掩膜层表面；以图形化层为掩膜，刻蚀所述第一掩膜层和牺牲层，直至暴露出第一电极层表面为止，在所述第一掩膜层和牺牲层内形成开口；进行清洗工艺，去除附着于第一掩膜层表面、以及开口的侧壁和底部表面的刻蚀副产物；在进行清洗工艺之后，在所述开口内形成导电插塞。所形成的半导体器件性能得到改善。

公开(公告)号：CN105189821B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201480021763.2

申请日：2014-04-09

Applicant: 崔波 ,  里彭·库马尔·戴

Inventor： 崔波 ,  里彭·库马尔·戴

IPC: C23F1/02 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/12 ,  G01Q70/16

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81B1/008 ,  B81B2201/12 ,  B81B2203/0361 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/053 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01Q70/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。

公开(公告)号：CN103303859B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310076476.9

申请日：2013-03-11

Applicant: 矽立科技有限公司

Inventor： 桑德希尔·S·希瑞达拉莫尔希 ,  提-希斯·特伦斯·李 ,  阿里·J·拉斯特加尔 ,  姆谷拉尔·斯唐库 ,  肖·查理斯·杨

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00801 ,  B81B3/0013 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0022 ,  B81B7/0064 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2207/094 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/05 ,  B81C2203/0735 ,  H01L27/0688

Abstract: 一种用于制造集成MEMS-CMOS装置的方法，该方法使用微制造处理，该微制造处理通过在CMOS的顶部焊接机械结构晶片且使用诸如深反应离子蚀刻（DRIE）的等离子体蚀刻处理来蚀刻机械层，在传统CMOS结构的顶部实现移动机械结构（MEMS）。在蚀刻机械层的过程中，直接连接到机械层的CMOS装置暴露于等离子体。这有时导致对CMOS电路的永久损坏，且称为等离子体诱发损坏（PID）。本发明的目的是防止或降低该PID且通过接地并为CMOS电路提供替代路径来保护底层CMOS电路，直到MEMS层完全被蚀刻。

公开(公告)号：CN106276772A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610465132.0

申请日：2016-06-23

Applicant: 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司

Inventor： A·甘德尔曼 ,  A·皮恩

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  B81C2201/0112 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2201/0198 ,  G04B13/02 ,  G04B13/026 ,  G04B13/027 ,  G04D99/00 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0074 ,  B81C1/00 ,  B81C1/00388

Abstract: 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。

公开(公告)号：CN104215236B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310221698.5

申请日：2013-06-05

Applicant: 中国科学院地质与地球物理研究所

Inventor： 于连忠 ,  孙晨

IPC: G01C19/574 ,  G01C19/5769

CPC classification number: G01C19/5769 ,  B81B3/0048 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00531 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0118 ,  G01C19/574 ,  G01C19/5747

Abstract: 一种MEMS反相振动陀螺仪，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板以及下盖板；所述测量体为两个，沿垂直方向相对连接，每个所述测量体包括外框架、位于所述外框架内的内框架以及位于所述内框架内的质量块；两个所述测量体之间通过所述外框架相连接；所述外框架与所述内框架之间通过第一弹性梁相连接；所述质量块与所述内框架通过所述第二弹性梁相连接；所述内框架与所述外框架之间的相对边设置有梳状耦合结构；两个所述质量块在垂直方向上以相反方向振动，本发明通过测量所述梳状耦合结构之间的电容变化来测量旋转角速度。本发明具有检测灵敏度高、耦合能耗小、噪声小等特点。

公开(公告)号：CN106029554A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009172.8

申请日：2015-02-05

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： J·克拉森 ,  T·克拉默 ,  D·C·迈泽尔 ,  H·本泽尔 ,  J·弗莱 ,  C·舍林

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/017 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明提出一种传感器单元，其具有第一半导体器件和第二半导体器件，其中，所述第一半导体器件具有第一衬底和传感器结构，其中，所述第二半导体器件具有第二衬底，其中，所述第一和第二半导体器件通过晶圆连接部彼此连接，其中，所述传感器单元具有脱耦结构，该脱耦结构配置为，使得所述传感器结构热机械地和/或机械地与所述第二半导体器件脱耦。