公开(公告)号：FR3105581B1

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：FR1914885

申请日：2019-12-19

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： TOURNIER ARNAUD ,  RODRIGUES GONCALVES BORIS ,  LALANNE FREDERIC

Abstract: Photodiode comprenant une zone mémoire La présente description concerne une photodiode comprenant au moins une zone mémoire (104), chaque zone mémoire comprenant au moins deux régions de stockage (106), les régions de stockage de charges étant reliées par des première (116) et deuxième (281) ouvertures. Figure pour l'abrégé : Fig. 9

公开(公告)号：FR3133705B1

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：FR2202331

申请日：2022-03-17

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ABOUZEID FADY ,  ROCHE PHILIPPE

IPC: H01L21/768

Abstract: Dispositif électronique Dispositif électronique (100, 200) comprenant : une première puce électronique (110) et une deuxième puce électronique (130) ; et un circuit d’interconnexion (150) comprenant une première surface (151) plane ; une première région (115) d’une première surface (116) de la première puce électronique (110) étant assemblée par collage hybride à une première région (157) de la première surface du circuit d’interconnexion (150), une première région (134) d’une première surface (133) de la deuxième puce électronique (130) étant assemblée par collage hybride à une deuxième région (154) de la première surface du circuit d’interconnexion (150) pour que la première puce électronique (110) soit reliée électriquement à la deuxième puce électronique (130) à travers le circuit d’interconnexion (150) ;la première surface de la première puce électronique (110) comprenant une deuxième région (114) qui n’est pas en contact avec le circuit d’interconnexion (150) et comprenant au moins un plot de connexion (111). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3128574B1

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：FR2111357

申请日：2021-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： BORREL JULIEN ,  GAUTHIER ALEXIS ,  HILARIO FANNY ,  BERTHIER LUDOVIC ,  DUMAS PAUL ,  BREZZA EDOARDO

IPC: H01L21/266

Abstract: Selon un aspect il est proposé un procédé d’implantation ionique dans une plaquette semiconductrice (PS) placée dans une chambre d’implantation (CHI) sous vide, la plaquette semiconductrice (PS) présentant une zone de circuit intégré (ZCI) et une zone périphérique (ZPR) autour de cette zone de circuit intégré (ZCI), l’implantation ionique permettant d’appliquer un dopage dans des régions, dites régions d’implantation (RGI), de la zone de circuit intégré, le procédé comprenant : - une formation d’un revêtement en résine photosensible (RES) servant de masque sur la plaquette semiconductrice (PS), puis - une formation d’ouvertures dans le revêtement en résine photosensible (RES) au niveau desdites régions d’implantation (RGI) de la zone de circuit intégré et au niveau d’au moins une région (RDM) de la zone périphérique, puis - une implantation des ions (12) dans la plaquette semiconductrice (PS). Figure pour l’abrégé : Figure 5

公开(公告)号：FR3124891B1

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：FR2107027

申请日：2021-06-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： FAVENNEC LAURENT ,  PIAZZA FAUSTO

IPC: G11C11/56

Abstract: Mémoire à changement de phase La présente description concerne un procédé de fabrication d'une mémoire à changement de phase comprenant : a) une étape de formation d'une matrice de cellules mémoire à changement de phase, chaque cellule étant séparée des cellules voisines d'une même ligne de la matrice et des cellules voisines d'une même colonne de la matrice par une même première distance (L1), et b) une étape de gravure, dans chaque ligne ou chaque colonne, d'une cellule mémoire sur N, N étant au moins égale à 2. Figure pour l'abrégé : Fig. 3

公开(公告)号：FR3121544A1

公开(公告)日：2022-10-07

申请号：FR2103351

申请日：2021-03-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CREMER SEBASTIEN

IPC: H01B17/36

Abstract: Structure d'isolation thermique et électrique La présente description concerne un procédé de réalisation d'un dispositif électronique (1) comprenant une première plaquette (13) comportant au moins une tranchée et une deuxième plaquette, la deuxième plaquette étant collée, par collage hybride, sur la première plaquette, de sorte à former, au niveau de la tranchée au moins un espace clos (11), vide ou rempli d'un gaz. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3120138A1

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：FR2101744

申请日：2021-02-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ARNAUD ARTHUR

IPC: G02B5/02 ,  G02B27/00 ,  H01L21/302 ,  H01L27/146

Abstract: Dispositif optique La présente description concerne un dispositif optique (1) comprenant une couche (100) ayant une face (104) configurée pour être traversée par de la lumière à une longueur d'onde de fonctionnement du dispositif optique, dans lequel la face (104) comprend une structure fractale (108) dépourvue de symétrie de révolution, la structure fractale (108) comprenant des évidements (110) pénétrant dans la couche (100) sur une partie seulement de l'épaisseur de la couche. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3102633B1

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：FR1911935

申请日：2019-10-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL

IPC: H04N5/33 ,  H01L27/146

Abstract: Capteur d'images La présente description concerne un capteur d'images (1) comprenant des pixels (3) comportant chacun une région de photoconversion (5) en silicium entourée d'au moins un matériau d'indice de réfraction inférieur à l'indice de réfraction du silicium, l'interface (7, 11, 13, 15, 23, 25, 27, 29) entre la région de photoconversion (5) du pixel (3) et ledit matériau étant configurée pour qu'au moins un rayon (45) atteignant la région de photoconversion (5) du pixel (3) subisse au moins une réflexion totale sur cette interface (23, 25, 27, 29). Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3096855B1

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：FR1905868

申请日：2019-06-03

Applicant: ST MICROELECTRONICS GRENOBLE 2 ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： MALINGE PIERRE ,  LALANNE FREDERIC ,  SIMONY LAURENT

IPC: H04N5/353 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

Abstract: Capteur d'image et son procédé de commande La présente description concerne un capteur d'image comprenant des pixels (1) comportant chacun :un premier transistor (118) et un premier interrupteur (120) connectés en série entre un premier noeud (124) d'application d'un potentiel (VD) et un noeud (122) interne du pixel, une grille du premier transistor (118) étant couplée à un noeud (106) de diffusion flottant du pixel ;un élément capacitif (110) dont une première borne est connectée au noeud de diffusion flottant du pixel ; et plusieurs ensembles (A, B) comprenant chacun une capacité (128) connectée en série avec un deuxième interrupteur (130) reliant la capacité au noeud interne (122),le capteur comprenant en outre un circuit (150) configuré pour, lors de chaque mémorisation d'une tension dans un des ensembles (A, B) d'un pixel, commander une augmentation d'une valeur déterminée d'une différence de potentiel entre le noeud de diffusion flottant et le noeud interne du pixel. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

公开(公告)号：FR3108784B1

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：FR2003147

申请日：2020-03-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/148

Abstract: Dispositif à couplage de charges La présente description concerne un dispositif (100) à couplage de charges comprenant : un réseau d'électrodes isolées (123) pénétrant verticalement dans un substrat semiconducteur (101), le réseau comprenant des rangées d'électrodes longitudinales (123) et transversales alternées, chaque extrémité d'une électrodes longitudinale (123) d'une rangée étant en regard et séparée d'une portion d'une électrode transversale adjacentes de ladite rangée ; et des murs (126) d'isolation électrique parallèles entre eux et aux électrodes longitudinales, les murs (126) pénétrant verticalement dans le substrat (101) plus profondément que les électrodes longitudinales (123) et au moins deux rangées adjacentes d'électrodes (123) étant disposées entre chaque deux murs (126) successifs. Figure pour l'abrégé : Fig. 7

公开(公告)号：FR3114189A1

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：FR2009212

申请日：2020-09-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS

Inventor： CROCHERIE AXEL ,  MONFRAY STÉPHANE

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/18

Abstract: Dispositif électronique comprenant : une région semiconductrice photosensible configurée pour être illuminée par une face arrière, comprenant une face avant opposée à la face arrière, un réseau périodique de plots, comprenant un premier matériau, formé sur la face avant, ayant un contour présentant un motif périodique paramétré par des dimensions caractéristiques, ledit contour formant une interface entre le premier matériau et un deuxième matériau, le deuxième matériau ayant un indice optique différent d’un indice optique du premier matériau. Les dimensions caractéristiques du motif périodique sont inférieures à une longueur d’onde d’intérêt et configurées pour produire une réflexion de lumière sur l’interface, à la longueur d’onde d’intérêt, vers la région semiconductrice photosensible. Figure de l’abrégé : Fig 1