Abstract:
PURPOSE: A wafer substrate and a wafer substrate assembly connection structure are provided to improve connection reliability by reducing stress added to an electrode. CONSTITUTION: A top side electrode(11) is included at the upper side of a wafer substrate(10) for electrical connection. A bottom side electrode(13) is included at the lower side of the wafer substrate for the electrical connection. A top connector(30) is bent from the upper side of the wafer substrate to the side. A bottom connector(40) is bent from the lower side of the wafer substrate to the side. A top connector electrode(31) is included in the top connector in order to be connected with the top side electrode. A bottom connector electrode(41) is included in the bottom connector in order to be connected with the bottom side electrode.
Abstract:
PURPOSE: An inkjet head cleaning device and a method thereof are provided to form a uniform ink film between a bottom plane of an inkjet head and a top plane through purging by placing a cleaning blade in the bottom plane of the inkjet head. CONSTITUTION: An inkjet head cleaning device comprises a cleaning blade(300) and a driving unit(500). The cleaning blade is installed by being spaced at a predetermined interval to form a residual ink(10) film between a bottom plane(150) of an inkjet head(100) and the cleaning blade. The driving unit transfers the cleaning blade to a direction parallel to the bottom plane of the inkjet head. The top plane of the cleaning blade is flatly formed while being parallel to the bottom plane of the inkjet head so that an link film is formed between the top plane of the cleaning blade and the bottom plane of the inkjet head. A thin groove(350) having a predetermined width in a longitudinal direction of the cleaning blade is formed in the middle part of the top plane of the cleaning blade.
Abstract:
PURPOSE: AN ink discharging device of an inkjet head and a control method thereof are provided to accurately measure amount of transparent ink spread and to reduce a session for DPN(Drive Per Nozzle) based on an accurate measurement. CONSTITUTION: AN ink discharging device(100) of an inkjet head(200) comprises a transparent inkjet head, a color inkjet head, a plurality of pixels(500), a color value measuring unit, and a control unit. The transparent inkjet head comprises a plurality of nozzles(240-1, 240-2,240-n) discharging transparent ink. The color inkjet head is perpendicularly mounted in the transparent inkjet head and comprises a plurality of nozzles discharging color ink. The plurality of pixels spread the color ink and transparent ink through the color inkjet head and transparent inkjet head. The color value measuring unit measures a color value of the ink spread on the plurality of pixels based on signals applied to the plurality of nozzles of the transparent inkjet head and the plurality of nozzles of the color inkjet head. The control unit changes the signals applied to the plurality of nozzles of the transparent inkjet head to make the measured color values of the ink spread on the plurality of pixels uniform.
Abstract:
본 발명은 고에너지 이온주입 시 이온주입 마스크 레이어의 종횡비(Aspect Ratio)를 증가시키는 이온주입 마스크 형성방법에 관한 것이다. 고에너지 이온주입 시 포토레지스트의 두께가 증가로 인한 종횡비 증가에 따른 패턴 러닝 및 리프팅이 발생됨을 방지하는 본 발명에 적용되는 이온주입 마스크 형성방법은, 반도체 기판 상에 필드영역을 형성하고 상기 반도체 기판 상에 비결정탄소막, 하드마스크막을 순차적으로 적층하는 단계와, 상기 하드마스크막 상에 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 형성된 식각 마스크 패턴에 의해 상기 필드영역이 노출되도록 상기 하드마스막과 상기 비결정탄소막을 식각하여 상기 하드마스막과 상기 비결정탄소막의 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 필드영역의 고에너지 이온주입 시 하드마스크를 적용하여 종횡비 증가에 의한 패턴 리닝(Pattern leaning)현상과 포토레지스트의 리프팅현상의 발생을 방지한다. 플라즈마, 이온주입 마스크 형성, 종횡비 증가방지, 패턴리닝 현상방지, 포토레지스트 리프팅현상방지
Abstract:
본 발명은 화면 조정 장치 및 방법에 관한 것으로서, 화면 조정 장치는, 재생할 영상에 중첩되어 표시되고, 사용자에게 화면 조정 인터페이스를 제공하는 OSD 화면 조정부; 및 사용자가 OSD 화면 조정부를 통해 화면 조정을 수행시, 디스플레이 패널에 표시될 하나의 영상 중 소정 영역의 영상만 화면 조정 상태를 반영해 표시하고 나머지는 소정 기준 화면 상태를 적용해 표시하는 영상 분할부를 포함함을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 간단한 구조를 가진 화면 조정 장치를 구현하고, 화면 조정시 사용자에게 하나의 영상 안에서 서로 다른 화면 상태를 볼 수 있도록 함으로써 산만하지 않은 안정된 영상 화면을 제공할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 잉크젯헤드 메인터넌스장치 및 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 잉크젯헤드 메인터넌스장치는 잉크를 분사하도록 잉크젯헤드를 예비 구동하는 구동부; 구동부에 의해 구동되는 잉크젯헤드의 잉크분사 상태를 측정하는 측정부; 및 측정부의 측정 결과에 기초하여 소정 조건을 만족하는 잉크젯헤드를 보관하는 보관부를 포함한다. 이에 의해 잉크젯헤드의 인쇄 시간을 단축하고 잉크젯헤드를 효율적으로 유지 관리할 수 있다. 잉크젯 인쇄, 메인터넌스, 예비 구동
Abstract:
반도체 장치의 제조 방법에서 있어서, 칩 영역의 반도체 기판에 제1 종횡비를 갖는 제1 트랜치를 형성하는 동시에, 예정 영역의 반도체 기판에는 상기 제1 종횡비보다 작은 제2 종횡비를 갖는 제2 트랜치를 형성한다. 칩 영역에는 제1 트랜치를 매립하는 산화물 및 반도체 기판 상에 형성되는 폴리실리콘을 포함하는 제1 구조물을 형성하는 동시에, 예정 영역에는 제2 트랜치 내부를 매립하도록 적층된 산화물 및 폴리실리콘을 포함하는 제2 구조물을 형성한다. 제1 구조물의 상기 폴리실리콘을 부분적으로 제거하는 동시에 제2 트랜치 내부에 매립된 제2 구조물의 폴리실리콘을 제거함으로써, 칩 영역에 폴리실리콘 패턴과 예정 영역에 제2 트랜치의 입구 부위가 단차진 형태를 갖는 정렬 마크를 동시에 형성한다. 따라서, 별도의 공정을 수행하지 않고 정렬 마크를 용이하게 형성할 수 있다.
Abstract:
A method for fabricating a pattern structure and a method for fabricating a trench using the same are provided to reduce a critical dimension by using patterns whose lower intervals are narrower than upper intervals. A mask pattern structure(20) includes mask patterns(2) that are separated from each other on a layer. The mask pattern structure is divided by a first region(A) and a second region(B). The first region has a first pattern density. The second region has a second pattern density substantially lower than the first pattern density. The layer is etched by using the mask pattern structure as an etching mask to form first sidewalls(11) and second sidewalls(12). The first sidewalls are located under the first region. The second sidewalls are located under the second region. The first sidewalls substantially have a vertical first profile. The second sidewalls have a second profile whose line width getting smaller on lower portion thereof.
Abstract:
A semiconductor substrate exposing apparatus is provided to perform easily stably an exposure process regardless of the size of a guide frame by using a reticle stage capable of being shrunk or expanded corresponding to the guide frame. A semiconductor substrate exposing apparatus includes a light source unit(110), a reticle stage and a substrate stage. The reticle stage(140) is arranged on a first light progressing path. The reticle stage is capable of being shrunk or expanded according to the size of a pellicle, wherein the pellicle is attached to a reticle. The reticle stage is used for supporting the reticle. The substrate stage(170) is used for supporting a semiconductor substrate, so that the substrate is arranged on a second light progressing path.
Abstract:
An overlay key, a method of forming the same, a semiconductor device fabricated by using the same, and a method of fabricating a semiconductor device by using the same are provided to obtain a clear overlay key image by using the overlay key in which a film having high reflectivity is formed under a main scale. An overlay key includes a main scale(224) formed on a metal silicide film directly contacting a silicon substrate, and a vernier(254) provided on the main scale. The metal silicide is obtained by reacting the substrate(200) with a metal material. The metal silicide contains cobalt silicide, tungsten silicide, titanium silicide, and tantalum silicide. The metal silicide has reflectivity of 8 to 30%.