公开(公告)号：KR1020170121951A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：KR1020160050886

申请日：2016-04-26

Applicant: 주식회사 디비하이텍

Inventor： 선종원 ,  이한춘

IPC: H04R19/00 ,  H04R19/04 ,  H04R31/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: H04R19/04 ,  B81B3/001 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00182 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  H04R7/06 ,  H04R19/005 ,  H04R31/003 ,  H04R2201/003

Abstract: 음을전기신호로변환하여출력하는멤스마이크로폰이개시된다. 멤스마이크로폰은, 캐비티를구비하는기판, 기판의상측에서상기캐비티를덮도록구비된백 플레이트, 백플레이트의아래에위치하는진동판, 기판과진동판사이에구비된제1 절연막, 백플레이트를커버하는제2 절연막, 및제1 절연막과제2 절연막사이에구비된층간절연막을구비한다. 진동판은캐비티와연통되는벤트홀을구비하고, 음압을감지하여변위를발생시킨다. 제1 절연막은진동판의단부를지지하여진동판을기판으로부터이격시키며, 캐비티와대응하는부분이제거되어형성된개구부를구비한다. 층간절연막은제2 절연막을지지하여백 플레이트를진동판으로부터이격시킨다. 이와같이, 멤스마이크로폰은제1 절연막과층간절연막이진동판과백 플레이트를각각지지하므로, 진동판을지지하기위한앵커와백 플레이트를진동판으로부터이격시키기위한챔버를구비할필요가없다. 이에따라, 멤스마이크로폰제조공정에서앵커와챔버를형성하기위한마스크들과단계들을생략할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于将声音转换成电信号并将其输出的MEMS麦克风。 MEMS麦克风包括具有空腔的基板，设置为覆盖基板上方的空腔的背板，设置在背板下方的隔膜，设置在基板和隔膜之间的第一绝缘膜， 2绝缘膜和1个绝缘膜问题2提供设置在绝缘膜之间的层间绝缘膜。 隔膜具有与空腔连通的通气孔，并检测负压以产生位移。 第一绝缘膜支撑膜片的端部以将膜片与基板分离，并且具有通过去除与腔体对应的部分而形成的开口。 层间绝缘膜支撑第二绝缘膜以将背板与隔膜分离。 因此，由于第一绝缘膜和层间绝缘膜支撑隔膜和背板，所以不需要提供用于将锚和背板彼此分离的腔室，用于支撑隔膜。 因此，可以省略用于在MEMS麦克风制造过程中形成锚和腔室的掩模和步骤。

公开(公告)号：KR1020140039163A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：KR1020137021088

申请日：2012-01-24

Applicant: 멤스스타 리미티드

Inventor： 오하라,안쏘니

IPC: C23F1/44 ,  B81C1/00 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/30604 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/31116

Abstract: 에칭 기체, 즉, 플루오르화 수소(HF) 증기의 사용에 의한 미세전기-기계 구조체(microelectro-mechanical structures, MEMS)와 같은 미세 구조체(microstructures) 내의 이산화규소(SiO
2 )의 희생부의 에칭은 MEMS 내의 다른 부분, 특히 질화 규소(Si
3 N
4 ) 부분에 대해 더 큰 선택도를 가지고 수행된다. 이는 HF 증기 내의 모노플루오르화물 활성종(F
- , 및 HF)에 대한 디플루오르화물 활성종(HF
2
- 및 H
2 F
2 )의 비율을 증가시키는데 적합한 제2 비-에칭 기체를 부가함으로써 달성된다. 제2 비-에칭 기체는 수소 화합물 기체를 포함할 수 있다. 또한 HF 증기 내에서 모노플루오르화물 활성종(F
- , 및 HF)에 대한 디플루오르화물 활성종(HF
2
- 및 H
2 F
2 )의 비율은 에칭 수행 온도를 20℃ 또는 그 이하로 설정함으로써 증가될 수 있다.

Abstract translation: 通过使用蚀刻剂气体，即氟化氢（HF）蒸气在诸如微电子机械结构（MEMS）的微结构中蚀刻牺牲二氧化硅（SiO 2）部分，对MEMS内的其它部分具有更高的选择性， 特别是氮化硅（Si 3 N 4）的一部分。 这通过添加适合于增加HF蒸气中二氟化物反应性物质（HF 2和H 2 F 2）与单氟化物反应性物质（F-和HF）的比例的二次非蚀刻剂气体来实现。 次级非蚀刻剂气体可以包括氢化合物气体。 通过将蚀刻操作温度设定为20℃或更低，也可以增加氟化氢反应物质（HF 2 - 和H 2 F 2）与HF蒸气中的单氟化物反应性物质（F-和HF）的比例。

公开(公告)号：KR100947813B1

公开(公告)日：2010-03-15

申请号：KR1020047012516

申请日：2002-04-29

Applicant: 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스 인크.

Inventor： 마일즈마크더블유

IPC: B81C1/00 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  B81B7/02

CPC classification number: G02B26/001 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2203/0136

Abstract: 본 발명은 MEMS 장치를 제조하는데 사용될 수 있는 미세제조 방법을 제공한다. 이 방법은 베이스층 상에 하나의 층 또는 복수의 층을 증착하는 단계로서, 상기 하나의 층, 또는 상기 복수의 층의 최상층은 희생층인 증착 단계; 상기 하나의 층 또는 상기 복수의 층을 패터닝하여 상기 베이스층이 노광되는 하나 이상의 개구를 제공하는 단계; 상기 하나의 층 또는 상기 복수의 층위에 감광층을 증착하는 단계; 및 상기 하나 이상의 개구를 통하여 광을 통과시켜 상기 감광층을 노광시키는 단계를 포함한다.
MEMS 장치

公开(公告)号：KR1020080054382A

公开(公告)日：2008-06-17

申请号：KR1020087005692

申请日：2006-08-29

Applicant: 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드

Inventor： 리,게리지. ,  고고이,비쉬누 ,  데사이,헤만트디. ,  하몬드,조나단헤일 ,  디엠,베르나르드

IPC: H01L29/00 ,  H01L29/82

CPC classification number: B81B3/0078 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0167

Abstract: A MEMS device (100, 300) and method of fabrication including a plurality of structural tie bars (108, 303, 304) for added structural integrity. The MEMS device includes an active layer (202) and a substrate (102) having an insulating material (204) formed therebetween, first and second pluralities of stationary electrodes (103, 105) and a plurality of moveable electrodes (107) in the active layer. A plurality of interconnects (106, 301, 302) are electrically coupled to a second surface of each of the first and second pluralities of stationary electrodes. A plurality of anchors (226) fixedly attach a first surface of each of the first and second pluralities of stationary electrodes to the substrate. A first structural tie bar couples a second surface of each of the first plurality of stationary electrodes and a second structural tie bar couples a second surface of each of the second plurality of stationary electrodes.

Abstract translation: MEMS器件（100,300）和制造方法包括用于增加结构完整性的多个结构连杆（108,303,304）。 MEMS器件包括有源层（202）和在其间形成有绝缘材料（204）的衬底（102），第一和第二多个固定电极（103,105）和多个活动电极（107） 层。 多个互连（106,301,302）电耦合到第一和第二多个固定电极中的每一个的第二表面。 多个锚定件（226）将第一和第二多个固定电极中的每一个的第一表面固定地附接到基板。 第一结构连接杆联接第一多个固定电极中的每一个的第二表面，并且第二结构连接杆联接第二多个固定电极中的每一个的第二表面。

公开(公告)号：KR100537282B1

公开(公告)日：2006-04-21

申请号：KR1019980010419

申请日：1998-03-26

Applicant: 지멘스 악티엔게젤샤프트

Inventor： 토벤,덕 ,  웨이간드,피터

IPC: H01L27/06

CPC classification number: B81C1/00111 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/88 ,  H01L28/91 ,  H01L28/92

Abstract: 미세 구조물 형성 방법은 제 1 구조물을 제공하도록 기판 표면의 일부에 수직하게 연장하는 기둥을 포토리소그래픽적으로 형성하는 단계를 포함한다. 유동가능한 희생 재료가 제 1 구조물의 표면상에 증착된다. 상기 유동가능한 희생 재료는 제 2 구조물을 제공하도록 기판의 표면의 인접한 부분 위에 있는 기둥의 상부 표면과 측벽부로부터 떨어져서 흐른다. 비희생 재료가 제 2 구조물 상에 증착된다. 비희생 재료는 제 2 구조물의 표면에 균일하게 증착된다. 비희생물은 희생 재료, 측벽부 및 기둥의 상부 상에 증착된다. 상기 증착된 희생 재료는 비희생 재료가 비희생 재료에 의해 제공된 수평 부재를 갖는 제 3 구조를 형성하도록 잔류시키면서 선택적으로 제거된다. 상기 수평 부재는 기둥의 하부에 의해 기판의 표면 상의 소정 거리에 지지된다. 상기 유동가능한 재료는 유동가능한 산화물, 예를 들어 하이드로겐실세스퀴옥산 글라스이고, 상기 기둥은 20㎛ 미만의 폭을 가진다. 단일 포토리소그래픽 단계로 형성된 얻어지는 구조물은 그 위에 증착된 커패시터를 지지하기 위해 사용된다. 상기 커패시터는 다음의 증착 단계: 지지 구조물의 표면 상에 제 1 도전층을 증착하는 단계, 상기 도전층 상에 유전체 층을 증착하는 단계, 및 상기 유전체 층상에 제 2 도전층을 증착하는 단계 순서로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020040105790A

公开(公告)日：2004-12-16

申请号：KR1020047014954

申请日：2003-01-29

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 오쿠무라미카 ,  호리카와마키오 ,  사토우키미토시

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0159 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

Abstract: 본 발명은 반도체기판, 예를 들면 가속도 센서를 탑재하는 실리콘기판과 접속되는 전극을 형성할 때, 포토레지스트가 덮는 단차를 감소하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고 상기 목적을 달성하기 위해, 희생층(4)이나 반도체막(50), 고정전극(51)을 형성하기 전에, 전극(90)을 형성하기 위한 개구(80)를 형성한다. 따라서 두꺼운 포토레지스트를 필요로 하지 않는다.

公开(公告)号：KR1020040074908A

公开(公告)日：2004-08-26

申请号：KR1020037010996

申请日：2002-12-16

Applicant: 소니 주식회사

Inventor： 이케다고이치

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G02B5/18 ,  G02B26/02

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0173 ,  B81C2203/0109 ,  G02B26/0841

Abstract: 본 발명은 구동측 전극표면의 평탄화, 성능의 향상, 더욱이 제조공정의 설계의 자유도의 향상을 도모한 정전구동형 MEMS소자와 그 제조방법을 제공한다. 또, 이 MEMS소자를 이용한 GLV 디바이스, 또한 이 GLV 디바이스를 이용한 레이저 디스플레이를 제공한다.
본 발명은 기판측 전극과, 기판측 전극에 대향하여 배치되고, 이 기판측 전극과의 사이에 움직이는 정전인력 또는 정전반발력에 의해 구동하는 구동측 전극을 가지고 이루는 빔을 갖추고, 기판측 전극을 반도체 기판내의 불순물 도입된 도전성 반도체영역에서 형성하여 정전구동형 MEMS소자를 구성한다.

公开(公告)号：KR1020030086989A

公开(公告)日：2003-11-12

申请号：KR1020037009865

申请日：2002-02-08

Applicant: 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 데스폰트,마이클 ,  드레츠슬레르,우테 ,  게놀레트,그레고이레 ,  베티저,피터

IPC: H01L21/3063

CPC classification number: B81C1/00476 ,  B81C2201/0109

Abstract: 기판으로부터 마이크로 구조를 적어도 부분적으로 이탈시키기 위한 방법이 제공된다. 본 방법은 (a) 기판(2)을 제공하는 단계와, (b) 기판(2)에 각각 전기 도전 물질을 포함하고, 각각 서로 다른 옥시도-감소 전위를 갖는 제1 층(4)과 제2 층(6)을 증착하는 단계와, (c) 제1 층(4)과 제2 층(6)을 전기적으로 접속하는 단계와, (d) 단계 (b)에서 증착된 제1 층(4)과 제2 층(6) 위에 마이크로 구조를 형성하여, 중간 구조를 생성하는 단계와, (e) 단계 (d)에서 형성된 중간 구조(10)를 전해질(12)에 담금으로써, 제2 층(6)을 전기 화학적으로 에칭하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020030059695A

公开(公告)日：2003-07-10

申请号：KR1020020000434

申请日：2002-01-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이희중

IPC: B81B7/00

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B3/0078 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/014

Abstract: PURPOSE: A cantilever and a method for manufacturing the same are provided to achieve an MEMS(micro electro mechanical system) driving device capable of minimizing an initial bending deformation. CONSTITUTION: A cantilever(42) having a step-up structure includes a substrate, a supporting section fixing the substrate, and a moving plate(42d) connected to the supporting section while forming a predetermined gap between the substrate and the moving plate(42d). The supporting section includes a first supporting part(42a) having a predetermined shape, a second supporting part vertically installed at an edge of the first supporting part(42a) and arranged lengthwise the moving plate(42d), and a third supporting part(42c) aligned perpendicular to an edge of the first supporting part(42a) and parallel to the second supporting plate.

Abstract translation: 目的：提供悬臂及其制造方法，以实现能够最小化初始弯曲变形的MEMS（微机电系统）驱动装置。 构成：具有升压结构的悬臂（42）包括基板，固定基板的支撑部和连接到支撑部的移动板（42d），同时在基板和移动板（42d）之间形成预定的间隙 ）。 所述支撑部包括具有预定形状的第一支撑部分（42a），垂直地安装在所述第一支撑部分（42a）的边缘并且沿所述移动板（42d）纵向设置的第二支撑部分，以及第三支撑部分 ）垂直于第一支撑部分（42a）的边缘并且平行于第二支撑板对准。

公开(公告)号：KR1020030059159A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020037004514

申请日：2001-07-30

Applicant: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

Inventor： 호리카와마키오 ,  이시바시키요시 ,  오쿠무라미카

IPC: H01L49/02

CPC classification number: B81C1/00095 ,  B81B2203/0307 ,  B81C2201/0109 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은, 다른 절연막을 제거하지 않고 희생막을 제거하는 전극구조, 박막구조체의 제조방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다. 그리고, 상기 목적을 달성하기 위해, 희생막(51), 질화막(47)으로 덮어진 배선(45)의 표면을 개구하는 앵커홀(52)을 형성한다. 앵커홀(52)은 질화막(47)이 갖는 홀부(47c)와 희생막(51)의 개구(51a)로 구성된다. 홀부(47c)는 배선(45)의 표면의 에지부(45a)보다도 제1 소정거리(d1)만큼 배선(45)의 내측으로 들어가 개구한다. 개구(51a)는 홀부(470)보다도 제2 소정거리(d2)만큼 후퇴하여 개구한다. 제1 및 제2 소정거리(d1, d2)의 존재에 의해, 희생막(51)을 제거하기 위한 에천트가 산화막(33)으로 칩입하는 거리가 길다.