公开(公告)号：KR1020170115217A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：KR1020160042447

申请日：2016-04-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광성 ,  신기루 ,  김광천 ,  임연준 ,  조정훈 ,  한상경

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: B24B49/12 ,  B24B37/04 ,  B24B53/017 ,  G01B11/22 ,  G01B11/24

Abstract: 본발명은연마패드측정장치및 이를이용한화학적기계적연마설비에관한것이다. 본발명은웨이퍼를연마하는연마패드의프로파일을측정하는연마패드측정장치에있어서, 연마패드의일면으로부터상기일면과대향된타면을향해연장된그루브들내의이물질을제거하기위한이물질제거부; 및상기이물질이제거된상기그루브들의깊이를측정하기위한거리측정부를포함한다.

Abstract translation: 研磨垫测定装置及使用其的化学机械研磨装置技术领域本发明涉及研磨垫测定装置及使用该研磨垫测定装置的化学机械研磨装置 本发明涉及一种抛光垫，测量装置用于测量所述抛光垫的轮廓以抛光晶片，和从抛光垫的一个表面上的一个表面，并拒绝用于去除朝向另一个表面相对的异物延伸的凹槽内的异物; 以及距离测量单元，用于测量去除异物的凹槽的深度。

公开(公告)号：KR1020170021501A

公开(公告)日：2017-02-28

申请号：KR1020150115924

申请日：2015-08-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈

IPC: H04B17/309 ,  H04B17/336 ,  H04B17/24 ,  H04B17/382

CPC classification number: H04B17/336 ,  H04B17/309

Abstract: 본문서에개시되는일 실시예에따른전자장치는, 기지국과지정된프로토콜로통신하는통신모듈, 제1 어플리케이션또는제2 어플리케이션중 적어도하나를포함하는메모리, 및상기기지국으로부터수신된신호에기초하여 CQI(Channel Quality Indication) 인덱스를결정하고, 상기 CQI 인덱스를상기기지국으로전송하도록설정된프로세서를포함할수 있다. 상기프로세서는, 실행되는어플리케이션에따라서상기 CQI 인덱스의결정방법을상이하게설정할수 있다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.

Abstract translation: 根据本文公开的实施例的电子设备包括存储器，该存储器包括用于以指定协议与基站进行通信的通信模块，第一应用或第二应用以及CQI （信道质量指示）索引，并将CQI索引发送给基站。 处理器可以根据执行的应用来设置不同地确定CQI索引的方法。 通过说明书已知的各种实施例也是可能的。

公开(公告)号：KR3006800180000S

公开(公告)日：2013-02-08

申请号：KR3020120041604

申请日：2012-08-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김준세 ,  조정훈

公开(公告)号：KR1020080036913A

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：KR1020070057996

申请日：2007-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이혁재 ,  조정훈 ,  조세휘 ,  양윤식 ,  임용규

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/00

Abstract: An apparatus and a method for depositing a thin film are provide to obtain a thin film having a uniform thickness by preventing impurities from being formed in a nozzle tube that supplies processing gas. An apparatus for depositing a thin film comprises a chamber(10) having an internal space defined by a substrate holder(40) and an inner wall of the chamber, and a nozzle tube(30). The nozzle tube includes a first end portion(31) fixed to the inner wall of the chamber, a second end portion(32) extending toward the internal space of the chamber, a fluid path(33) extending through the first end portion to the second end portion of the nozzle tube, and at least one slit(34) formed in the second end portion of the nozzle tube to open the fluid path. The nozzle tube includes a long nozzle tube and a short nozzle tube shorter.

Abstract translation: 提供一种用于沉积薄膜的设备和方法，以通过防止在提供处理气体的喷嘴管中形成杂质来获得具有均匀厚度的薄膜。 一种用于沉积薄膜的设备包括具有由衬底保持器（40）和室的内壁限定的内部空间的腔室（10）和喷嘴管（30）。 所述喷嘴管包括固定到所述室的内壁的第一端部（31），朝向所述室的内部空间延伸的第二端部（32），流过所述第一端部的流体路径（33） 所述喷嘴管的第二端部和形成在所述喷嘴管的所述第二端部中的至少一个狭缝（34），以打开所述流体路径。 喷嘴管包括较长的喷嘴管和较短的喷嘴管。

公开(公告)号：KR1020070049265A

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：KR1020050106246

申请日：2005-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 현기철 ,  배도인 ,  이태원 ,  조정훈 ,  최철환

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/45565 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681

Abstract: 박막을 증착하기 위한 반도체 제조 공정 장치에서, 내부 공간을 갖는 공정 챔버, 상기 공정 챔버를 덮는 리드부, 상기 리드부와 대향하고, 상기 챔버 내부로 공정 가스를 유입하기 위한 샤워 헤드, 상기 샤워 헤드 상부 및 리드부 저면이 서로 대향하도록 연결시키고 구동에 의해 상기 샤워 헤드의 위치를 변경시키는 스크류, 상기 공정 챔버의 저면에 위치하고 웨이퍼가 놓여지는 히팅 블록, 상기 샤워 헤드에 구비되고 상기 샤워 헤드 및 상기 히팅 블록 사이의 간격을 측정하기 위한 변위 센서, 상기 스크류와 연결되어 상기 스크류를 구동시키는 구동부 및 상기 변위 센서로부터 상기 샤워 헤드 및 상기 히팅 블록 사이의 간격의 측정값을 인가받고 상기 구동부에 구동 신호를 인가하는 제어부를 포함한다.

公开(公告)号：KR100499162B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1019970061206

申请日：1997-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  김덕중

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명은 웨이퍼를 복수개 수용하는 캐리어와 보트 등의 사이에서 한 번에 소정 개수의 웨이퍼를 흡착 고정하도록 형성된 반도체장치 제조설비의 척조립체에 관한 것이다.
본 발명의 반도체장치 제조설비의 척조립체는 장방형으로 상면 전단부에 내부의 진공통로와 연통하는 진공홈이 형성되고, 후단부에 상·하측 관통된 진공홀이 형성된 진공척과; 상기 진공척이 삽입식으로 안착되도록 후단부를 커버하며, 소정 위치에 상기 진공홀과 연통하는 홀이 형성된 압착부재와; 상면에 상기 압착부재를 포함한 상기 진공척이 위치되는 안착홈이 형성된 고정체블록; 및 상기 복수개의 고정체블록이 적층된 상측과 하측을 커버하여 체결됨으로써 상기 각각의 진공척과 압착부재를 가압하도록 형성된 커버블록;을 포함한 구성으로 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면, 각각의 압착부재가 안착홈과 자리홈에 위치됨과 동시에 진공홀과 홀 및 구멍이 일치되고, 압착부재에 진공척을 삽입 또는 인출식으로 설치함에 따라 교체가 용이하며, 척조립체의 분해 조립에 따른 노동력 감소와 조립 시간이 단축되는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020040085905A

公开(公告)日：2004-10-08

申请号：KR1020030020758

申请日：2003-04-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍형식 ,  금경수 ,  김광식 ,  박충훈 ,  조정훈

IPC: H01L21/205

Abstract: PURPOSE: A CVD apparatus for fabricating a semiconductor device is provided to prevent leakage of argon gas to an upper part of a heater by inserting a sealing plate into an insertion hole. CONSTITUTION: A heater unit(200) is used for heating a semiconductor substrate. A plurality of lift pins are elevated through a through-hole of the heater unit and are used for loading the semiconductor substrate on the heater unit. A gas supply unit(400) supplies a process gas between a deposition ring and the heater unit in order to prevent the deposition of the process gas on the heater unit. A sealing plate is inserted into an insertion hole in order to prevent the leakage of the process gas to an upper part of the heater unit. The sealing plate is formed with ceramic materials.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的CVD装置，以通过将密封板插入插入孔来防止氩气向加热器的上部泄漏。 构成：加热单元（200）用于加热半导体衬底。 多个提升销通过加热器单元的通孔提升，并用于将半导体基板装载到加热器单元上。 气体供给单元（400）在沉积环和加热器单元之间提供处理气体，以防止处理气体沉积在加热器单元上。 将密封板插入到插入孔中，以防止处理气体泄漏到加热器单元的上部。 密封板由陶瓷材料形成。

公开(公告)号：KR1020040024374A

公开(公告)日：2004-03-20

申请号：KR1020020055967

申请日：2002-09-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태원 ,  조정훈 ,  김상호 ,  박유춘 ,  연순호

IPC: H01L21/00

Abstract: PURPOSE: A heater block that controls heat radiation and improves temperature uniformity is provided to obtain uniform heat distribution on a heater block by inserting a heat radiation blocking layer of a multi layer structure into the heater block, and to more efficiently heat a semiconductor substrate by controlling heat radiation to the inside of the heater block. CONSTITUTION: A lower plate(106) of the heater block is made of an aluminum material. The lower part of the lower plate of the heater block is connected to a power apply unit(100) and a wire connected to the power apply unit is built in the center of the lower plate of the heater block. The heat radiation blocking layer(110) controls the heat that generated from a heating wire plate(104) and is exhausted to the outside, formed on the lower plate of the heater block. The heating wire plate of a circular type completely covers the heat radiation blocking layer. A circular upper plate(102) of the heater block surrounds the upper and side parts of the heating wire plate, the side part of the heat radiation blocking layer and the side part of the lower plate of the heater block. A welding part(108) welds lower portions of the upper and lower plates of the heater block where the lower portions contact each other.

Abstract translation: 目的：提供一种控制热辐射并提高温度均匀性的加热器块，以通过将多层结构的散热阻挡层插入加热器块中以在加热器块上获得均匀的热分布，并且通过以下方式更有效地加热半导体衬底 控制加热块内部的热辐射。 构成：加热器块的下板（106）由铝材料制成。 加热器块的下板的下部连接到供电单元（100），并且连接到供电单元的线内置在加热器块的下板的中心。 散热阻挡层（110）控制从加热线板（104）产生的热量并排出到形成在加热器块的下板上的外部。 圆形加热丝板完全覆盖散热阻挡层。 加热器块的圆形上板（102）围绕加热丝板的上部和侧部，散热阻挡层的侧部和加热器块的下板的侧部。 焊接部分（108）焊接加热器块的上部和下部板的下部，其中下部彼此接触。

公开(公告)号：KR1020010060450A

公开(公告)日：2001-07-07

申请号：KR1019990062730

申请日：1999-12-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성배 ,  조정훈

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A carrier cleaning unit of a CMP(Chemical Mechanical Polishing) system is provided to prevent a damage of a wafer by cleaning efficiently a polluted carrier. CONSTITUTION: A plurality of cleaning nozzle(13,20) is installed at a lower direction and an upper direction of a carrier(10). Impurities formed on a surface of the wafer are removed by injecting cleaning water through the plural cleaning nozzles(13,20). A clean cup(12) is installed on the lower direction of the carrier(10). The plural cleaning nozzles(13,20) are installed on the clean cup(12). The plural cleaning nozzles(13,20) injects the cleaning water from the lower direction of the carrier(10) to the upper direction of the carrier(10).

Abstract translation: 目的：提供CMP（化学机械抛光）系统的载体清洁单元，以通过有效清洁污染的载体来防止晶片的损坏。 构成：多个清洁喷嘴（13,20）安装在载体（10）的下方向和上方。 通过将多个清洗喷嘴（13,20）注入清洗水，去除在晶片表面上形成的杂质。 清洁杯​​（12）安装在托架（10）的下方。 多个清洁喷嘴（13,20）安装在清洁杯（12）上。 多个清洁喷嘴（13,20）将清洁水从载体（10）的下方喷射到载体（10）的上方。

公开(公告)号：KR1020000001702A

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019980022078

申请日：1998-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조정훈 ,  이상열

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A suscepter of semiconductor device manufacturing equipment is provided to prevent the damage of a wafer and accurately seat the wafer on a suscepter. CONSTITUTION: The suscepter of semiconductor device manufacturing equipment comprises: wafer seats(22,40) receiving wafers and protruded from their edge; and guide walls(44,46) formed on the edge of the wafer seats to receive the wafer wherein the guide wall is consisted of the first guide wall(44) formed in arch shape in the position adjacent to the top of the wafer positioned on the wafer seat and the second guide(46) wall formed in arch shape in the position adjacent to both sides of the wafer flat zone, and the inner surface of top end of the guide wall is inclined.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件制造设备的可疑器件，以防止晶片的损坏，并将晶片准确地安置在更换器上。 构成：半导体器件制造设备的佼佼者包括：晶片座（22,40）接收晶片并从其边缘突出; 以及形成在晶片座的边缘上的导向壁（44,46），用于接收晶片，其中导向壁由形成为弓形的第一引导壁（44）组成，该第一引导壁（44）在与位于 所述晶片座和所述第二引导件（46）的壁在与所述晶片平坦区的两侧相邻的位置上形成为拱形，并且所述引导壁的顶端的内表面倾斜。