公开(公告)号：KR1020100049704A

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：KR1020107009366

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR100887445B1

公开(公告)日：2009-03-10

申请号：KR1020077014619

申请日：2006-04-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  미야시타히로유키 ,  군지이사오

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/10

Abstract: 기판 처리 방법은, 미리 피처리 기판의 적외선 흡수율 또는 적외선 투과율을 측정하여, 그 측정값에 따라서, 적어도, 피처리 기판의 중앙부의 제 1 영역과, 그 외측의 제 2 영역에 대하여, 제 1 영역과 상기 제 2 영역에 대응하여 서로 독립적으로 제어 가능하게 마련된 온도 조절 수단에 의해 독립하여 온도 조절을 하면서 피처리 기판을 처리한다.

公开(公告)号：KR100870776B1

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：KR1020077029479

申请日：2005-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H05B3/143

Abstract: 처리 장치는 매설된 히터의 가열에 기인해서 균열이 발생하는 것을 방지한 탑재대를 갖는다. 웨이퍼(W)를 탑재한 탑재대(32A)는 복수의 영역(32Aa, 32Ab)을 갖고, 복수 영역의 각각에 대하여 독립적으로 복수의 히터 중 하나가 매설된다. 인접한 영역 중 한쪽(32Aa)에 매설된 히터(35Aa)는 다른 쪽의 영역(32Ab) 내로 연장되는 부분(35Aa
2 )을 갖고, 인접한 영역 중 다른 쪽의 영역(32Ab)에 매설된 히터(35Ab)는 한쪽의 영역(32Aa) 내로 연장되는 부분(35Ab
2 )을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020080068148A

公开(公告)日：2008-07-22

申请号：KR1020087015988

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR100788060B1

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：KR1020077016175

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

Abstract translation: 通过使用等离子体CVD在待处理的基板（W）上形成预定薄膜的成膜方法是交替地执行第一和第二步骤一次或多次。 在第一工序中，一边向容纳基板W的处理室51内供给含有薄膜成分和还原性气体的化合物气体，一边在处理室51内生成第一等离子体。 在第二步骤中，在第一步骤之后，在处理室51中产生第二等离子体，同时向处理室51中供应还原气体。

公开(公告)号：KR1020070020278A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020067025601

申请日：2005-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카미세이시 ,  다다구니히로

IPC: C23C16/46

CPC classification number: C23C16/46 ,  C23C16/4586 ,  H01L21/67109 ,  H05B3/143

Abstract: A treating device and a heater unit. The treating device comprises a loading table formed so that cracking does not occur therein due to the heating of heaters buried therein. The loading table (32A) for placing a wafer (W) thereon further comprises a plurality of areas (32Aa) and (32Ab), and one of the plurality of heaters is buried in each of the plurality of areas independently of each other. The heater (35Aa) buried in one area (32Aa) of the areas adjacent to each other comprises a portion (35Aa2) extending into the other area (32Ab), and the heater (35Ab) buried in the other area (32Ab) of the areas adjacent to each other comprises a portion (35Ab2) extending into one area (32Aa). ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 处理装置和加热器单元。 处理装置包括装载台，其形成为使得由于其中埋入的加热器的加热不会在其中发生裂纹。 用于将晶片（W）放置在其上的装载台（32A）还包括多个区域（32Aa）和（32Ab），并且所述多个加热器中的一个加热器彼此独立地埋设在所述多个区域中的每一个中。 掩埋在彼此相邻的区域的一个区域（32Aa）中的加热器（35Aa）包括延伸到另一区域（32Ab）中的部分（35Aa2）和埋在另一区域（32Ab）中的加热器 彼此相邻的区域包括延伸到一个区域（32Aa）中的部分（35Ab2）。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100674732B1

公开(公告)日：2007-01-25

申请号：KR1020047017827

申请日：2003-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

公开(公告)号：KR100628607B1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1019980017329

申请日：1998-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  요시카와히데키

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060097070A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020067016824

申请日：2003-12-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와카바야시사토시 ,  오카베신야 ,  무라카미세이시 ,  모리시마마사토 ,  다다구니히로

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556

Abstract: A susceptor device is provided in a film- forming vessel (4) for semiconductor processing. The susceptor device includes a susceptor (16) having a top surface on which a wafer (W) to be processed is placed and a side surface extending downward from the top surface and a heater (18) provided in the susceptor (16) and serving to heat the wafer (W) through the top surface. The top and side surfaces of the susceptor (16) is coated with a CVD pre-coat layer (28). The pre-coat layer (28) has a thickness great enough to substantially saturate the amount of heat originated from the heater (18) and radiated from the top and side surfaces of the susceptor (16).

Abstract translation: 在用于半导体处理的成膜容器（4）中设置感受器装置。 所述基座装置包括：基座（16），其具有顶面，待处理的晶片（W）被放置在所述上​​表面上;从所述顶面向下延伸的侧面和设置在所述基座中的加热器， 以通过顶表面来加热晶片（W）。 基座（16）的顶表面和侧表面涂覆有CVD预涂层（28）。 预涂层（28）的厚度足够大以使来自加热器（18）的热量基本饱和并从基座（16）的顶表面和侧表面辐射。

公开(公告)号：KR1020060096036A

公开(公告)日：2006-09-05

申请号：KR1020067007190

申请日：2005-04-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다다구니히로 ,  나루시마겐사쿠 ,  와카바야시사토시

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

Abstract: After cleaning the surface of a base nickel silicide film, a Ti film having a thickness of 2nm or more but less than 10nm is formed by CVD using a Ti compound gas. The Ti film is nitrided, and on the Ti film after nitriding, a TiN film is formed by CVD by using the Ti compound gas and a gas including N and H.

Abstract translation: 在清洁基底镍硅化物膜的表面之后，通过使用Ti化合物气体的CVD形成厚度为2nm以上且小于10nm的Ti膜。 将Ti膜氮化，在氮化后的Ti膜上，通过使用Ti化合物气体和包含N和H的气体通过CVD形成TiN膜。