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公开(公告)号：KR101768758B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020147027264
申请日：2013-02-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02046 , H01L21/02063 , H01L21/67023 , H01L22/12
Abstract: 기판표면에부착한파티클을높은제거율로제거할수 있는기술을제공하는것이다. 기판인웨이퍼(W)에부착하고있는파티클(100)에대해입경을포함하는파티클정보(74)를취득하고, 이파티클정보(74)에근거하여, 세정용의가스의원자또는분자의집합체인가스클러스터(200)의입경에관한인자, 예를들면가스압력을조정한다. 그후, 웨이퍼(W)가배치되는처리분위기보다압력이높은영역으로부터, 처리분위기로상기세정용의가스를토출하고, 단열팽창에의해상기가스클러스터(200)를생성시킨다. 이가스클러스터(200)를웨이퍼(W)의표면에수직으로조사하면, 파티클(100)의입경에대응하는입경의가스클러스터(200)에의해세정처리를행할수 있고, 그결과, 웨이퍼(W)의표면에회로패턴을위한오목부(81)가형성되어있어도오목부(81) 내의파티클(100)을높은제거율로제거할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170031193A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020177003804
申请日：2015-05-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B5/00 , B08B7/0035 , G03F7/42 , G03F7/427 , H01L21/0276 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207
Abstract: 기판세정방법을개시한다. 기판세정방법은, 가공대상막의위쪽에있는제거대상막을패터닝하는공정(스텝 10)을행하고, 스텝 10 후, 패터닝된제거대상막을에칭마스크로이용하여, 가공대상막을이방성에칭하는공정(스텝 11)을행하고, 스텝 11 후, 가공대상막상에잔존하는제거대상막을가스케미컬에칭하는공정(스텝 12)을행하고, 스텝 12 후, 가공대상막의표면을포함하는피처리면에가스클러스터를조사하는것에의해, 가공대상막의표면에잔존하는비반응성또는비휘발성의잔사를제거하여세정하는공정(스텝 14)을행한다.
Abstract translation: 公开了一种基板清洁方法。 基板清洗方法执行用于构图，以除去在加工对象膜的上靶膜的工序（步骤10），步骤10之后，通过使用图案化的移除目标膜蚀刻掩模，对步骤（步骤11）中，称为处理对象膜各向异性 通过执行，询问在特征前的气体团簇表面和后表面的步骤包括一个步骤11中，然后，在执行处理（步骤12），步骤12以后，该膜的处理目标表面称为所述移除目标膜气体化学残留在处理对象膜， 执行除去待处理膜表面上残留的非反应性或非挥发性残余物并清洁（步骤14）的步骤。
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公开(公告)号：KR1020160076467A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：KR1020150182676
申请日：2015-12-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , C02F103/34 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4407 , H01J37/32862
Abstract: 약액공급라인에사용되는불소계수지의금속오염을단기간에효율적으로제거한다. 피처리체에약액을공급하는약액공급라인(25)에사용되는불소계수지의내벽에존재하는금속오염을제거함에있어서, 금속오염을구성하는금속에대하여반응성을갖는세정물질을, 그일부또는전부를기체상으로하여약액공급라인(25)에공급하고, 기체상의세정물질을약액공급라인(25)에사용되는불소계수지의내벽에존재하는금속오염에작용시켜금속오염을제거한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种去除金属污染的方法和装置。 用于医用液体供给管线的氟系树脂的污染能够在短时间内有效地除去。 为了将用于向被处理物供给医用液体的医用流体供给管线（25）所用的氟系树脂的内壁上除去金属污染物，可以向形成金属的金属供给具有反应性的清洗材料 在气相中一部分或全部洗涤材料对药液供应管线（25）的污染; 并且允许气相洗涤材料与用于医用流体供给管线（25）的氟系树脂的内壁上存在的金属污染物反应，以去除金属污染物。
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公开(公告)号：KR1020120135423A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：KR1020127027213
申请日：2011-03-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/0206 , H01L21/31133 , H01L21/67051
Abstract: 피세정물이 부착된 기판을 세정하는 기판 세정 장치에 있어서, 세정제 분자가 복수 집합해서 이루어지는 클러스터를 상기 기판에 분사하는 클러스터 분사 수단과, 상기 세정제 분자의 클러스터를 분사하는 것에 의해서 제거된 피세정물을 흡인하는 흡인 수단과, 상기 기판 및 상기 클러스터 분사 수단을, 피세정물이 부착된 기판의 면을 따라 상대 이동시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120135411A
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：KR1020127024236
申请日：2011-03-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , G03F7/42
CPC classification number: G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/6708 , H01L21/0273
Abstract: 레지스트 이외의 기판 재료를 산화시키는 일 없이, 용제를 이용한 종래의 레지스트 제거 방법에 비해 레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 레지스트 제거 장치 및 레지스트 제거 방법을 제공하는 것에 있다. 레지스트를 성막한 웨이퍼 W에서 레지스트를 제거하는 레지스트 제거 장치에, 유기계 용제 분자가 복수 집합해서 이루어지는 클러스터를 웨이퍼 W에 분사하는 클러스터 분사 수단을 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101133819B1
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020117002544
申请日：2009-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 세정액에 의해 표면에 패턴이 형성된 기판을 세정하는 세정 방법으로서, 세정액을 제거 혹은 건조시킬 때에, 패턴의 볼록부의 쓰러짐을 억제하면서 해당 기판을 세정할 수 있는 세정액 방법을 제공한다. 세정 방법은 처리용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하는 공정과, 기판을 가열하는 공정과, 상기 기판의 표면에 세정액을 공급하는 공정을 포함한다. 세정액을 공급하는 공정에 있어서, 라이덴 프로스트 현상이 일어나, 기판에 공급되는 세정액의 액체방울과 기판 사이에 상기 세정액의 증기가 개재하도록 기판을 가열하는 공정에 있어서 기판이 가열된다.
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公开(公告)号：KR101078910B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020087024431
申请日：2007-04-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B01D46/521 , B01D46/0023
Abstract: 기체중의파티클을제거하는기체청정장치로서, 제 1 필터층과제 2 필터층을갖고, 상기제 1 필터층을구성하는섬유의직경이상기제 2 필터층을구성하는섬유의직경보다굵은것을특징으로하는기체청정장치. 또한, 상기의기체청정장치를이용한반도체제조장치.
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公开(公告)号：KR101064842B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020087022798
申请日：2007-06-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67207 , G01N21/3103 , G01N21/68 , H01J49/0463
Abstract: 개시되는 분석 장치는 기판 상에 형성된 피막을 자외선을 조사함으로써 제거하는 제 1 처리부와, 기판의 표면에 용해액을 공급하여 기판 상의 분석 대상 물질을 용해시키는 제 2 처리부와, 제 2 공정에서 이용한 용해액 중 분석 대상 물질을 분석하는 제 3 처리부를 갖는다.
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公开(公告)号：KR1020110028532A
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：KR1020117002544
申请日：2009-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 세정액에 의해 표면에 패턴이 형성된 기판을 세정하는 세정 방법으로서, 세정액을 제거 혹은 건조시킬 때에, 패턴의 볼록부의 쓰러짐을 억제하면서 해당 기판을 세정할 수 있는 세정액 방법을 제공한다. 세정 방법은 처리용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하는 공정과, 기판을 가열하는 공정과, 상기 기판의 표면에 세정액을 공급하는 공정을 포함한다. 세정액을 공급하는 공정에 있어서, 라이덴 프로스트 현상이 일어나, 기판에 공급되는 세정액의 액체방울과 기판 사이에 상기 세정액의 증기가 개재하도록 기판을 가열하는 공정에 있어서 기판이 가열된다.
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公开(公告)号：KR100915722B1
公开(公告)日：2009-09-04
申请号：KR1020077015352
申请日：2006-06-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , Y10T428/265
Abstract: 반도체 처리 장치에 사용되는 구성 부재(10)는, 구성 부재의 형상을 규정하는 기재(10a)와, 기재의 소정의 표면을 피복하는 보호막(10c)을 구비한다. 보호막(10c)은 알루미늄, 실리콘, 하프늄, 지르코늄, 이트륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 제 1 원소의 산화물의 아몰퍼스로 이루어진다. 보호막은 1% 미만의 기공률을 갖고, 또한 1㎚ 내지 10㎛의 두께를 갖는다.
Abstract translation: 用于半导体处理装置的部件（10）包括限定部件形状的矩阵（10a）和覆盖矩阵的预定表面的保护膜（10c）。 保护膜（10c）基本上由选自铝，硅，铪，锆和钇的第一元素的无定形氧化物组成。 保护膜（10c）的孔隙率小于1％，厚度为1nm〜10μm。
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