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公开(公告)号：KR1020060059649A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098796
申请日：2004-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물-
公开(公告)号：KR100526672B1
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020030014204
申请日：2003-03-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/10
Abstract: 본 발명은 전기적 상변화 메모리 (electrical phase change memory) 소자 제조에 관한 것으로서 상변화 물질(phase change material)과 외부와 전기적 접촉을 위한 콘택 물질 (contact material) 사이에서 추가로 주울 열을 발생시킴과 동시에 발생한 열이 외부로 유출되는 것을 차단시키는 층 [일명 : 열 발생 및 차단층, heat generation and isolation layer]을 도입하거나 상변화 물질과 열 발생 및 차단층을 반복적 층상 구조 (laminate structure) 로 형성함으로써 저전력 동작이 가능한 소자 구성을 목적으로 한다. 이를 위하여 외부와의 전기적 접촉을 위한 콘택 물질을 형성하는 단계, 산화 공정(oxidation process), 기상 증착 공정(vapor deposition process), 아크 증착법(arc deposition) 혹은 레이저 펄스 증착법(laser pulse deposition) 등을 통해서 열 발생 및 차단층을 콘택 물질 위에 형성하는 단계, 그리고 상변화 물질을 기상 증착 공정으로 단일 층으로 혹은 열 발생 및 차단층과 층상 구조로 형성함으로써 저전력 동작이 가능한 전기적 상변화 메모리 소자를 구성한다. 이러한 저전력 전기적 상변화 메모리 소자 (low-power electrical phase change memory device)는 메모리 칩 당 소비 전력을 감소시킴으로써 고밀도로 집적할 수 있기 때문에 생산성을 향상시키는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR100462055B1
公开(公告)日：2004-12-17
申请号：KR1020010017694
申请日：2001-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Inventor： 김기범
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/70408 , Y10S430/143
Abstract: The present invention relates generally to an apparatus and a method for forming a pattern, and in particular, to an apparatus and a method for forming a pattern for the formation of quantum dots or wires having a nano or tens of nano meter order using the atomic array of a single or a poly crystalline material and to the manufacture of functional devices that have such a structure. The electron beam lithography method in accordance with the present invention uses the phase contrast atomic image of a single or a poly crystalline material itself.
Abstract translation: 技术领域本发明总体上涉及用于形成图案的设备和方法，并且具体地涉及用于形成具有纳米或几十纳米级的量子点或线的图案的设备和方法， 单晶或多晶材料阵列以及制造具有这种结构的功能器件。 根据本发明的电子束光刻方法使用单个或多晶材料本身的相位差原子图像。
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公开(公告)号：KR1020040075116A
公开(公告)日：2004-08-27
申请号：KR1020030010546
申请日：2003-02-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Abstract: PURPOSE: A method for arranging quantum dots using a multiple dip-coating process is provided to adhere a quantum dot cluster on a substrate by using an adhering characteristic of the quantum dots. CONSTITUTION: A dipping process is performed to dip a substrate into the colloid solution including quantum dots. A quantum dot adhesion process is performed to adhere the quantum dots on the substrate by dipping the substrate into the colloid solution including the quantum dots. A separation process is performed to separate the substrate from the colloid solution including quantum dots. The quantum dot adhesion process is performed by using the magnetic force or the electric force.
Abstract translation: 目的：提供一种使用多次浸涂法设置量子点的方法，通过使用量子点的粘附特性将量子点簇附着在基板上。 构成：进行浸渍处理以将基底浸入包括量子点的胶体溶液中。 通过将基板浸渍到包括量子点的胶体溶液中，进行量子点粘合处理以将量子点粘附在基板上。 进行分离处理以将基底与包括量子点的胶体溶液分离。 通过使用磁力或电力来进行量子点粘附处理。
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公开(公告)号：KR1020020077962A
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1020010017694
申请日：2001-04-03
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
Inventor： 김기범
CPC classification number: H01J37/3174 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/70408 , Y10S430/143
Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating a pattern using a crystal structure of a material is provided to fabricate a quantum dot by using the pattern having the crystal structure without fabricating a mask using an additional pattern. CONSTITUTION: The pattern having a predetermined crystalline structure is positioned in the chamber(115) of a transmission electron microscope(TEM)(110). Electron beams are irradiated to the material by using the TEM. A pattern of a lattice image of the material having the crystalline structure is formed on the material to be irradiated while the interference of the electron beams in the material is used.
Abstract translation: 目的：提供一种使用材料的晶体结构制造图案的装置，以通过使用具有晶体结构的图案而不用附加图案制造掩模来制造量子点。 构成：具有预定晶体结构的图案位于透射电子显微镜（TEM）（110）的腔室（115）中。 电子束通过TEM照射到材料上。 在使用材料中的电子束的干涉的同时，在待照射的材料上形成具有晶体结构的材料的格子图案的图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101003836B1
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020050091588
申请日：2005-09-29
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: B81C1/00111
Abstract: 본 발명은 양극산화를 통해 물질층을 산화시킬 때 형성되는 나노 포어의 크기 및 깊이 균일도를 확보할 수 있는 나노 구조체의 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 실리콘웨이퍼 상에 실리콘산화막을 형성하는 단계; 상기 실리콘산화막을 선택적으로 식각하여 완만한 곡률의 측벽 모양을 갖는 트렌치를 형성하는 단계; 상기 트렌치를 포함한 실리콘산화막 상에 전도성막을 형성하는 단계; 상기 전도성막 상에 나노 포어 어레이가 형성될 알루미늄박막을 형성하는 단계; 상기 알루미늄박막의 표면을 화학적기계적연마를 통해 평탄화시키는 단계; 양극산화 공정을 통해 상기 표면이 평탄화된 알루미늄박막을 산화시켜 나노 포어어레이를 갖는 알루미나를 형성하는 단계; 상기 나노포어어레이 아래의 알루미나를 제거하도록 상기 양극산화를 과잉으로 더 진행하여 상기 나노포어어레이 아래에 상기 전도성막의 표면을 드러내는 단계; 및 상기 표면이 노출된 전도성막을 이용하여 상기 나노포어 어레이 각각의 나노포어 내부에 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하고, 상술한 본 발명은 알루미늄박막을 증착하고 화학적기계적연마(CMP)를 통해 알루미늄박막의 표면거칠기를 개선하므로써 후속 양극산화에 의해 형성되는 양극산화 알루미늄의 포어의 깊이 및 크기 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있으며, 또한, 본 발명은 실리콘기판에 다양한 패턴으로 인해 굴곡이 있는 경우에도 평탄한 양극산화 알루미늄의 포어어레이를 균일한 깊이, 크기 및 간격으로 구현할 수 있는 효과가 있다.
나노포어, AAO, 양극산화, 나노와이어, 트렌치, 전도성막-
公开(公告)号：KR100919692B1
公开(公告)日：2009-10-06
申请号：KR1020060038310
申请日：2006-04-27
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L27/115
Abstract: 본 발명은 상변화 물질 부분이 절연물질에 의해 서로 분리되는 성질을 이용하여 상변화 메모리 소자의 동작에 있어서 전류의 경로를 줄여 높은 전류밀도를 획득하여 상변화에 필요한 전기에너지의 소모가 작은 상변화 메모리셀 및 그의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 상변화메모리셀의 상변화층은 상변화물질(예를 들어, GeSbTe)과 절연물질(예를 들어, SiOx)이 혼합되고, 상기 절연물질에 의해 상기 상변화물질이 일정 크기로 분리된다.
상변화메모리, 상변화층, 절연물질, GeSbTe, SiOx-
公开(公告)号：KR1020090084088A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010055
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G02B21/02 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L21/0275 , B82Y40/00 , G02B21/025 , G03F7/701
Abstract: A beam shape iris diaphragm and a pattern forming device using the same are provided to expose the region to form a nano pattern without overlapping the electronic beams. An electronic beam is irradiated on a substrate on which the electron-beam resist is coated for the nano pattern formation. A plate(211) is arranged on the top of substrate and an opening(215) of the square shape is formed. The length of one side of square is set up in the range of 5 to 1000um. The electronic beam in which the nano pattern information is included is irradiated on the substrate on which the electron-beam resist is coated and the nano pattern is formed on the substrate. A beam shape iris diaphragm(210) is irradiated on the substrate, and controls the shape of the electronic beam which is arranged on the top of substrate. A substrate holder(220) moves on the plane which is parallel to the plane of the beam shape iris diaphragm.
Abstract translation: 提供光束形状的虹膜光阑和使用其的图案形成装置，以暴露该区域以形成纳米图案而不重叠电子束。 将电子束照射在其上涂覆电子束抗蚀剂的基板上进行纳米图案形成。 板（211）布置在基板的顶部上，形成正方形的开口（215）。 平方的一侧的长度设置在5到1000um的范围内。 将包含纳米图案信息的电子束照射在其上涂布电子束抗蚀剂的基板上，并且在基板上形成纳米图案。 光束形状的虹膜光阑（210）照射在基板上，并且控制布置在基板顶部的电子束的形状。 衬底保持器（220）在平行于光束形状的虹膜光阑的平面的平面上移动。
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公开(公告)号：KR1020090075392A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：KR1020080001229
申请日：2008-01-04
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , B82Y40/00
CPC classification number: G03F7/0015 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , Y10S977/887
Abstract: A mold for uv nano-imprint lithography and a laminated structure for thereof are provided to prevent the damage of a discharge layer in surface treatment with a piranha solution by forming the discharge layer with an oxide silicon layer. A discharge layer(520) is made of a conductive material transmitting a light formed on the transparent substrate(510). A protective layer transmits the light formed on the discharge layer and prevents the damage of the protective layer. A silicon layer(540) is formed on the protective layer. An electronic beam resist layer(550) is formed on the silicon layer, and while being made of the HSQ(hydrogen silsesquioxane).
Abstract translation: 提供了一种用于uv纳米压印光刻的模具及其层压结构，以通过用氧化硅层形成放电层来防止用食人鱼溶液进行表面处理的放电层的损坏。 放电层（520）由透射形成在透明基板（510）上的光的导电材料制成。 保护层透过形成在放电层上的光并防止保护层的损坏。 在保护层上形成硅层（540）。 在硅层上形成电子束阻挡层（550），同时由HSQ（氢倍半硅氧烷）制成。
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公开(公告)号：KR100904896B1
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020080010047
申请日：2008-01-31
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0275 , G03F7/2059
Abstract: An electron beam resist developing method is provided to form a high density pattern with the minimum wiring width by developing an electron beam resist. A substrate coated with an electron beam resist is prepared(S210). The electronic beam is irradiated in the pattern formation part of substrate(S220). The irradiated substrate is developed by a first developer(S230). The impurity is etched on the electron beam resist(S240). The etched substrate is developed by a second developer(S250).
Abstract translation: 提供电子束抗蚀剂显影方法，通过显影电子束抗蚀剂形成具有最小布线宽度的高密度图案。 制备涂有电子束抗蚀剂的基材（S210）。 电子束照射在基板的图案形成部（S220）中。 照射的基板由第一显影剂显影（S230）。 在电子束抗蚀剂上蚀刻杂质（S240）。 蚀刻的衬底由第二显影剂显影（S250）。
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