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公开(公告)号：KR1020070041129A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020050096938
申请日：2005-10-14
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 하부층의 손상이 방지되면서도 용이하게 패터닝된 게이트 전극을 구비하는 박막 트랜지스터 제조방법을 위하여, 기판 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극에 각각 접하도록 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제 1 도전층에 레이저빔을 조사하여 게이트 전극으로 패터닝하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101117730B1
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：KR1020090130020
申请日：2009-12-23
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L51/50 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3272 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 본발명은외부로부터의수분이나산소및 광등의침투를방지하고대형표시장치에의적용이용이하며양산성이뛰어난유기발광디스플레이장치및 그제조방법을제공하기위한것으로, 기판; 상기기판상에형성되는게이트전극; 상기게이트전극과절연된활성층; 상기게이트전극과절연되고상기활성층에콘택되는소스및 드레인전극; 상기소스전극및 드레인전극과상기활성층의사이에개재된절연층; 상기활성층상부에형성되어상기활성층으로입사되는특정파장대의광을차단하는광 차단층; 및상기소스및 드레인전극에전기적으로연결된유기발광소자를포함하는유기발광디스플레이장치및 그제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101117733B1
公开(公告)日：2012-02-24
申请号：KR1020100005744
申请日：2010-01-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3233 , G09G2300/0814 , G09G2310/0254 , G09G2310/0262 , G09G2310/067 , G09G2320/0214 , G09G2320/043
Abstract: 본 발명의 실시예들은 두 개의 주사 트랜지스터를 포함하는 표시 장치용 화소 회로를 개시한다. 두 개의 주사 트랜지스터들은 어닐링 구간과 오프 구간을 반복하도록 구동된다. 어닐링 구간에 의하여 주사 트랜지스터의 문턱 전압이 쉬프트 됨으로 인해 누설 전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101064442B1
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：KR1020090077485
申请日：2009-08-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L27/3276
Abstract: 본 발명은 제 1산화물 반도체층을 활성층으로 이용하는 산화물 박막트랜지스터가 구비되는 액티브 매트릭스 방식의 유기전계 발광 표시장치에 있어서, 주사선과 이와 중첩되는 데이터선 사이 영역에 상기 제 1산화물 반도체층과 분리된 제 2산화물 반도체층이 형성됨으로써, 주사선과 데이터선 사이의 중첩 부분에서 생성되는 기생 캐패시턴스를 감소시키는 유기전계 발광 표시장치를 제공한다.
본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치는, 제 1방향으로 배열되는 다수의 주사선들과; 상기 다수의 주사선들과 교차되는 제 2방향으로 배열되는 다수의 데이터선들과; 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차부마다 위치되며, 복수의 박막트랜지스터 및 유기발광소자를 포함하는 화소들이 포함되고, 상기 각 화소에 포함되는 박막트랜지스터는 제 1산화물 반도체층을 활성층으로 이용하는 산화물 박막트랜지스터이며, 상기 주사선들과 데이터선들의 서로 교차되어 중첩되는 부분에 대하여 상기 주사선과 데이터선 사이 영역에 상기 제 1산화물 반도체층과 분리된 제 2산화물 반도체층이 형성됨을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020110085776A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：KR1020100005744
申请日：2010-01-21
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3233 , G09G2300/0814 , G09G2310/0254 , G09G2310/0262 , G09G2310/067 , G09G2320/0214 , G09G2320/043
Abstract: PURPOSE: A pixel circuit, and a display apparatus and a display driving method using the pixel circuit are provided to prevent leakage current by using an annealing period and changing the threshold voltage of a scanning transistor. CONSTITUTION: In a pixel circuit, and a display apparatus and a display driving method using the pixel circuit, a driving transistor(T1) comprises a first electrode outputting a driving current to a light emitting device according to an input signal from a gate electrode and also includes a second electrode connected to the light emitting device. A storage capacitor(Cst) is connected between the gate electrode of the driving transistor and the second electrode of the driving transistor. A first scanning transistor comprises a second electrode, a first electrode, and a gate electrode. A second scanning transistor comprises a gate electrode connected to the second scanning control signal.
Abstract translation: 目的：提供像素电路以及使用像素电路的显示装置和显示驱动方法，以通过使用退火周期和改变扫描晶体管的阈值电压来防止漏电流。 构成：在像素电路以及使用该像素电路的显示装置和显示驱动方法中，驱动晶体管（T1）包括：第一电极，根据来自栅电极的输入信号向发光元件输出驱动电流;以及 还包括连接到发光器件的第二电极。 存储电容器（Cst）连接在驱动晶体管的栅电极和驱动晶体管的第二电极之间。 第一扫描晶体管包括第二电极，第一电极和栅电极。 第二扫描晶体管包括连接到第二扫描控制信号的栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101034686B1
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：KR1020090002242
申请日：2009-01-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/08 , H05B33/26 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L2251/305
Abstract: 본 발명은 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 유기전계발광 표시 장치는 활성층이 제 1 산화물 반도체층과 제 2 산화물 반도체층의 적층 구조로 이루어진 구동부 박막 트랜지스터, 활성층이 상기 제 2 산화물 반도체층으로 이루어진 화소부 박막 트랜지스터, 및 화소부 박막 트랜지스터와 연결된 유기전계발광 다이오드를 포함한다. 구동부 박막 트랜지스터는 채널이 제 2 산화물 반도체층보다 케리어 농도가 높은 제 1 산화물 반도체층에 형성되기 때문에 높은 전하 이동도를 가지며, 화소부 박막 트랜지스터는 채널이 제 2 산화물 반도체층에 형성되기 때문에 안정적이고 균일한 특성을 가진다.
구동부, 박막 트랜지스터, 활성층, 산화물 반도체층, 전하 이동도-
公开(公告)号：KR1020100085331A
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：KR1020090004549
申请日：2009-01-20
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/4908
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, a flat panel displaying device including the transistor are provided to prevent the generation of cross-talk by minimizing parasitic capacitance between a source-drain electrode and a gate electrode. CONSTITUTION: A buffer layer(11) is formed on a substrate(10). An active layer(12), which is composed of an oxide semiconductor, is formed on the buffer layer. A gate insulating layer(13) is formed on the active layer. A gate electrode(14) is formed on the gate insulating layer. A contact hole is formed to expose the active layer on both sides of the gate electrode. A source-drain electrode is connected with the active layer through the contact hole.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，包括晶体管的平板显示装置，以通过最小化源 - 漏电极和栅电极之间的寄生电容来防止串扰的产生。 构成：在衬底（10）上形成缓冲层（11）。 在缓冲层上形成由氧化物半导体构成的有源层（12）。 在有源层上形成栅极绝缘层（13）。 栅电极（14）形成在栅极绝缘层上。 形成接触孔以露出栅电极两侧的有源层。 源漏电极通过接触孔与有源层连接。
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公开(公告)号：KR1020100082940A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：KR1020090002242
申请日：2009-01-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/08 , H05B33/26 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3262 , H01L2251/305 , H01L27/1225
Abstract: PURPOSE: An organic electroluminescent display device and a manufacturing method thereof are provided to obtain high charge mobility by forming a channel on a first oxide semiconductor layer with carrier concentration higher than that of a second oxide semiconductor layer. CONSTITUTION: A substrate(100) comprises a first region and a second region. A first thin film transistor comprises a gate electrode(111) which is formed on the substrate of the first region, an active layer(112) formed into the laminated structure of the first and the second oxide semiconductor layers, and a source/drain electrode(113). The carrier concentration of the first oxide semiconductor layer is greater than that of the second oxide semiconductor layer. A second thin film transistor comprises a gate electrode(121) formed on the substrate of the second region, an active layer(122), and a source/drain electrode(123). An insulating layer(103) has a via hole which exposes the source or the drain electrode of the second thin film transistor. An organic electroluminescent diode(130) comprises a first electrode, an organic light emitting layer, and a second electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种有机电致发光显示装置及其制造方法，以通过在第一氧化物半导体层上形成具有高于第二氧化物半导体层的载流子浓度的沟道来获得高的电荷迁移率。 构成：衬底（100）包括第一区域和第二区域。 第一薄膜晶体管包括形成在第一区域的基板上的栅电极（111），形成在第一和第二氧化物半导体层的层叠结构中的有源层（112），以及源极/漏极 （113）。 第一氧化物半导体层的载流子浓度大于第二氧化物半导体层的载流子浓度。 第二薄膜晶体管包括形成在第二区域的衬底上的栅极（121），有源层（122）和源极/漏极（123）。 绝缘层（103）具有露出第二薄膜晶体管的源极或漏极的通孔。 有机电致发光二极管（130）包括第一电极，有机发光层和第二电极。
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公开(公告)号：KR100936874B1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：KR1020070133508
申请日：2007-12-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L27/1222 , H01L27/1251 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/786 , H01L29/78618
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 절연 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 게이트 전극을 포함하는 상부에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 산소 이온을 포함하며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 반도체층을 형성하는 단계, 소스 영역 및 드레인 영역의 반도체층과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계 및 반도체층을 포함하는 상부에 유기물을 코팅하여 보호막을 형성하는 단계를 포함하며, 반도체층의 케리어 농도가 1e+17 내지 1e+18#/㎤ 범위 내에서 유지되도록 하여 안정적인 전기적 특성을 갖도록 한다.
화합물 반도체, 수소 농도, 케리어 농도, 보호막, 비저항-
公开(公告)号：KR1020090085738A
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020080011492
申请日：2008-02-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/06 , H01L29/26
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display device including the same are provided to improve an electrical property of a device by easily reducing high carrier concentration of an oxide semiconductor layer. A thin film transistor includes a substrate(10), a gate electrode(11), an oxide semiconductor layer(13), a source electrode(14a), and a drain electrode(14b). The gate electrode is formed on the substrate. The oxide semiconductor layer is insulated from the gate electrode by a gate insulation film(12). The oxide semiconductor layer includes a channel region, a source region, and a drain region. The oxide semiconductor layer is an IZO(Indium Zinc Oxide) including Zr. The source electrode and the drain electrode are contacted with the source region and the drain region.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置，通过容易地降低氧化物半导体层的高载流子浓度来提高器件的电性能。 薄膜晶体管包括基板（10），栅电极（11），氧化物半导体层（13），源电极（14a）和漏电极（14b）。 栅电极形成在基板上。 氧化物半导体层通过栅极绝缘膜（12）与栅电极绝缘。 氧化物半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 氧化物半导体层是包含Zr的IZO（氧化铟锌）。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域接触。
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