公开(公告)号：CN116157898A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180059552.8

申请日：2021-07-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  绪方裕斗 ,  柳井昌树 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02

Abstract: 一种层叠体，其特征在于，具备：半导体基板、支承基板、以及设于上述半导体基板与上述支承基板之间的粘接层和剥离层，上述剥离层是由包含有机树脂、支链状聚硅烷、和溶剂的剥离剂组合物得到的膜。

公开(公告)号：CN115362246A

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202180026155.0

申请日：2021-03-30

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  森谷俊介 ,  绪方裕斗 ,  福田拓也 ,  新城彻也

IPC: C11D1/62 ,  C11D3/20 ,  C11D3/43 ,  H01L21/304

Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，用于去除粘接剂残留物，该清洗剂组合物包含季铵盐、金属腐蚀抑制剂以及有机溶剂，上述金属腐蚀抑制剂由碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物单羧酸、碳原子数7～40的脂肪族饱和烃化合物二羧酸或其酸酐、碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物单羧酸、或碳原子数7～40的脂肪族不饱和烃化合物二羧酸或其酸酐构成。

公开(公告)号：CN115335970A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024051.6

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304

Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数1～6的烷基，L1的烷基的碳原子数与L2的烷基的碳原子数的合计为6以下。)

公开(公告)号：CN115335969A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202180024022.X

申请日：2021-03-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  柳井昌树 ,  福田拓也 ,  绪方裕斗 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  新城彻也

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，其特征在于，上述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，上述溶剂包含选自分子量小于160的、脂肪族烃化合物、芳香族烃化合物、醚化合物、硫醚化合物、酯化合物以及胺化合物中的一种或两种以上，上述粘接层上的上述剥离用组合物的接触角小于31.5度。

公开(公告)号：CN113439324A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202080014654.3

申请日：2020-02-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 荻野浩司 ,  新城彻也 ,  柄泽凉 ,  奥野贵久

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明提供一种清洗剂组合物，其用于去除残留于基体上的聚硅氧烷系粘接剂，所述清洗剂组合物包含氟化四(烃)铵和有机溶剂，上述有机溶剂包含式(1)所示的内酰胺化合物和含环状结构的醚化合物，所述含环状结构的醚化合物包含选自环状醚化合物、环状烷基链状烷基醚化合物、环状烷基支链状烷基醚化合物以及二(环状烷基)醚化合物中的至少一种。(式中，R101表示碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基。)

公开(公告)号：CN113165343A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076140.8

申请日：2019-11-18

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  森谷俊介 ,  荻野浩司 ,  柄泽凉 ,  新城彻也

IPC: B32B27/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/06 ,  C09J183/07 ,  C09J201/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种光照射剥离用粘接剂组合物，其特征在于，能通过照射光而剥离，所述光照射剥离用粘接剂组合物包含粘接剂成分(S)和光吸收性有机化合物(X)，所述光吸收性有机化合物(X)在分子内包含一个以上的芳香族环、一个以上的在环构成原子中包含杂原子的环以及从羰基和硫羰基中选出的一个以上。

公开(公告)号：CN110573588A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201880027934.0

申请日：2018-05-23

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 泽田和宏 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  上林哲 ,  森谷俊介

IPC: C09J183/06 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。

公开(公告)号：CN119631160A

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202380057101.X

申请日：2023-08-28

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 福田拓也 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02 ,  C08K5/00 ,  C08L33/06 ,  C08L33/12 ,  C08L61/10

Abstract: 一种剥离剂组合物，其是光照射剥离用的剥离剂组合物，含有：酚醛清漆树脂、(甲基)丙烯酸酯系聚合物以及溶剂。

公开(公告)号：CN114867810B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202080089720.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久 ,  福田拓也 ,  柳井昌树

IPC: C09J201/00 ,  C09J11/08 ,  C09J183/04 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。

公开(公告)号：CN118160066A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202280072282.9

申请日：2022-10-07

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 奥野贵久 ,  岸冈高广 ,  新城彻也

IPC: H01L21/02 ,  B32B7/023 ,  B32B7/025 ,  B32B27/00 ,  H01L21/304

Abstract: 一种层叠体，其具有：半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板分离，所述剥离层是由剥离剂组合物形成的层，所述剥离剂组合物含有分子量为2000以下的光吸收性化合物，在对所述光吸收性化合物测定出250nm～800nm的范围的吸收光谱时，所述吸收光谱在250nm～800nm的范围内在250nm～350nm之间具有吸光度最大的极大值。