-
公开(公告)号：KR1020050107089A
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：KR1020040032273
申请日：2004-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67265
Abstract: 본 발명의 웨이퍼 로딩/언로딩 확인 방법에 따르면, 웨이퍼가 로딩/언로딩 되었는지 여부가 센서로 감지되고, 로딩/언로딩 된 웨이퍼의 수가 각각 카운트된다. 상기 카운트한 결과가 서로 일치하는 경우 언로딩이 완료된 것으로 판단되어 카세트가 제거된다. 웨이퍼 언로딩 완료전에 카세트가 제거되거나 웨이퍼 언로딩 완료후 일정한 시간이 경과하여도 카세트가 제거되지 않는 경우에는 경보음이 발생된다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼가 언로딩이 완료된 후에 카세트를 제거할 수 있게 되어 웨이퍼 브로큰을 방지할 수 있으며, 카세트의 제거 이상 상태를 경보음으로 알려 작업의 효율화를 꾀할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090067237A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020070134785
申请日：2007-12-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3255 , H01J37/32082 , H01L21/6831
Abstract: A semiconductor manufacturing system is provided to increase or maximize a production yield by preventing defects in a semiconductor manufacturing process due to an overheating effect of an outer top electrode. A semiconductor manufacturing system includes a reaction chamber(120), an electrostatic chuck(130), a bottom electrode(140), an inner top electrode(160), and an outer top electrode(170). The reaction chamber provides a space sealed from the outside. The electrostatic chuck supports a wafer at a lower part of the reaction chamber. The first RF power is applied from a lower part of the electrostatic chuck to the bottom electrode. The inner top electrode injects a reaction gas at an upper end of the reaction chamber facing the lower electrode and the electrostatic chuck. The inner top electrode receives the second RF power to excite the reaction gas in a plasma state. The outer top electrode minimizes an influence caused by the RF power for concentrating the reaction gas of the plasma state on an upper part of the wafer. The outer top electrode is etched by the reaction gas. The outer top electrode is formed with one body in order to prevent generation of particles.
Abstract translation: 提供半导体制造系统以通过防止由于外顶电极的过热效应导致的半导体制造工艺中的缺陷来提高或最大化生产产量。 半导体制造系统包括反应室（120），静电吸盘（130），底电极（140），内顶电极（160）和外顶电极（170）。 反应室提供从外部密封的空间。 静电卡盘在反应室的下部支撑晶片。 第一RF功率从静电卡盘的下部施加到底部电极。 内部顶部电极在反应室的上端面向下部电极和静电吸盘上注入反应气体。 内部顶部电极接收第二RF功率以在等离子体状态下激发反应气体。 外部顶部电极最小化由RF功率引起的对等离子体状态的反应气体浓缩在晶片上部的影响。 外顶电极被反应气体蚀刻。 外顶电极形成有一体以防止颗粒的产生。
-
公开(公告)号：KR1020000000604A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980020287
申请日：1998-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67288
Abstract: PURPOSE: A wafer inspection apparatus and method are provided to prevent a broken of wafer and improve a throughput by removing a defective wafer using the inspection apparatus. CONSTITUTION: The apparatus for inspecting wafers comprises a wafer flat zone aligner(2) for rotating wafers by driving force; an image information achieving part(7) for achieving an image information of wafer(14); and a comparison decision part(8) for receiving the image information, comparing a reference value and deciding defection or not to connect the image information achieving part(7). The image information achieving part(7) includes a semiconductor laser(4) for illuminating the side surface of the wafer(14) and a camera(6) for achieving the image information of the wafer.
Abstract translation: 目的：提供晶片检查装置和方法，以防止晶片破裂并且通过使用检查装置去除缺陷晶片来提高生产率。 构成：用于检查晶片的装置包括用于通过驱动力旋转晶片的晶片平面区域对准器（2） 用于实现晶片（14）的图像信息的图像信息实现部分（7）; 以及用于接收图像信息的比较判定部分（8），比较参考值和确定偏差以及连接图像信息实现部分（7）。 图像信息实现部分（7）包括用于照亮晶片（14）的侧表面的半导体激光器（4）和用于实现晶片的图像信息的照相机（6）。
-
公开(公告)号：KR1020070049265A
公开(公告)日：2007-05-11
申请号：KR1020050106246
申请日：2005-11-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45565 , H01L21/67259 , H01L21/681
Abstract: 박막을 증착하기 위한 반도체 제조 공정 장치에서, 내부 공간을 갖는 공정 챔버, 상기 공정 챔버를 덮는 리드부, 상기 리드부와 대향하고, 상기 챔버 내부로 공정 가스를 유입하기 위한 샤워 헤드, 상기 샤워 헤드 상부 및 리드부 저면이 서로 대향하도록 연결시키고 구동에 의해 상기 샤워 헤드의 위치를 변경시키는 스크류, 상기 공정 챔버의 저면에 위치하고 웨이퍼가 놓여지는 히팅 블록, 상기 샤워 헤드에 구비되고 상기 샤워 헤드 및 상기 히팅 블록 사이의 간격을 측정하기 위한 변위 센서, 상기 스크류와 연결되어 상기 스크류를 구동시키는 구동부 및 상기 변위 센서로부터 상기 샤워 헤드 및 상기 히팅 블록 사이의 간격의 측정값을 인가받고 상기 구동부에 구동 신호를 인가하는 제어부를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020070021831A
公开(公告)日：2007-02-23
申请号：KR1020050076518
申请日：2005-08-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68 , H01L21/304
CPC classification number: B08B7/0028 , H01L21/68
Abstract: 웨이퍼의 플랫존을 정렬하기 위한 플랫존 얼라이너의 롤러 클리닝 장치는 카세트에 수납된 다수의 웨이퍼의 플랫 존을 정렬하기 위한 정렬 롤러와 접촉하며, 정렬 롤러의 이물질을 제거하기 위한 접착성 물질이 도포된 테이프를 갖는다. 정렬 롤러와 평행한 방향으로 구비되는 세정 롤러는 테이프가 정렬 롤러와의 접촉 상태를 유지하도록 테이프를 가압한다. 구동부는 테이프가 정렬 롤러 전체의 이물질을 제거하기 위해 정렬 롤러와 테이프를 상대 운동시킨다. 따라서 정렬 롤러의 이물질에 의해 웨이퍼들이 오염되는 것을 방지할 수 있다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050102204A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020040027363
申请日：2004-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67288 , H01L21/6719 , H01L21/67303
Abstract: 공정 지연 및 사고를 예방할 수 있는 반도체 기판 가공 장치가 개시되어 있다. 반도체 기판 가공 장치는 이너 튜브, 이너 튜브를 감싸는 아웃터 튜브, 이너 및 아웃터 튜브의 하부에 결합된 플랜지, 반도체 기판들을 적층하여 이너 튜브 내로 승강하는 보트, 보트에 적층된 반도체 기판의 상면과 하면을 따라 각기 진행하도록 한 쌍의 검사 신호를 방출하는 센서 유닛, 및 센서 유닛으로부터 검사 신호의 간섭 정보를 제공받아 반도체 기판들의 수납된 상태를 모니터링 하기 위한 모니터링 유닛을 구비한다. 이 경우, 보트는 각각의 반도체 기판이 한 쌍의 센서 유닛 사이에서 정지하도록 비선형적으로 승강하며, 센서 유닛은 정지 상태일 경우 검사 신호를 방출한다. 모니터링 유닛은 검사 신호의 간섭 여부에 따라 반도체 기판의 이상 여부를 예측할 수 있다. 따라서 반도체 기판의 이상으로 인한 공정 사고를 방지할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR100296668B1
公开(公告)日：2001-10-26
申请号：KR1019980020287
申请日：1998-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 측면에 나타날 수 있는 불량상태를 검사하는 웨이퍼 검사장비 및 이를 이용한 웨이퍼 검사방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 웨이퍼 검사장비는, 구동원에 의해 웨이퍼를 회전시키는 웨이퍼 회전기; 상기 웨이퍼 회전기에 의하여 회전하는 웨이퍼의 측면 화상정보를 획득하는 화상정보 획득수단; 및 정상인 웨이퍼의 측면화상정보가 내장되어 있으며, 상기 화상정보 획득수단과 연결되어 상기 측면화상정보를 전송받아 상기 정상인 웨이퍼의 측면화상정보와 비교하여 정상여부를 판단하는 비교판단수단;을 포함하여 이루어진다.
상기 화상정보 획득수단은 상기 웨이퍼 회전기에 의하여 회전하는 웨이퍼의 측면을 조명하는 조명수단과 상기 조명수단에 의해 조명을 받는 상기 웨이퍼의 측면화상정보를 획득하는 카메라로 구성된다.
따라서, 웨이퍼 검사장비를 사용하여 공정진행전 웨이퍼를 검사하여 불량 웨이퍼를 제거함으로서 공정진행 중 웨이퍼가 브로컨되는 것을 미연에 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020080016246A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060078090
申请日：2006-08-18
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01N21/954 , G01F23/02
Abstract: An apparatus for monitoring powder in a pipe is provided to check the amount of powder formed in the pipe and thus to prevent contamination of a process chamber due to the powder. An apparatus for monitoring powder in a pipe(30) comprises a light unit(110), a camera unit(120), and a display unit(130). The light unit is configured in the pipe coupled to a process chamber(10), to illuminate inside the pipe. The camera unit, which is configured in the pipe, photographs the inner wall of the pipe to monitor powder in the pipe. The display unit is connected to the camera unit and displays the image.
Abstract translation: 提供一种用于监测管道中的粉末的装置，以检查管道中形成的粉末的量，从而防止由于粉末而导致的处理室的污染。 一种用于监测管道（30）中的粉末的装置，包括光单元（110），照相机单元（120）和显示单元（130）。 光单元配置在耦合到处理室（10）的管中，以在管内照明。 配置在管道中的相机单元拍摄管道的内壁，以监测管道中的粉末。 显示单元连接到相机单元并显示图像。
-
公开(公告)号：KR1020070106257A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020060038908
申请日：2006-04-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: An O-ring and a sealing device using the same are provided to prevent or minimize local damage of the O-ring due to incomplete installation thereof by inserting the O-ring in a gland in a perfect state. An O-ring includes a body(12) having a circular cross section and plural flanges(14 to 17) protruding from the body. The flanges are arranged at regular intervals, and have a rectangular cross section protruding from one or both sides of the body, respectively. A first indication line extends straightly in a longitudinal direction of the body, and a second indication line intersects a width of the body.
Abstract translation: 提供O形圈和使用其的密封装置，以通过将O形环插入到完全状态的压盖中来防止或最小化由于其不完全安装而导致的O形环的局部损坏。 O形环包括具有圆形横截面的主体（12）和从主体突出的多个凸缘（14至17）。 凸缘以规则的间隔布置，并且具有分别从主体的一侧或两侧突出的矩形横截面。 第一指示线在身体的纵向方向上直线延伸，并且第二指示线与身体的宽度相交。
-
公开(公告)号：KR1020050102205A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：KR1020040027364
申请日：2004-04-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22
CPC classification number: H01L21/67242 , H01L21/22 , H01L21/67098 , H01L21/68742
Abstract: 공정 지연 및 사고를 예방할 수 있는 반도체 기판 가공 장치가 개시되어 있다. 반도체 기판 가공 장치는 이너 튜브, 이너 튜브를 감싸는 아웃터 튜브, 이너 및 아웃터 튜브의 하부에 결합된 플랜지, 반도체 기판들을 적층하여 이너 튜브 내로 승강하는 보트, 플랜지에 장착되어 보트에 적층된 반도체 기판에 평행한 방향으로 검사 신호를 방출하는 센서 유닛, 및 센서 유닛으로부터 검사 신호의 간섭 정보를 제공받아 반도체 기판들의 수납된 상태를 모니터링 하기 위한 모니터링 유닛을 포함한다. 이 경우, 센서 유닛은 보트가 하강하는 동안 지속적으로 일정한 검사 신호를 방출한다. 보트에 적층된 반도체 기판에 의한 상기 검사 신호의 간섭 주기가 불규칙할 경우, 모니터링 유닛은 해당 시점에 대응된 반도체 기판이 손상된 것으로 판단하고, 손상된 것으로 판단된 반도체 기판을 제외한 나머지 기판에 대하여 후속 공정을 진행한다. 따라서 공정 중에 반도체 제조 설비가 정지되어 발생되는 시간적, 재정적 손해를 급감시킬 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.02 seconds)
