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    Method for forming suspended micromechanical structures
    353.
    发明授权
    Method for forming suspended micromechanical structures 有权
    形成悬浮微机械结构的方法

    公开(公告)号：US6020272A

    公开(公告)日：2000-02-01

    申请号：US169307

    申请日：1998-10-08

    Applicant: James G. Fleming

    Inventor： James G. Fleming

    IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

    CPC classification number: B81C1/00626 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053

    Abstract: A micromachining method is disclosed for forming a suspended micromechanical structure from {111} crystalline silicon. The micromachining method is based on the use of anisotropic dry etching to define lateral features of the structure which are etched down into a {111}-silicon substrate to a first etch depth, thereby forming sidewalls of the structure. The sidewalls are then coated with a protection layer, and the substrate is dry etched to a second etch depth to define a spacing of the structure from the substrate. A selective anisotropic wet etchant (e.g. KOH, EDP, TMAH, NaOH or CsOH) is used to laterally undercut the structure between the first and second etch depths, thereby forming a substantially planar lower surface of the structure along a {111} crystal plane that is parallel to an upper surface of the structure. The lateral extent of undercutting by the wet etchant is controlled and effectively terminated by either timing the etching, by the location of angled {111}-silicon planes or by the locations of preformed etch-stops. This present method allows the formation of suspended micromechanical structures having large vertical dimensions and large masses while allowing for detailed lateral features which can be provided by dry etch definition. Additionally, the method of the present invention is compatible with the formation of electronic circuitry on the substrate.

    Abstract translation: 公开了一种从{111}结晶硅形成悬浮微机械结构的微加工方法。 微加工方法基于使用各向异性干蚀刻来限定结构的侧向特征，其被蚀刻成{111} - 硅基底到第一蚀刻深度，从而形成该结构的侧壁。 然后用保护层涂覆侧壁，并且将基底干蚀刻至第二蚀刻深度以限定结构与基底的间隔。 使用选择性各向异性湿蚀刻剂（例如KOH，EDP，TMAH，NaOH或CsOH）横向地削去第一和第二蚀刻深度之间的结构，由此沿{111}晶面形成基本上平面的该结构的下表面， 平行于结构的上表面。 通过湿蚀刻剂的底切的横向范围通过定时蚀刻，倾斜的{111} - 硅面的位置或预先形成的蚀刻停止点的位置来控制和有效地终止。 该本方法允许形成具有大垂直尺寸和大质量的悬浮微机械结构，同时允许可通过干蚀刻定义提供的详细横向特征。 另外，本发明的方法与基板上的电子电路的形成兼容。

    Method of making a semiconductor device force and/or acceleration sensor
    354.
    发明授权
    Method of making a semiconductor device force and/or acceleration sensor 失效
    制造半导体器件力和/或加速度传感器的方法

    公开(公告)号：US5840597A

    公开(公告)日：1998-11-24

    申请号：US789515

    申请日：1997-01-27

    Applicant: Siegbert Hartauer

    Inventor： Siegbert Hartauer

    IPC: B81B3/00 ,  G01L1/18 ,  G01P15/08 ,  G01P15/12 ,  G01P15/125 ,  H01L21/00

    CPC classification number: B81C1/00246 ,  G01L1/18 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0728 ,  B81C2203/0735

    Abstract: A semiconductor device with a force and/or acceleration sensor (12), which has a spring-mass system (14, 16) responsive to the respective quantity to be measured and whose mass (16) bears via at least one resilient support element (14) on a semiconductor substrate (20). The semiconductor substrate (20) and the spring-mass system (14, 16) are integral components of a monocrystalline semiconductor crystal (10) with a IC-compatible structure. The three-dimensional structural form of the spring-mass system (12) is produced by anisotropic semiconductor etching, defined P/N junctions of the semiconductor layer arrangement functioning as etch stop means in order to more particularly create a gap (22) permitting respective movement of the mass (16) between the mass (16) and the semiconductor substrate (20).

    Abstract translation: 一种具有力和/或加速度传感器（12）的半导体器件，其具有响应于待测量的相应量的弹簧质量系统（14,16），并且其质量（16）经由至少一个弹性支撑元件（ 14）在半导体衬底（20）上。 半导体衬底（20）和弹簧质量系统（14,16）是具有IC兼容结构的单晶半导体晶体（10）的组成部分。 通过各向异性半导体蚀刻制造弹簧质量体系（12）的三维结构形式，作为蚀刻停止装置的半导体层布置的限定的P / N结，以更具体地形成允许相应的间隙（22） 质量块（16）和半导体衬底（20）之间的质量块（16）的移动。

    少なくとも1つの面取りを有するシリコン系構成部品及びその製作方法
    356.
    发明专利
    少なくとも1つの面取りを有するシリコン系構成部品及びその製作方法 审中-公开
    具有至少一个倒角部及其制造方法的硅结构

    公开(公告)号：JP2017007086A

    公开(公告)日：2017-01-12

    申请号：JP2016122399

    申请日：2016-06-21

    Applicant: ニヴァロックス−ファー ソシエテ アノニム

    Inventor： アレクス・ガンデルマン

    IPC: G04B17/06 ,  G04B15/14 ,  G04B13/02 ,  B81C1/00

    CPC classification number: G04D99/00 ,  B81C1/00103 ,  C23F1/00 ,  B81B2201/035 ,  B81B2203/0384 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0138 ,  B81C2201/014

    Abstract: 【課題】構成部品の美的外観を改善し、かつ機械的強度を改善するための、新たなタイプのシリコン系微小機械構成部品及び新たなタイプの製作方法を提案する。 【解決手段】本発明は、少なくとも1つの面取りを有するシリコン系微小機械構成部品に関し、このシリコン系微小機械構成部品は、少なくとも1つの傾斜した側壁のエッチングステップを、垂直な側壁の「Bosch」エッチングと組み合わせた方法から形成され、これにより、シリコン系ウェハの微小機械加工によって形成される構成部品の美的外観の改善及び機械的強度の改善が可能となる。 【選択図】図16

    Abstract translation: 甲提高组件的美学外观，并且提高了机械强度，提出一种新的形态的制造方法的一个新的类型和基于硅的微机械部件。 本发明涉及一种具有至少一个倒角，所述基于硅的微机械元件，所述至少一个倾斜的侧壁的蚀刻步骤的硅基微机械部件，“博世”垂直侧壁蚀刻 它从该方法中的组合形成了，从而，提高了部件的美学外观的改进的和机械强度以由硅晶片的微细加工来形成也是可能的。 .The 16

    Etching method and apparatus
    359.
    发明专利
    Etching method and apparatus 审中-公开
    蚀刻方法和装置

    公开(公告)号：JP2011238935A

    公开(公告)日：2011-11-24

    申请号：JP2011119036

    申请日：2011-05-27

    Applicant: Ulvac Japan Ltd ,  株式会社アルバック

    Inventor： MORIKAWA YASUHIRO ,  HAYASHI TOSHIO ,  ZOU HONG KOU

    IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and etching method allowing increase of mask selection ratio, improving anisotropy and enabling a deeper etching.SOLUTION: The etching apparatus is provided with: a floating electrode that is disposed opposite to a substrate electrode 6 provided in a vacuum chamber 1 and is kept in an electro-potentially floating state; a material 13, which is used for forming an etching protection film, disposed on a side of the floating electrode, the side facing the substrate electrode; and control means 14 for intermittently applying high-frequency power to the floating electrode. In the etching method, a spatter film is formed on a substrate by applying high-frequency power to the floating electrode using only a rare gas for the main gas and a material for forming an etching protection film as target member, the material disposed on a side of a floating electrode disposed opposite to a substrate electrode, the side facing the substrate electrode. Subsequently, a substrate is etched by stopping the application of the high-frequency power to the floating electrode and introducing an etching gas to a vacuum chamber. Then, the formation of the spatter film on the substrate and the etching the film are repeated in accordance with a scheduled sequence.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种允许增加掩模选择比，改善各向异性并能够进行更深蚀刻的装置和蚀刻方法。 解决方案：蚀刻装置设置有：浮置电极，其与设置在真空室1中的基板电极6相对地设置并保持在电潜在浮动状态; 用于形成蚀刻保护膜的材料13，设置在浮动电极的一侧，面向基板电极的一侧; 以及用于间歇地向浮动电极施加高频电力的控制装置14。 在蚀刻方法中，通过仅使用用于主气体的稀有气体和用于形成蚀刻保护膜的材料作为目标构件向浮动电极施加高频电力，在基板上形成溅射膜，该材料设置在 与衬底电极相对设置的浮动电极的面向衬底电极的一侧。 随后，通过停止将高频电力施加到浮动电极并将蚀刻气体引入真空室来蚀刻衬底。 然后，根据预定的顺序重复在基板上形成飞溅薄膜并蚀刻薄膜。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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