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公开(公告)号：CN108690954A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710229298.7
申请日：2017-04-10
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/24 , C23C14/54 , C23C16/455 , C23C14/548
Abstract: 本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
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公开(公告)号：CN103154299B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201280003216.2
申请日：2012-09-26
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: C23C14/58 , C23C14/0031 , C23C14/022 , C23C14/24 , C23C14/541 , C23C14/546
Abstract: 本发明提供一种能够高效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。其是基板支架12可旋转地配设在真空容器10内的成膜装置1，所述基板支架12具有用于保持2个以上基板的基体保持面，成膜装置1的构成为具有蒸镀源34和离子源38，其中，所述蒸镀源34按照如下构成配置在真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够对所述基体保持面的部分区域即第1区域(A3)供给比该第1区域以外的其他区域(残余区域)更多量的成膜材料；所述离子源38按照如下构成、配置和/或朝向设置在所述真空容器10内：使其向旋转停止时的基板支架12工作的情况下，能够仅向着该基体保持面的部分区域即第2区域(A2)照射能量粒子。
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公开(公告)号：CN103154298B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280003215.8
申请日：2012-08-02
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: B05D1/00 , C23C14/022 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/546
Abstract: 提供可有效地进行防污膜的成膜的成膜装置，该防污膜的耐磨耗性能不但可耐实用而且耐磨耗性能也进一步得到提高。本发明的成膜装置(1)为将具有用于保持两个以上基板(14)的基体保持面的基板支架(12)可旋转地配设在真空容器(10)内的成膜装置(1)，其中，该成膜装置(1)是具有离子源(38)以及作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)的构成，所述离子源(38)按照可向着上述基体保持面的一部分区域照射离子束这样的构成、配置和/或朝向被设置在真空容器(10)内，所述作为成膜单元的蒸镀源(34)和限制板(36)按照可向着作为上述基体保持面的一部分且与基于离子源(38)的离子束的照射区域的至少一部分重复的区域来供给成膜材料这样的构成被设置在真空容器(10)内。
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公开(公告)号：CN104169676A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201280069673.1
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社新柯隆
CPC classification number: G01B11/0633
Abstract: 提供能够增大光量变化量的膜厚测量用的LED光源装置(30)。LED光源装置(30)配置有：多个LED发光源(34～36)；多个准直构件(342、352、362)，它们配置于各发光源的下游侧，并使来自各发光源的入射光分别准直地射出；多个第1滤光构件(37、38)，它们配置于各准直构件的下游侧，并仅使入射光中的特定波长区域以上的光透射和/或反射，或者仅使特定波长区域以下的光透射和/或反射而射出；以及聚光构件(39)，其配置于第1滤光构件(38)的更下游侧，并使来自各第1滤光构件的入射光会而射出，并且，在各准直构件(342、352、362)的下游侧且在各第1滤光构件(37、38)的上流侧，配置有仅使来自各准直构件的入射光中的特定范围的波长透射而射出的第2滤光构件(344、354、364)。
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公开(公告)号：CN211522309U
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202020180266.X
申请日：2020-02-18
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本申请公开一种靶材溅射装置，包括：用于支撑靶材的支撑壳体；所述支撑壳体背对所述靶材的一侧设有两个或更多个用于输入溅射气体的气体输入部；所述支撑壳体设有所述靶材的一侧具有用于输出所述溅射气体的气体输出部；至少两个所述气体输入部位于所述支撑壳体的不同位置。本申请所提供的一种靶材溅射装置及其成膜装置能够在校正膜厚的基础上，避免降低溅射效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202968675U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220694172.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/24
Abstract: 本实用新型提供一种真空蒸镀装置，即使在使用防污性、疏油性、疏水性的成膜材料等的情况下，也能够降低施加于对真空容器内进行排气的泵的负载。本实用新型涉及在真空容器内使蒸镀物质蒸镀至基板的真空蒸镀装置（1）。真空蒸镀装置（1）构成为具备：拱顶型的基板保持构件（12），其用于保持多个基板（14）；旋转构件，其用于使基板保持构件(12)旋转；蒸镀构件(34)；排气构件，其用于将真空容器(10)内的气体分子排出；以及排气口(G1)，其由设于真空容器(10)的侧壁的开口构成，并能够供由排气构件排出到真空容器(10)外的气体分子通过，基板保持构件(12)的下端部配置在比排气口(G1)的上端部(G1a)靠下方的位置。
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公开(公告)号：CN203080057U
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201220694213.5
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/30
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，其具备离子源，其中，电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉，从而能够稳定地动作。对于离子源，使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线，使所述离子源的电极部位于相对于基准线呈±45°的范围以外的位置，且所述离子源配置成，所述离子源的电极中心与使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离（L）相对于所述基体保持构件的直径（D）的比（L/D）在0.3以上、0.5以下的范围。
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公开(公告)号：CN202968674U
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201220694147.1
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社新柯隆
Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，在调整形成于基板的薄膜的膜厚的同时提高了蒸镀材料的利用效率。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；基板保持器（2）和基板保持器保持部件（3），它们收纳于所述真空槽（1）内；以及蒸镀源，其在真空槽（1）中配置于基板保持器（2）的下方位置，作为蒸镀源，具备蒸镀彼此相同的蒸镀材料的第一蒸镀源（4）和第二蒸镀源（5），第一蒸镀源（4）和第二蒸镀源（5）各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。
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公开(公告)号：CN202898525U
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201220563784.5
申请日：2012-10-30
Applicant: 株式会社新柯隆
IPC: C23C14/26
Abstract: 本实用新型提供一种能够形成耐磨损性和紧贴性最佳化的防污膜的薄膜形成装置。一种在真空室内在基板的最表层形成防污性薄膜的薄膜形成装置。其具备：配设于真空容器内并保持多个基板的基板保持单元；使基板保持单元旋转的旋转单元；面对基板而设置的至少一个蒸镀单元；以及对基板照射能量的能量源。能量源配置在处于如下范围的位置：基板保持单元的旋转中心和能量源的分离部的中心之间的铅直方向的距离（H）与基板保持单元的直径（D）之比（H/D）为0.25以上且0.50以下的范围。
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