公开(公告)号：WO2014130979A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/US2014/018147

申请日：2014-02-25

Applicant: EXOGENESIS CORPORATION ,  KIRKPATRICK, Sean, R.

Inventor： KIRKPATRICK, Sean, R.

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L23/48

CPC classification number: G03F1/80 ,  G03F1/50 ,  G03F1/82 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/05 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02065 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00012

Abstract: A method for treating a substrate surface uses Neutral Beam irradiation derived from a gas-cluster ion-beam and articles produced thereby including lithography photomask substrates. One embodiment provides a method of treating a surface of a substrate that contains one or more embedded particles or contains sub-surface damage, comprising the steps of: providing a reduced pressure chamber; forming a gas-cluster ion-beam comprising gas-cluster ions within the reduced pressure chamber; accelerating the gas-cluster ions to form an accelerated gas-duster ion-beam along a beam path within the reduced pressure chamber; promoting fragmentation and/or dissociation of at least a portion of the accelerated gas-cluster ions along the beam path; removing charged particles from the beam path to form an accelerated neutral beam along the beam path in the reduced pressure chamber; holding the surface in the beam path; and treating at least a portion of the surface of the substrate by irradiation.

Abstract translation: 用于处理基板表面的方法使用源自气体簇离子束的中性束照射和由其制造的制品包括光刻光掩模基板。 一个实施方案提供了一种处理含有一种或多种嵌入颗粒或含有亚表面损伤的基材表面的方法，包括以下步骤：提供减压室; 在所述减压室内形成包含气体簇离子的气体簇离子束; 加速气体簇离子以在减压室内沿着光束路径形成加速的气体 - 除尘器离子束; 促进沿着光束路径的加速气团离子的至少一部分的碎裂和/或解离; 从所述光束路径去除带电粒子以在所述减压室中沿着所述光束路径形成加速的中性光束; 将表面保持在光束路径中; 以及通过照射处理所述基材表面的至少一部分。

公开(公告)号：WO2007094432A1

公开(公告)日：2007-08-23

申请号：PCT/JP2007/052778

申请日：2007-02-15

Applicant: 株式会社アルバック ,  小方 誠司 ,  福井 了太 ,  横尾 秀和 ,  西橋 勉

Inventor： 小方 誠司 ,  福井 了太 ,  横尾 秀和 ,  西橋 勉

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/31703

Abstract: Provided is a small ion implanting apparatus for manufacturing single crystalline films, with stable parallelism of ion beams and high controllability of density distribution. The ion implanting apparatus extracts hydrogen ions or rare gas ions from an ion source (12), desired ions (B) are selected from a first fan-shaped electromagnet (14), the ions (B) are scanned by a scanner (16), the ions (B) are parallelized by a second fan-shaped electromagnet (18) and implanted into a substrate (20), and a single crystalline film is manufactured. The ion source (12) is arranged in the vicinity of an inlet side focal point (F1) of the first fan-shaped electromagnet (14). When the opening of the extracting section of the ion source (12) is made circular and that a deflection plane in the first fan-shaped electromagnet (14) matches with the inlet side focal point on a plane vertical to the deflection plane, the spot shape of the ion beam (B) after passing through the first fan-shaped electromagnet (14) becomes circular and completely parallel on the two planes.

Abstract translation: 提供了一种用于制造单晶膜的小离子注入装置，具有稳定的离子束平行度和高密度分布的可控性。 离子注入装置从离子源（12）提取氢离子或稀有气体离子，从第一扇形电磁体（14）中选择所需离子（B），离子（B）由扫描器（16）扫描， ，离子（B）由第二扇形电磁体（18）平行化并注入到基板（20）中，制造单晶膜。 离子源（12）布置在第一扇形电磁体（14）的入口侧焦点（F1）附近。 当离子源（12）的提取部分的开口形成圆形并且第一扇形电磁体（14）中的偏转平面与垂直于偏转平面的平面上的入口侧焦点匹配时，该点 通过第一扇形电磁体（14）后的离子束（B）的形状在两个平面上变为圆形并完全平行。

公开(公告)号：WO01075929A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：PCT/JP2000/002064

申请日：2000-03-31

IPC: G01Q30/02 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J37/22

CPC classification number: H01J37/26 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/2448 ,  H01J2237/24485 ,  H01J2237/26

Abstract: A scanning electron microscope with an energy filter which can positively utilize secondary electrons and/or reflected electrons which collide against a mesh electrode and are lost. The scanning electron microscope which has a porous electrode for producing an electric field for energy-filtering electrons produced by applying a primary electron beam to a sample and a 1st electron detector which detects electrons passing through the porous electrode is characterized by further having a porous structure provided near the sample, a deflector which deflects electrons from the axis of the primary electron beam, and a 2nd electron detector which detects the electrons deflected by the deflector.

Abstract translation: 具有能量过滤器的扫描电子显微镜，其能够正确地利用与网状电极碰撞而损失的二次电子和/或反射电子。 具有用于产生用于对样品施加一次电子束产生的电子能量的电场的多孔电极的扫描电子显微镜和检测通过多孔电极的电子的第一电子检测器的特征在于进一步具有多孔结构 设置在样本附近的偏转器，其使电子从一次电子束的轴线偏转;以及第二电子检测器，其检测由偏转器偏转的电子。

公开(公告)号：WO2013150847A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：PCT/JP2013/055772

申请日：2013-03-04

Applicant: 株式会社 日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 野間口　恒典 ,  揚村　寿英

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/22

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/10 ,  H01J37/26 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/24495

Abstract: 　試料から放出された二次粒子のエネルギー弁別または角度弁別を容易に行うことができるようにすること、また、最適な観察条件を容易に設定することができるようにすることを目的に、荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、前記荷電粒子線を試料に集束するレンズと、前記試料から放出された二次粒子を検出する検出器と、前記試料から放出された二次粒子が到達する位置を計算する軌道シミュレータと、を備え、所定の条件を満たす二次粒子の軌道を前記軌道シミュレータにより計算し、前記所定の条件を満たす二次粒子が前記検出器に到達する位置で検出された信号を用いて試料像を形成することを特徴とする荷電粒子線装置。

Abstract translation: 为了能够容易地区分从样品释放的二次粒子的能量或角度，并且为了能够容易地设定最佳的观察条件，本发明的带电粒子束装置的特征在于具有带电 用于释放带电粒子束的粒子源，用于将带电粒子束聚焦在样本上的透镜，用于检测从样本释放的二次粒子的检测器，以及用于计算从样品释放的二次粒子达到的位置的轨迹模拟器 ，由轨迹模拟器计算的满足预定条件的二次粒子的轨迹和使用在满足预定条件的二次粒子到达检测器的位置处检测到的信号形成的样本图像。

公开(公告)号：WO2012008089A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/JP2011/003327

申请日：2011-06-13

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  堀越 和彦 ,  赤松 直俊 ,  岩並 賢

Inventor： 堀越　和彦 ,  赤松　直俊 ,  岩並　賢

IPC: G01N27/62 ,  G01N23/225 ,  H01J37/20 ,  H01J37/252

CPC classification number: G01N23/2252 ,  H01J37/20 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/2065 ,  H01J2237/208

Abstract: 　デバイス等の不良原因となる数μｍ程度の有機微小異物をＳＥＭ中で高感度に分析できる質量分析手法を提供することを目的とする。そのために、ＳＥＭチャンバ内に、微小試料を加熱するための加熱機構、気化した試料を分析するための質量分析計を取り付ける。こうすることにより、ＳＥＭ中で観察した異物をＳＥＭの真空チャンバから取り出すことなく、そのまま微小有機異物の質量分析が可能となる。またＥＤＸとの併用で無機／有機異物ともに同定可能となり、異物分析を高スループットに行うことができる。

Abstract translation: 公开了一种质谱法，其中可以在SEM中以高灵敏度分析导致器件故障等的有机微小异物，所述有机微异物大约为几μm。 在SEM室中，安装用于加热微小样品的加热机构和用于分析汽化样品的质谱仪。 因此，在不从SEM的真空室中观察到的异物的情况下，可以通过质谱分析微小的有机异物。 此外，可以同时使用EDX来识别无机和有机异物，并且可以高产量地分析异物。

公开(公告)号：WO2004027448A3

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/US0330099

申请日：2003-09-23

Applicant: AXCELIS TECH INC

Inventor： SCHERER ERNST

IPC: G04F10/00 ,  G04F10/10 ,  H01J37/317 ,  G01P3/66 ,  H01J37/30 ,  H01J37/302 ,  H01J49/40

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G04F10/00 ,  G04F10/10 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30472

Abstract: Apparatus and methods are disclosed for measuring time delays between pulse streams or other input signals and for measuring ion beam energies in an ion implantation system. A variable delay apparatus is applied to one input signal, and the signals are correlated or compared in a correlator apparatus providing a minimum, maximum, or other ascertainable output signal value when a delay value of the variable delay is representative of the time delay between the first and second input signals. By adjusting or sweeping the variable delay until the ascertainable correlator apparatus output value is obtained, the actual time delay is determined as the dialed-in value of the variable delay that produces the ascertainable correlator output value. The variable delay measurement apparatus and methods may be employed in ion implantation system for measuring ion beam energies using time of flight probes, wherein the system and the time delay measurement apparatus may be calibrated to remove any residual delays of the system, such as delay offsets related to channel imbalance in the system and connecting devices. In addition, a unique error correction method is disclosed, which may be applied to the time delay measurement system measurement to minimize or mitigate errors introduced by electronic components of the system.

Abstract translation: 公开了用于测量脉冲流或其他输入信号之间的时间延迟并用于测量离子注入系统中的离子束能量的设备和方法。 可变延迟装置被应用于一个输入信号，并且当可变延迟的延迟值表示时间延迟之间的时间延迟时，在提供最小值，最大值或其他可确定的输出信号值的相关器装置中相关或比较信号。 第一和第二输入信号。 通过调整或扫描可变延迟直到获得可确定的相关器装置输出值，将实际时间延迟确定为产生可确定的相关器输出值的可变延迟的拨入值。 可变延迟测量设备和方法可以用于使用飞行时间探测器测量离子束能量的离子注入系统中，其中系统和时间延迟测量设备可以被校准以去除系统的任何滞留延迟，诸如延迟偏移 与系统和连接设备中的通道不平衡有关。 另外，公开了一种独特的错误校正方法，其可以应用于时间延迟测量系统测量以最小化或减轻由系统的电子组件引入的错误。

公开(公告)号：WO2004027448A2

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：PCT/US2003/030099

申请日：2003-09-23

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： SCHERER, Ernst

IPC: G01S13/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  G04F10/00 ,  G04F10/10 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30472

Abstract: Apparatus and methods are disclosed for measuring time delays between pulse streams or other input signals and for measuring ion beam energies in an ion implantation system. A variable delay apparatus is applied to one input signal, and the signals are correlated or compared in a correlator apparatus providing a minimum, maximum, or other ascertainable output signal value when a delay value of the variable delay is representative of the time delay between the first and second input signals. By adjusting or sweeping the variable delay until the ascertainable correlator apparatus output value is obtained, the actual time delay is determined as the dialed-in value of the variable delay that produces the ascertainable correlator output value. The variable delay measurement apparatus and methods may be employed in ion implantation system for measuring ion beam energies using time of flight probes, wherein the system and the time delay measurement apparatus may be calibrated to remove any residual delays of the system, such as delay offsets related to channel imbalance in the system and connecting devices. In addition, a unique error correction method is disclosed, which may be applied to the time delay measurement system measurement to minimize or mitigate errors introduced by electronic components of the system.

Abstract translation: 公开了用于测量脉冲流或其它输入信号之间的时间延迟以及用于在离子注入系统中测量离子束能量的装置和方法。 可变延迟装置被应用于一个输入信号，并且在可变延迟的延迟值表示时间延迟之间的相关器装置中提供最小，最大或其他可确定的输出信号值时，信号被相关或比较 第一和第二输入信号。 通过调整或扫描可变延迟直到获得可确定的相关器装置输出值，实际的时间延迟被确定为产生可确定的相关器输出值的可变延迟的拨入值。 可以使用离子注入系统中的可变延迟测量装置和方法来测量使用飞行时间探针的离子束能量，其中可以校准系统和时间延迟测量装置以消除系统的任何残余延迟，例如延迟偏移 与系统和连接设备的通道不平衡有关。 此外，公开了一种独特的纠错方法，其可以应用于时间延迟测量系统测量，以最小化或减轻由系统的电子部件引入的错误。

公开(公告)号：WO2010151523A1

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：PCT/US2010/039444

申请日：2010-06-22

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES ,  PLATOW, Wilhelm, P. ,  BASSOM, Neil, J. ,  KURUNCZI, Peter, E. ,  PEREL, Alexander, S. ,  CHANEY, Craig, R.

Inventor： PLATOW, Wilhelm, P. ,  BASSOM, Neil, J. ,  KURUNCZI, Peter, E. ,  PEREL, Alexander, S. ,  CHANEY, Craig, R.

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/08 ,  H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J9/38

CPC classification number: H01J49/10 ,  H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2209/017 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/30466

Abstract: In an ion implanter, a Faraday cup is utilized to receive an ion beam generated during ion source cleaning. The detected beam has an associated mass spectrum which indicates when the ion source cleaning process is complete. The mass spectrum results in a signal composed of a cleaning agent and the material comprising the ion source. This signal will rise over time as the ion source chamber is being cleaned and will level-off and remain constant once the deposits are etched away from the source chamber, thereby utilizing existing implant tools to determine endpoint detection during ion source cleaning.

Abstract translation: 在离子注入机中，法拉第杯用于接收在离子源清洁期间产生的离子束。 检测到的光束具有相关联的质谱，其指示何时完成离子源清洁过程。 质谱产生由清洁剂和包含离子源的材料组成的信号。 当离子源室被清洁时，该信号将随着时间的推移而升高，并且一旦沉积物从源室被蚀刻掉，就会保持恒定，从而利用现有的植入工具确定离子源清洁期间的端点检测。

公开(公告)号：WO2009052019A2

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/US2008/079449

申请日：2008-10-10

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. ,  KOO, Bon-Woong ,  SINCLAIR, Frank

Inventor： KOO, Bon-Woong ,  SINCLAIR, Frank

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0042 ,  H01J2237/04 ,  H01J2237/05

Abstract: Techniques for commensurate cusp-field for effective ion beam neutralization are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a charged particle injection system comprising a beamguide configured to transport an ion beam through a dipole field. The charged particle injection system may also comprise a first array of magnets and a second array of magnets configured to generate a multi-cusp magnetic field, positioned along at least a portion of an ion beam path, the first array of magnets being on a first side of the ion beam path and the second array of magnets being on a second side of the ion beam path. The charged particle injection system may further comprise a charged particle source having one or more apertures configured to inject charged particles into the ion beam path. The charged particle injection system may furthermore align the one or more apertures with at least one of the first array of magnets and the second array of magnets to align the injected charged particles from the charged particle source with one or more magnetic regions for an effective charged particle diffusion into the ion beam path.

Abstract translation: 公开了用于有效离子束中和的相应尖点的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以被实现为带电粒子注入系统，其包括配置成将离子束传送通过偶极子场的波导。 带电粒子注入系统还可以包括第一磁体阵列和配置成产生沿离子束路径的至少一部分定位的多尖点磁场的第二磁体阵列，第一磁体阵列位于第一 离子束路径的一侧和第二磁体阵列位于离子束路径的第二侧上。 带电粒子注入系统还可以包括具有一个或多个孔的带电粒子源，其被配置为将带电粒子注入到离子束路径中。 带电粒子注入系统还可以将一个或多个孔与第一磁体阵列和第二磁体阵列中的至少一个对准，以将来自带电粒子源的注入的带电粒子与一个或多个磁性区域对准，用于有效带电 粒子扩散入离子束路径。

公开(公告)号：WO2008013232A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：PCT/JP2007/064679

申请日：2007-07-26

Applicant: 国立大学法人奈良先端科学技術大学院大学 ,  松田 博之 ,  大門 寛

Inventor： 松田 博之 ,  大門 寛

IPC: H01J37/153 ,  H01J37/12 ,  H01J37/285

CPC classification number: H01J37/12 ,  H01J37/252 ,  H01J2237/05 ,  H01J2237/153 ,  H01J2237/1532 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/2511 ,  H01J2237/2538

Abstract: 　本発明の球面収差補正減速型レンズは、所定物面位置から一定の開き角をもって出射された電子またはイオンビーム（以下、ビーム）に生じる球面収差を補正するためのものであり、光軸を中心軸とする回転体面からなり、外部電源から任意の電圧が印加される少なくとも２つの電極を備え、上記電極の少なくとも１つは、物面（Ｐ０）に対して凹面形状を有し、該凹面形状が光軸を中心軸とする回転体面からなるメッシュ（Ｍ）であり、上記各電極は、該各電極に印加された電圧により、上記ビームを減速させるとともに、該ビームに生じる球面収差を補正するための減速型集束電場を形成する。これにより、試料から出射された、高エネルギー、かつ、大きな開き角を有したビームを像面において集束させる球面収差補正減速型レンズを提供する。

Abstract translation: 提供了一种球面像差校正调节型透镜校正发生在从预定物平面位置以恒定发散角发射的电子或离子束（将被称为光束）中的球面像差。 透镜具有以光轴为中心的转子平面，并且配备有至少两个电极，从外部电源向其施加任意电压。 电极中的至少一个是具有相对于物面（P0）具有凹形形状的网格（M），被成形为由以光轴为中心的转子平面构成的网格（M）。 通过施加到其上的电压引起各个电极中和光束并产生调节型收敛电场，用于校正在该光束中发生的球面像差。 结果，球面像差校正调节型透镜将这样的光束从像
素发射的像面上聚焦在像平面上，并具有高能量和大的发散角。