公开(公告)号：KR1020060057066A

公开(公告)日：2006-05-26

申请号：KR1020040096115

申请日：2004-11-23

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 권순용 ,  윤의준

IPC: H01L33/02

Abstract: 본 발명은 질화물 반도체층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, Al
x Ga
y In
1-xy N (0≤x≤1, 0

公开(公告)号：KR100540873B1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：KR1020030087978

申请日：2003-12-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  황희돈 ,  지앙진보 ,  김병주 ,  기봉

IPC: G01L1/24

Abstract: 평행광 어레이를 이용한 응력 측정 방법과 장치, 및 이 장치를 구비한 실시간 응력 측정 수평 반응기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 응력 측정 방법에서는, 일정한 분리 간격을 가진 평행광 어레이를 박막 표면에 대해 20°이상 90° 미만의 입사각으로 입사시킨다. 그런 다음, 박막 표면에서 반사되어 나온 평행광 어레이 사이의 입사 방향에 수평인 방향으로의 간격 변화를 측정한다. 박막의 곡률 반경은 간격 변화의 함수이므로, 측정한 간격 변화로부터 박막의 곡률 반경을 알 수 있다. 박막의 응력은 박막의 곡률 반경을 이용하여 스토니 공식으로부터 계산할 수 있다.

公开(公告)号：KR100531178B1

公开(公告)日：2005-11-28

申请号：KR1020030046119

申请日：2003-07-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  나현석

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/7624

Abstract: 이종기판에 질화물 반도체 에피층을 성장시키는 과정에서 중간에 금속층으로 전환시킬 수 있는 중간 질화물 반도체 에피층을 삽입하고 그것을 금속층으로 전환시키는 방법에 의해 후속적으로 성장시키는 질화물 반도체 에피층의 내부 결함을 크게 낮추면서 응력 발생을 감소시키는 방법을 제공한다. 본 발명에 따라 중간 질화물 반도체 에피층으로부터 변환되어 생성된 금속층은 추후 질화물 반도체 에피층과 이종기판의 분리에 있어서도 선택적 식각 방법 등으로 쉽게 분리해낼 수 있다. 이 방법을 사용하는 경우 현재 2인치 이상의 대면적 기판 제조에 걸림돌이 되고 있는 기판 휨(warpage) 현상을 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050080567A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：KR1020040008626

申请日：2004-02-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 홍석원 ,  송석찬 ,  배덕규 ,  김현우 ,  윤의준 ,  부용림 ,  그린죠셉이.

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/0226 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 격자 이완된 반도체 박막 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 박막의 표면을 평탄하게 유지하면서 격자를 이완시켜 낮은 표면 거칠기와 높은 격자 이완 정도를 갖는 반도체 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판 상에 반도체 기판과 격자상수가 다른 물질로 이루어진 박막층을 성장시킨 다음, 박막층 상에 화학적 제거가 가능한 막을 덮개층(capping layer)으로서 형성하고, 이 결과물을 열처리하여 박막층을 이완시킨다. 열처리 후, 덮개층을 화학적 식각을 통해 제거함으로써 표면이 평탄하고 격자가 이완된 박막층을 얻는다. 박막층의 두께를 변화시키면 격자의 이완 정도를 조절할 수 있고, 덮개층에 의해 표면의 평탄도는 일정하게 유지된다.

公开(公告)号：KR1020050054593A

公开(公告)日：2005-06-10

申请号：KR1020030087978

申请日：2003-12-05

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  황희돈 ,  지앙진보 ,  김병주 ,  기봉

IPC: G01L1/24

Abstract: 평행광 어레이를 이용한 응력 측정 방법과 장치, 및 이 장치를 구비한 실시간 응력 측정 수평 반응기에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 응력 측정 방법에서는, 일정한 분리 간격을 가진 평행광 어레이를 박막 표면에 대해 20°이상 90° 미만의 입사각으로 입사시킨다. 그런 다음, 박막 표면에서 반사되어 나온 평행광 어레이 사이의 입사 방향에 수평인 방향으로의 간격 변화를 측정한다. 박막의 곡률 반경은 간격 변화의 함수이므로, 측정한 간격 변화로부터 박막의 곡률 반경을 알 수 있다. 박막의 응력은 박막의 곡률 반경을 이용하여 스토니 공식으로부터 계산할 수 있다.

公开(公告)号：KR100471745B1

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1020020025898

申请日：2002-05-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 오혜정 ,  임승현 ,  윤의준

IPC: H01L21/205 ,  B82Y10/00

Abstract: 본 발명은 실리콘 양자점 형성방법에 관한 것으로, 특히, 화학기상증착법을 이용하여 박막절연층이 형성된 기판 상부에 SiH
4 실리콘원 가스 및 B
2 H
6 도펀트 가스를 동시에 주입함으로써 단결정급 결정특성을 갖는 미세하고 균일한 실리콘 양자점을 성장시키는 방법에 관한 것으로, 차세대 나노소자 제조에 적용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040094174A

公开(公告)日：2004-11-09

申请号：KR1020030028168

申请日：2003-05-02

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 박광민 ,  황희돈 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: PURPOSE: A method for forming a structure of a self-assembled quantum dot by using a thin heterogeneous capping layer is provided to easily obtain a desired light emitting wavelength according to the thickness of a thin heterogeneous capping layer that has a smaller lattice constant and a broader energy band gap than those of a capping layer. CONSTITUTION: A quantum dot layer is formed on a semiconductor substrate(100) by interposing a buffer layer(110). A capping layer(140) made of the same material as the semiconductor substrate or the buffer layer is formed. A heterogeneous capping layer(130) that has a lattice constant smaller than that of the capping layer and a energy band gap broader than that of the capping layer is formed between the quantum dot layer and the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过使用薄的非均匀覆盖层形成自组装量子点的结构的方法，以便根据具有较小晶格常数的薄异质封盖层的厚度容易地获得期望的发光波长，并且 比顶盖层宽的能带隙。 构成：通过插入缓冲层（110）在半导体衬底（100）上形成量子点层。 形成由与半导体衬底或缓冲层相同的材料制成的覆盖层（140）。 在量子点层和覆盖层之间形成具有小于封盖层的晶格常数的晶格常数和比封盖层宽的能带隙的异质封盖层（130）。