公开(公告)号：KR1020000055674A

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019990004427

申请日：1999-02-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신성기 ,  하상록

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: Fabrication unit of semiconductor device having filter function sensing controller is provided to sense the function of fiters and the condition of pump, thereby determinating time of changing filters CONSTITUTION: Fabrication unit of semiconductor device having filter function sensing controller comprises a chemical solution(CH) storage tank(TK) like slurries, pump(P), filter(F), pumping cycle sensor(PCS) adjacent with the pump(P) are installed in service area(a); discharge of the pump(P), n body of chemical mechanical polisher(E1-En) are installed in clean room area(b), a controller(C) generating signal(&phgr; EC) to control a main body(E1) from the pumping cycle sensor(PCS).

Abstract translation: 目的：提供具有滤波器功能检测控制器的半导体器件的制造单元，以感测安装器的功能和泵的状态，从而确定更换过滤器的时间。构成：具有滤波器功能的半导体器件制造单元感测控制器包括化学溶液（CH ）泵（TK），泵（P），过滤器（F），与泵（P）相邻的泵周期传感器（PCS）安装在服务区域（a）中; 在洁净室区域（b）中安装泵（P），化学机械抛光机（E1-En）的排出口，控制器（C）产生信号（＆EC）以控制主体（E1） 泵循环传感器（PCS）。

公开(公告)号：KR100195222B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960029886

申请日：1996-07-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정엽 ,  하상록

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 웨이퍼 폴리싱 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치에서 웨이퍼 캐리어에 설치된 리테이닝 링은 캐리어 필름과 소정 거리 만큼 이격된 내측면과, 웨이퍼 캐리어상에 로딩된 웨이퍼의 폴리싱될 면과 동일한 수평면상에 위치하는 저면을 가진다. 상기 저면에는 리테이닝 링의 외측과 내측 사이에서 유체가 연통할 수 있도록 반경 방향으로 형성된 복수의 슬롯이 형성된다. 본 발명에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치를 이용하여 CMP 공정에 의해 웨이퍼를 폴리싱할 때 웨이퍼 전면에서 균일한 상태로 폴리싱될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980041238A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960060517

申请日：1996-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하상록

IPC: H01L21/304

Abstract: 화학 기계적 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing, 이하 'CMP'라 칭함)를 통하여 평탄화를 달성하는 CMP 장비에 관하여 개시되어 있다. 이를 위하여 본 발명은, 평탄화를 달성하기 위한 대상을 연마하는 연마패드와, 상기 연마패드와 밀착되는 평판의 일면에 일정한 크기를 갖는 사각뿔, 육각뿔 및, 원추뿔 형태의 다이아몬드 입자가 부착되어 있는 연마패드 콘디션너(conditioner)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 CMP 장비를 제공한다. 따라서, 연마패드와 연마패드 콘디션너을 포함하는 화학기계적 연마장비를 통하여 평탄화를 진행할 때, 연마패드의 홈에 슬러리 용액의 연마분이나 연마 침적물을 효과적으로 제거할 수 있는 CMP 장비를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100652364B1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：KR1020000061026

申请日：2000-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이근택 ,  박임수 ,  고형호 ,  하상록

IPC: H01L21/304

Abstract: 일정농도이상의 금속이온이 포함된 전해이온수의 공급을 차단하는 전해이온수 생성장치 및 이를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 대해 개시되어 있다. 이 장치는, 전해이온수에 포함된 금속이온을 검출하는 검출기와 금속이온 검출시 전해이온수의 생성을 중단시키는 제어기를 구비한다. 특히, 반도체 소자를 제조하는 세정공정시 일정농도이상의 금속이온이 함유된 전해이온수의 투입을 차단하는 데 매우 효과적이다.
전해이온수, 금속이온, 검출기, 제어기, 차단기

公开(公告)号：KR100558490B1

公开(公告)日：2006-03-07

申请号：KR1020030062862

申请日：2003-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장세효 ,  하상록 ,  김일구

IPC: H01L21/3065

Abstract: 반도체 제조장치를 제공한다. 이 반도체 제조장치는 외부로부터 밀폐된 소정공간이 마련되는 프로세스챔버와, 웨이퍼가 안착되도록 프로세스챔버 내부에 구비되는 웨이퍼척과, 프로세스챔버의 일측면에 장착되며 프로세스챔버 내부를 소정 진공압력으로 유지시켜주는 진공배기유닛과, 프로세스챔버의 내부로 소정 반응가스를 공급해주는 반응가스공급유닛과, 프로세스챔버와 반응가스공급유닛 사이에 개재되는 플라즈마챔버와, 프로세스챔버로 공급되는 반응가스가 플라즈마챔버에서 플라즈마 상태로 변환되도록 플라즈마챔버에 소정 자기전원을 제공하는 자기전원공급유닛과, 플라즈마챔버에 설치되며 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되는 것을 촉진하도록 자외선광을 제공하는 자외선램프 및, 자외선램프에 연결되며 자외선램프의 이상유무를 모니터링하는 램프 모니터링수단을 포함한다.
반도체, 플라즈마

公开(公告)号：KR100541051B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020030063293

申请日：2003-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이효종 ,  이경우 ,  안정훈 ,  하상록 ,  손홍성 ,  서봉석 ,  홍덕호 ,  정세영 ,  이종원 ,  이수근

IPC: H01L21/28

Abstract: 반도체 소자의 배선 형성방법을 제공한다. 이 방법은 먼저, 하지층 상에 절연층을 형성한다. 상기 절연층을 패터닝하여 상기 절연층 내에 제1 트렌치 및 상기 제1 트렌치 보다 작은 폭을 갖는 제2 트렌치와 아울러서 상기 제1 트렌치 하부에 상기 하지층을 노출시키는 비아홀을 형성한다. 상기 트렌치들 및 상기 비아홀을 갖는 결과물 상에 확산 장벽층 및 제1 시드층을 콘포말하게 그리고 차례로 형성한다. 상기 제1 시드층 상에 제1 도전층을 형성하되, 상기 제1 도전층은 상기 제2 트렌치 및 상기 비아홀을 채우도록 형성되고 상기 제1 트렌치 내에서 콘포말하게 형성한 다. 이후, 상기 제1 도전층 상에 첨가물질층을 콘포말하게 형성하고, 상기 첨가물질층 상에 상기 제1 트렌치를 채우는 제2 도전층을 형성한다. 상기 제2 도전층, 상기 첨가물질층, 상기 제1 도전층, 상기 시드층 및 상기 확산장벽층을 연속적으로 평탄화시키어 상기 절연층의 상부면을 노출시킨다. 상기 평탄화 공정이 완료된 결과물을 열처리하여 상기 제1 트렌치 및 상기 비아홀 내에 선택적으로 상기 제1 도전층, 상기 제2 도전층 및 상기 첨가물질층의 합금층을 형성한다.
SIV, 듀얼 다마신, selective alloy, Cu, Al

Abstract translation: 提供了一种形成半导体器件的布线的方法。 该方法首先在底层上形成绝缘层。 将绝缘层图案化以形成用于暴露第一沟槽下方的接地层的通孔以及具有比绝缘层中的第一沟槽更小的宽度的第二沟槽。 扩散阻挡层和第一种子层共形地形成在具有沟槽和通孔的合成物上。 在第一种子层上形成第一导电层，其中第一导电层形成为填充第二沟槽和通孔并且以共形的方式形成在第一沟槽中。 之后，在第一导电层上共形地形成添加材料层，并且在添加材料层上形成第二导电层以填充第一沟槽。 第二导电层，添加材料层，第一导电层，籽晶层和扩散阻挡层被连续平坦化以暴露绝缘层的上表面。 对所得到的平坦化工艺进行热处理，以选择性地在第一沟槽和通孔中形成第一导电层，第二导电层和添加材料层的合金层。

公开(公告)号：KR100536611B1

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：KR1020030062751

申请日：2003-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성배 ,  하상록 ,  이효종

IPC: B24B37/013 ,  B24B37/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/042 ,  H01L21/31053

Abstract: 화학적 기계적 연마 방법을 제공한다. 이 방법은 소정의 연마 대상막을 연마하는데 필요한 연마 종료 시간을 설정하여 기판을 연마하되, 연마 종료 시간에 연마율이 소정 레벨 이하가 되도록 연마 패드에 침적된 부산물의 양을 증가시킨다. 연마패드에 침적된 부산물의 양이 증가할 수록 연마율이 저하되고 부산물의 증가량을 조절함으로써 연마 종료 시간에 목표값의 연마량이 도달한 후 연마가 종료될 수 있다.

公开(公告)号：KR100506942B1

公开(公告)日：2005-08-05

申请号：KR1020030061582

申请日：2003-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자응 ,  이종원 ,  이성배 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14

Abstract: 화학적 기계적 연마장치는 연마테이블모터에 의해 회전하며 그 상면에 패드가 마련된 연마테이블과, 연마테이블의 상측에 케리어헤드모터의 구동에 의해 회전가능하게 설치되되 그 저면에 웨이퍼가 설치되는 케리어헤드와, 연마테이블의 상면으로 연마액을 공급하는 연마액공급기와, 케리어헤드모터의 부하전류, 전압, 저항변화로부터 연마 종점을 검출하는 제2종점검출기와, 연마부(웨이퍼, 패드, 연마액)의 온도를 감지하는 적어도 하나의 온도감지기 및 온도감지기의 온도변화를 통해 연마 종점을 검출하는 제2종점검출기를 포함한다. 여기서, 제2종점검출기를 대신하여 광학시스템에 의해 웨이퍼에 조사되어 반사되어 나오는 광 값에 의하여 종점을 검출하는 광신호연마종점검출기가 사용된다.

公开(公告)号：KR1020050050931A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084597

申请日：2003-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍욱선 ,  박완재 ,  하상록

IPC: H01L21/28

Abstract: 본 발명은 듀얼 다마신 공정을 적용한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에서 제안된 금속배선 형성방법은, 반사방지막(이하, ARL이라 한다)을 도입해서, 비아 홀이 이단계 식각 공정(포토레지스트 패턴을 마스크로 사용한 1차 식각 공정과 상기 반사방지막을 하드 마스크로 사용한 2차 식각 공정)에 의해 형성되도록 하되, 1차 식각 공정후 곧바로 희생막 코팅 공정이 진행되도록 해서, 희생막을 종래와 동일 두께(혹은 이보다 얇은 두께)로 가져가더라도 사진식각공정시 충분한 포토 마진을 확보할 수 있도록 한 것에 그 특징을 두고 있다.
이와 같이 금속배선을 형성하면, 희생막의 두께 증가없이도 포토 마진을 기존대비 증가시킬 수 있으므로, 피알 포이즈닝이 발생되는 것을 막을 수 있고, 메탈 트랜치의 확대를 방지할 수 있으며, 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050024589A

公开(公告)日：2005-03-10

申请号：KR1020030061582

申请日：2003-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구자응 ,  이종원 ,  이성배 ,  홍덕호 ,  하상록 ,  손홍성

IPC: B24B37/015 ,  B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/10 ,  B24B49/14

Abstract: PURPOSE: A chemical mechanical polishing device is provided to detect effectively a polishing end point by the current change of a motor driving a carrier head, the wavelength change of beams by an optical system, and the temperature change of a polishing step. CONSTITUTION: A chemical mechanical polishing device is composed of a polishing table(15) rotated by a polishing table motor(11) and installed with a pad(16) on the upper surface; a carrier head(17) positioned on the upper part of the polishing table, rotated by the driving of the carrier head motor, and installed with a wafer(31) on the bottom side; a slurry supplier(29) for feeding the slurry to the upper surface of the polishing table; at least one temperature detector(23) for sensing the temperature of at least one polishing step of the wafer, the pad, and the slurry; a first end point detector(21) for detecting a polishing end point by the temperature change of the temperature detector; and a second end point detector(19) for detecting the polishing end point from the change of load current, voltage, and resistance of the carrier head motor.

Abstract translation: 目的：提供一种化学机械抛光装置，用于通过驱动载体头的电机的电流变化，光学系统的光束波长变化和抛光步骤的温度变化来有效地检测抛光终点。 构成：化学机械抛光装置由抛光台马达（11）旋转并在上表面上安装有垫（16）的抛光台（15）组成; 位于所述研磨台的上部的载体头部（17），通过所述载体头马达的驱动旋转，并且在所述底侧安装有晶片（31） 用于将浆料供给到抛光台的上表面的浆料供应器（29）; 至少一个温度检测器（23），用于感测晶片，衬垫和浆料的至少一个抛光步骤的温度; 用于通过温度检测器的温度变化检测抛光终点的第一端点检测器（21） 以及第二端点检测器（19），用于根据载体电动机的负载电流，电压和电阻的变化来检测抛光终点。