公开(公告)号：CN1894763A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037117.1

申请日：2004-12-09

Applicant: 山米奎普公司

Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 ,  罗伯特·W·米尔加特三世 ,  小乔治·P·萨科 ,  戴尔·康拉德·雅各布森 ,  韦德·艾伦·科鲁尔

IPC: H01J7/24

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  C23C14/564 ,  H01J9/38 ,  H01J27/02 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  Y10T137/0357 ,  Y10T137/7759 ,  Y10T137/776 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/85954 ,  Y10T137/85978 ,  Y10T137/85986 ,  Y10T137/86002

Abstract: 通过具有使用反应性卤素气体(F1，F2)就地蚀刻清理一离子源(400)及一提取电极(405)的设置的源及通过具备可延长清理之间运行持续时间的特征来增强或延长离子源(400)的运行寿命。后者包括：进行精确的蒸气流量控制，进行离子束光学元件的精确聚焦，及对所述提取电极进行温度控制以防止形成沉积物或防止电极被破坏。一种由一用于产生掺杂剂离子以进行半导体晶片处理的离子源构成的装置耦接至一远端等离子体源，所述远端等离子体源向第一离子源输送F或Cl离子以便清理所述第一离子源及所述提取电极中的沉积物。这些方法及装置能在以可冷凝的溃入气体(例如升华的蒸气源)运行时实现长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化砷元素及磷元素时能实现长的设备正常运行时间、并有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及装置。

公开(公告)号：CN109716479A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057110.3

申请日：2017-09-27

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 尼尔·科尔文 ,  哲-简·谢

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种用于改善离子注入性能的离子源组件和方法。该离子源组件具有离子源腔室，并且源气体供应源向离子源腔室提供分子碳源气体。激发源激发分子碳源气体，形成碳离子和原子碳。引出电极从离子源腔室中引出碳离子，形成离子束。过氧化氢共伴气体供应源向离子源腔室提供过氧化氢共伴气体。过氧化氢共伴气体分解并与原子碳反应，在离子源腔室内形成碳氢化合物。进一步引入惰性气体并使其离子化，以抵消因过氧化氢分解所致的阴极氧化。真空泵除去碳氢化合物，其中减少原子碳的沉积并且延长离子源腔室的使用寿命。

公开(公告)号：CN108675273A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810522047.2

申请日：2013-12-20

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： A.K.辛哈 ,  D.C.海德曼 ,  L.A.布朗 ,  S.M.坎珀 ,  R.施 ,  D.卢 ,  邱文斌 ,  高建纲

IPC: C01B23/00 ,  C01B3/00 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01L21/265 ,  C23C14/34 ,  F17C1/00

CPC classification number: H01L21/265 ,  C01B3/00 ,  C01B23/00 ,  C23C14/34 ,  F17C1/005 ,  F17C2201/0109 ,  F17C2201/0114 ,  F17C2201/035 ,  F17C2201/058 ,  F17C2203/0617 ,  F17C2205/0329 ,  F17C2205/0332 ,  F17C2205/0335 ,  F17C2205/0338 ,  F17C2205/035 ,  F17C2205/0385 ,  F17C2205/0391 ,  F17C2221/03 ,  F17C2223/0123 ,  F17C2225/038 ,  F17C2260/044 ,  F17C2270/0518 ,  F17C2270/0745 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/31701 ,  Y02E60/321 ,  Y02E60/324 ,  Y10T137/2012

Abstract: 本发明提供用于输送含CO的掺杂物气体组合物的供应源。所述组合物包括控制量的稀释剂气体混合物例如氙气和氢气，其各自以控制的体积比率提供以确保最佳的碳离子注入性能。所述组合物可包装为由含CO的供应源和稀释剂混合物供应源组成的掺杂物气体套件。备选地，所述组合物可预先混合并从单一来源引入，所述单一来源可响应沿排流路径所达到的负压条件而启动以允许掺杂物混合物从所述装置的内部体积受控流入离子源设备中。

公开(公告)号：CN105830193B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201480046186.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 大八木敏行 ,  四辻贵文

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/22 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26

CPC classification number: H01J37/222 ,  H01J37/22 ,  H01J37/244 ,  H01J37/26 ,  H01J37/28 ,  H01J37/285 ,  H01J2237/006

Abstract: 本发明提供一种电子显微镜，其利用需要施加电压的检测器，而得到放置在气体气氛中的样本的显微镜像。具备：气体导入装置，其用于向样本释放气体；气体控制装置，其在该气体导入装置的气体释放过程中，控制上述气体导入装置的气体释放量使得设置有检测器(49～51、55)的空间内的真空度持续保持为不满设定值。

公开(公告)号：CN106796863A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201680002430.4

申请日：2016-03-29

Applicant: 新明和工业株式会社

Inventor： 植村贤介 ,  阿列克谢·G·列姆涅夫

IPC: H01J37/30

CPC classification number: H01J37/3053 ,  C23C14/022 ,  C23C16/0245 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0825 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/3114 ,  H01J2237/3132 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明以提供一种除膜方法为技术问题，该除膜方法是对由像PCD(聚晶金刚石)那样的无机物包覆的刀具、机械零件等进行除膜以能够进行再利用的方法，进行离子照射时在被除膜基材(包覆件)不易产生死角，在温度方面在基材(金属制构件)不易产生脆性相，并且，能够经济且快速地进行除膜。该除膜方法是向在金属制构件的表面附着由无机物构成的覆膜而成的包覆件(1)照射离子流(7)、从所述金属制构件剥离所述覆膜的除膜方法，其特征在于，将包覆件(1)设置在两个以上的离子流(7)重叠的离子流集中部(7A)，不向包覆件(1)施加正负偏压地向包覆件(1)照射离子流(7)，利用这样的除膜方法能够解决所述技术问题。

公开(公告)号：CN103887132B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201210559934.X

申请日：2012-12-20

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 单易飞 ,  邬璐磊 ,  董春荣

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/082

Abstract: 一种注入装置的离子源和离子注入方法，其中所述离子源，包括：起弧腔，所述起弧腔用于容纳等离子体；灯丝，位于起弧腔的侧壁上，用于产生热电子，使通入起弧腔的离子源气体离子化为等离子体；反射极，位于起弧腔的与灯丝相对的侧壁上，用于反射灯丝产生的热电子；狭缝，位于起弧腔的顶部，作为等离子体的出口；源气体通入口，位于起弧腔的反射极和灯丝之间的侧壁上，用于通入离子源气体；清洁气体通入口，位于起弧腔的源气体通入口同侧的侧壁上，用于通入惰性清洁气体。提高了离子源的使用寿命。

公开(公告)号：CN104124141B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201310561130.8

申请日：2013-09-23

Applicant: 普莱克斯技术有限公司

Inventor： A·K·辛哈 ,  C·I·李

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J27/02 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658

Abstract: 在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源灯丝的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。

公开(公告)号：CN102881546B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201210240654.2

申请日：2012-07-12

Applicant: FEI公司

Inventor： A.格劳佩拉 ,  S.克罗格 ,  M.W.乌特劳特 ,  N.W.帕克

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3002 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0827

Abstract: 本发明涉及电感耦合等离子体（ICP）离子源中不同处理气体之间快速切换的方法和结构。可打开的气体通道实现在带电粒子束系统中的电感耦合等离子体源中的处理气体或热烘气体的快速泵出。阀，通常定位在源电极中或形成为气体入口的一部分，在打开以泵空等离子体腔时增加气体流导并且在操作等离子体源期间关闭。

公开(公告)号：CN103038854B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180022613.X

申请日：2011-05-04

Applicant: TEL艾派恩有限公司

Inventor： 迈克尔·格拉夫 ,  罗伯特·K·贝克尔 ,  克里斯多弗·T·雷迪 ,  诺尔·拉塞尔

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812

Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。

公开(公告)号：CN105908150A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610103190.9

申请日：2016-02-25

Applicant: FEI公司

Inventor： J.J.L.穆德斯 ,  P.H.F.特罗姆佩纳亚斯 ,  P.多纳

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C14/221 ,  B05B1/005 ,  B05B1/14 ,  B05B7/24 ,  H01J37/30 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31749 ,  C23C16/45574

Abstract: 本发明涉及用于在粒子光学仪器的真空室中施用至少两种流体的喷气系统(GIS)，喷气系统具有两个或更多个通道(102,110)，各个通道在第一侧连接至容纳流体的相关联的贮藏器，并且在另一侧具有相关联的出口开口，出口侧经由具有喷嘴开口的喷嘴而单独地退出至GIS的外侧，其特征在于，至少两个出口开口(106,108)以比出口开口附近的通道的直径更小的距离分离，优选地，彼此同中心。本发明还涉及前述GIS的使用，其中中心喷嘴引导高通量的例如氧气，而外部的同中心的喷嘴将例如MeCpPtMe3的金属前驱体以更小两个数量级的通量引导至样品。在单步骤式沉积方法中，通过高通量的氧气而使纯化的金属沉积。喷嘴能够形成为附加喷嘴，使得能够将现有的GIS升级。优选地通过使用例如钛的3?D打印技术而制造喷嘴。