公开(公告)号：KR100269412B1

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019940002653

申请日：1994-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오사와테쓰

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67778 ,  G01S7/521 ,  G01S15/04 ,  Y10S414/137

Abstract: 본 발명은 용기 내의 각 단에 있어서 판상의 피이재물의 유무 및 피이재물의 튀어나옴을 확실하게 검지할 수 있고, 또한 장치의 점유 스페이스가 좁아도 되는 이재장치를 제공하는 것으로서, 끝단면의 한 방향으로 상호간에 소정의 간격을 두고 피이재물을 배치하므로써 동일 방향에서 마주보는 한 끝단면을 각각 가지는 다수개의 판형상 피이재물을 유지하기 위한 수단과, 상기 유지수단을 향하여 초음파 빔을 발진하기 위한 발진부 및 반사된 초음파를 수신하고 수신된 초음파에 의거하여 신호를 출력하기 위한 수신부를 가지는 초음파 센서와, 피이재물의 끝단면에 초음파 빔을 조사하기 위하여, 피이재물이 배치된 방향을 따라 상기 유지수단에 대하여 상기 초음파 센서를 이동시키기 위한 구동수단 및 상기 수신부에 수신된 반사파에 의거하여, 상� � 유지수단내의 피이재물의 유무 또는 튀어나옴 중 적어도 하나를 검지하기 위한 수단을 포함하여 구성되며, 상기 검지수단은 상기 수신부로부터의 상기 출력신호와, 소정 레벨을 가지는 신호를 비교함으로써 피이재물의 유무 또는 튀어나옴 중 적어도 하나를 판정하기 위한 판정수단 및 상기 판정수단으로부터의 신호에 의해 상기 구동수단을 제어하기 위한 수단을 가지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100264444B1

公开(公告)日：2000-09-01

申请号：KR1019940005496

申请日：1994-03-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 니시히로노부

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67781 ,  Y10S414/137 ,  Y10S414/141

Abstract: 웨이퍼의 옮겨싣기 장치는, 복수의 링 지지판이 간격을 두고 상하방향으로 배열되어 있는 웨이퍼보우트와, 복수의 옮겨싣기레벨이 상하방향으로 배열되어 있는 세트의 사이에서 웨이퍼를 옮겨싣는다. 지지판이 중앙에 개구부를 가지는 링형상을 하고 있으며, 지지판의 개구부로부터 상하방향으로 연장된 통로가 규정된다. 웨이퍼는 웨이퍼 보우트 및 웨이퍼 캐리어의 사이에서 적어도 2개의 포크를 구비하는 상기 반송수단에 의하여 수평방향으로 이동된다. 통로내를 이동가능하게 치받음판이 배치된다. 치받음판은, 상기 통로내를 상하로 뻗은 신장부재의 윗끝단에서 지지된다. 그리고, 상기 신장부재의 아래끝단에 접속되고 또한 상기 신장부재를 통하여 상기 치받음판은 구동수단에 의하여 승강된다. 제어수단은, 반송수단과 상기 치받음판을 연휴하여 제어한다. 제어수단은, 반송수단이, 웨이퍼를 캐리어의 얹어놓는 레벨의 위에 얹거나 또는 꺼낼 때에는, 포크를 동시에 전진 또는 후진시켜서 얹어놓는 레벨의 사이에서 웨이퍼를 수평방향으로 반송하고, 한편, 반송수단은, 웨이퍼 보우트의 지지판의 위에 웨이퍼를 얹어놓거나 꺼낼 때에는, 포크를 개별 독립하여 전진 또는 후퇴시켜서 지지체의 사이에서 웨이퍼를 수평방향으로 반송한다.

公开(公告)号：KR100248563B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019940023395

申请日：1994-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  니시무라도시하루

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C23C16/24

Abstract: 다수의 반도체 웨이퍼를 간격을 두고 수직방향으로 겹친상태에서 웨이퍼보트에 유지하고, 이 웨이퍼 보트를 종형 열처리장치의 프로세스 챔버내에 반입하고, 프로세스 챔버 내를 감압 분위기로 유지한 상태에서 300-530℃로 가열하고, 프로세스 챔버 내에 디실란 가스의 유량이 300 SCCM이상이 되도록 디실란가스를 포함하는 처리가스를 공급하여 실리콘막의 성막을 한다.

公开(公告)号：KR100198144B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019930006001

申请日：1993-04-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오오카세와타루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/46 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B31/12

Abstract: 프로세스 튜브의 개구부를 개폐하는 뚜껑체의 안쪽면에 가열체, 혹은 가열가스의 순환로를 형성한다. 순환로는 프로세스 튜브 안에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 석영보트를 회전하는 회전기구의 축과, 뚜껑체와의 틈을 지나서 뚜껑체의 안쪽면부분으로 유도되도록 형성한다. 이 순환로에는 반응생성물의 기화온도 이상으로 가열된 가열가스를 순환시킨다. 뚜껑체의 안쪽면이 가열되기 때문에 반응생성물을 뚜껑체 및 프로세스 튜브의 아래편 부분 내벽에 부착하지 않는다. 오염원이 발생하지 않기 때문에 반도체 웨이퍼나 클린룸을 오염하지 않는다. 또한, 틈으로 순환가스가 반대방향으로 흐르고 있기 때문에, 이곳으로부터 반응가스가 누설하지 않는다. 이리하여 클린룸을 오염하지 않고, 반도체 웨이퍼를 생산수율이 좋게 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100155381B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019900009488

申请日：1990-06-26

Applicant: 도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 미야시로카쓰노부 ,  오미노미쓰아키 ,  미야자키신지

IPC: H01L21/22

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019960015802A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019940016333

申请日：1994-07-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 야마가겐이치 ,  고바야시도시키

IPC: H01L21/324

公开(公告)号：KR1019940024909A

公开(公告)日：1994-11-19

申请号：KR1019940006976

申请日：1994-04-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 마쓰오다케노부 ,  와카바야시쓰요시 ,  모리야슈지 ,  미우라가즈토시 ,  모리다카히로

IPC: H01L21/30

公开(公告)号：KR1019940022935A

公开(公告)日：1994-10-22

申请号：KR1019940005067

申请日：1994-03-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 이와부치가쓰히코 ,  오쿠라료이치 ,  아사노다카노부

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명의 처리장치는, 피처리체에 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 처리체를 유지한 유지체를 처리실에 대하여 반입 및 반출하는 반송수단을 구비한 반송실과, 반송실 내를 소정의 불활성 가스 분위기로 유지하는 불황성 가스 공급 및 배기수단과, 반송실에 인접하여 설치되고, 적어도 유지체를 수용가능한 용적을 가지며, 반송실 내의 분위기를 외기와 차단시킨 상태에서 유지체를 반송실에 대하여 반출 및 반입가능하게 하는 유지체 수용실과, 유지체 수용실 내를 진공분위기 또는 소정의 불활성 가스 분위기로 치환가능하게 한 내부 분위기 치환수단과, 유지체 수용실에 인접하여 설치되고, 피처리체를 유지체 수용실 내의 유지체에 이송하는 이송수단을 구비한 피처리체 이송실을 갖추고 있다.

公开(公告)号：KR1019940016468A

公开(公告)日：1994-07-23

申请号：KR1019930027317

申请日：1993-12-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오카세와타루 ,  하세이마사아키

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 처리장치는, 피처리체가 내부에 수용되는 반응용기와, 반응용기에 프로세스 가스를 반입하는 가스도입경로와, 반응용기로부터 배기가스를 상기 반응용기의 외부에 반출하는 가스배기경로를 구비한다.
가스도입경로는 절연성, 내열성 및 가요성의 사불화에틸렌수지로 이루어지는 내층과, 내층의 외주면상에 설치된 도전성수지로 이루어진 발열층과, 발열층의 외주면상에 설치된 사불화에틸렌수지로 이루어지는 외층으로 이루어지는 가스반송 파이프에 의하여 구성되어 있다.
도전성수지는 도전성카본, 및 사불화에틸렌수지의 복합재료이다. 발열층의 도전성수지에 전기를 도통시킴으로써 발열층을 발열시켜서 가스 반송 파이프의 내부를 그 전체둘레에 걸쳐서 균일하게 가열한다.

公开(公告)号：KR100297282B1

公开(公告)日：2001-10-24

申请号：KR1019940019770

申请日：1994-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 오오카세와타루

IPC: H01L21/00

Abstract: 본원발명은 절연블록이 서로 겹쳐 쌓여진 복수의 링 피이스부재를 가지며, 인접하는 2 개의 링 피이스부재에 의하여 상기 저항 발열체를 수용하기 위한 수용부가 형성되고, 이 수용부는 상기 종형 프로세스 튜브와 대향하는 개구를 가지며, 절연블록에 의하여 지지된 링형상 또는 나선형상의 저항발열체를 종형 프로세스튜브의 주위에 설치한 열처리장치에 관한 것이다.