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公开(公告)号：CN112619272B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202010823739.8
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，能够向处理单元供给颗粒含量少的净化地处理液。基板处理装置(1)包括：药液罐(30)；与药液罐连接的第一循环配管(31)；泵，向第一循环配管(31)送出药液罐内的药液；第二循环配管(32)，与第一循环配管(31)分支连接；过滤器(39)，安装于第一循环配管(31)中的比第二循环配管(32)的连接位置(P2)更靠上游侧的上游侧部分(33)；以及压力调整单元，调整流经上游侧部分(33)的药液的压力。压力调整单元包括调整第二循环配管的开度的调节器(71)。调节器(71)使在基板处理装置的循环空闲状态下流经上游侧部分(33)的药液的压力与在基板处理装置的就绪状态下流经上游侧部分的药液的压力一致或接近。
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公开(公告)号：CN108461419B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810083053.2
申请日：2018-01-29
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置，具有：共用配管，向分支部引导处理液；供给配管，从分支部向药液喷嘴引导处理液；返回配管，沿着与供给配管不同的路径，从分支部引导处理液；喷出阀，变更从共用配管向分支部供给的处理液的流量。喷出阀使阀芯在包括喷出执行位置和喷出停止位置的多个位置静止，其中，所述喷出执行位置指，以大于吸引流量的最大值的流量，从共用配管向分支部供给处理液的位置，所述吸引流量表示，从分支部向返回配管侧流动的处理液的流量，所述喷出停止位置指，以吸引流量的最大值以下的流量，从共用配管向分支部供给处理液的位置。
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公开(公告)号：CN113544821A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019624.1
申请日：2020-02-28
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种用于抑制处理液的混合及随之发生的颗粒产生的技术。基板处理装置具备：多个配管，其用于供给用于进行基板处理的处理液；基板处理部，其与多个配管连接，且用于使用处理液处理基板；和配管配置部，其以彼此接近的方式配置多个配管，配管配置部具备至少一个内壁，该内壁将多个配管中的至少一个配管与其他配管隔开，且将被隔开的各个分区内的气氛密闭。
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公开(公告)号：CN107533968B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201680021628.7
申请日：2016-04-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 樋口鲇美
IPC: H01L21/306 , C02F1/62
Abstract: 在基板处理部利用药液对半导体基板进行表面处理。通过基板处理将溶解有金属的药液排出至储存罐并储存。多元酸供给部向储存罐供给具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸。将具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸混合在包含金属的已使用的药液中，将该混合液的pH值调整为2～3，从而将溶解在药液中的金属纳入多元酸的缺失部位。进一步地，投入抗衡阳离子而使纳入有金属的多元酸沉淀并从药液中分离，从而在对半导体基板进行处理时，能够去除药液中包含的金属从而再生该药液。
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公开(公告)号：CN111223773A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911145639.8
申请日：2019-11-21
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/306 , H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，所述基板处理方法是对具有形成有多个凹部的表面的基板进行处理。基板处理方法包括：处理对象层去除工序，通过向所述基板的表面供给蚀刻液而对所述处理对象层的至少一部分进行蚀刻并加以去除，所述蚀刻液的对以表面露出的方式形成于所述凹部内的处理对象层中的处理对象物质的晶粒的蚀刻速度与对所述处理对象层中的晶界的蚀刻速度相等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109661718A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780053446.2
申请日：2017-09-04
Applicant: 株式会社斯库林集团
IPC: H01L21/304
Abstract: 提供一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板。该方法包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。所述氧化膜亦可为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。在此情况下，所述部分蚀刻步骤亦可为使所述颗粒自所述自然氧化膜露出、或使自所述自然氧化膜露出的露出部分增加的步骤。此外，所述物理清洗亦可为一边使所述自然氧化膜残留于所述基板的表面一边通过物理的作用去除自所述自然氧化膜露出的颗粒的步骤。
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公开(公告)号：CN109285800A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811416745.0
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 基板处理系统由清洗单元、多个处理液供给单元以及基板处理装置构成。清洗单元在对管道进行清洗时向处理液供给单元的处理单元供给第一清洗液。在将从清洗单元供给的第一清洗液贮存于处理液槽内后，处理液供给单元将处理液槽内的第一清洗液通过管道供给至基板处理装置的处理单元。清洗单元以与利用第一清洗液清洗管道并行的方式准备第二清洗液，并将准备的第二清洗液供给至处理液槽。
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公开(公告)号：CN108257891A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711406516.6
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种使用紫外线进行多个处理也能抑制尺寸增加的基板处理装置。基板处理装置具有紫外线照射装置(2)和基板保持装置(31、32)。紫外线照射装置2位于处理室(11、12)的边界，并且能够向处理室(11、12)照射紫外线。基板保持装置31配置于处理室(11)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。基板保持装置(32)配置于处理室(12)，将基板保持成与紫外线照射装置(2)对置。
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公开(公告)号：CN107533968A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680021628.7
申请日：2016-04-07
Applicant: 株式会社斯库林集团
Inventor： 樋口鲇美
IPC: H01L21/306 , C02F1/62
Abstract: 在基板处理部利用药液对半导体基板进行表面处理。通过基板处理将溶解有金属的药液排出至储存罐并储存。多元酸供给部向储存罐供给具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸。将具有缺失部位的缺失型络合物的多元酸混合在包含金属的已使用的药液中，将该混合液的pH值调整为2～3，从而将溶解在药液中的金属纳入多元酸的缺失部位。进一步地，投入抗衡阳离子而使纳入有金属的多元酸沉淀并从药液中分离，从而在对半导体基板进行处理时，能够去除药液中包含的金属从而再生该药液。
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公开(公告)号：CN107026105A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611203951.4
申请日：2016-12-23
Applicant: 株式会社斯库林集团
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。根据本发明的基板处理装置，通过从低表面张力液体供给单元向基板的表面统计低表面张力液体，在基板的表面形成低表面张力液体的液膜。通过从惰性气体供给单元向处于旋转状态的基板的旋转中心位置供给惰性气体，在低表面张力液体的液膜形成从旋转中心位置拓宽的开口，该开口朝向从旋转中心位置远离的方向扩大。低表面张力液体的液附着位置对应开口的扩大而变更为除旋转中心位置以外的至少两个地方，使得液附着位置位于比开口的周缘更靠近外侧的位置。
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