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公开(公告)号：KR100558376B1
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020030057694
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 원자력 현미경용 MOSFET 캔틸레버에 관한 것으로, 제 1 실리콘층, 산화막과 제 2 실리콘층이 순차적으로 적층된 지지부와; 상기 지지부의 산화막과 제 2 실리콘층이 지지부로부터 연장되어 하부로부터 부상된 캔틸레버부와; 상기 캔틸레버부 선단의 제 2 실리콘층에 형성된 탐침과; 상기 지지부와 캔틸레버부의 하부 전면에 형성된 금속층과; 상기 탐침 하부의 캔틸레버부에 형성된 채널과; 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 구성된다.
따라서, 본 발명은 원자력 현미경용 캔틸레버에 MOSFET를 내장시켜 정보의 읽기 및 쓰기 동작을 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있다.
캔틸레버, 원자력, 현미경, 트랜지스터, 채널, MOS-
公开(公告)号：KR100555048B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020030057693
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: 본 발명은 원자력 현미경용 전계 효과 트랜지스터 캔틸레버의 제조 방법에 관한 것으로, SOI(Silicon on Insulator) 기판의 실리콘층 상부에 탐침을 형성하는 단계와; 상기 탐침을 포함하여 실리콘층의 상부에 1차 절연막, 2차 절연막과 폴리실리콘층이 적층된 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 상기 마스크 패턴으로 마스킹하여 상기 제 2 실리콘층에 제 1 불순물을 주입하는 단계와; 상기 2차 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 폴리실리콘층을 제거하고, 상기 1차 절연막의 측면 일부를 습식식각하고, 상기 2차 절연막을 제거하여 상기 제 2 실리콘층 상부에 폭이 줄어든 1차 절연막을 남기는 단계와; 상기 1차 절연막으로 마스킹하여 제 2 불순물을 주입하는 단계와; 상기 탐침, 제 1과 2 불순물이 주입된 영역들을 포함하는 형상을 갖는 제 2 실리콘층의 패턴을 형성하고, 그 형상의 하부를 제거하여 부상시켜 캔틸레버를 형성하는 단계로 구성된다.
따라서, 본 발명은 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널 효과(Short channel)의 발생을 방지할 수 있으며, 테라 비트급 탐침형 정보 저장기기에 적용할 수 있다.
극소채널, 캔틸레버, 원자력, 현미경, 트랜지스터, 쇼트 채널-
公开(公告)号：KR1020060010550A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059291
申请日：2004-07-28
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: G01Q70/16 , B82Y40/00 , C01B32/158 , H01J37/28
Abstract: 본 발명은 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 자세하게는 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부, 전자빔 유도 증착에 의한 탐침 중간부 및 전자빔 융착에 의한 탄소나노튜브 탐침 첨두부로 구성되는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 직육면체 형상의 탐침 지지부를 가지는 실리콘 질화막 캔틸레버를 형성하는 단계, 상기 캔틸레버의 로드부에 2축 구동 압전 액츄에이터를 형성하는 단계, 상기 탐침 지지부에 전자빔 유도 증착법을 통해 탐침 중간부를 형성하는 단계 및 상기 탐침 중간부에 탄소나노튜브를 부착하여 탐침 첨두부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 고종횡비 탐침을 가지는 압전 액츄에이터 캔틸레버 및 그 제조방법은 상부면이 평평한 직육면체 형상의 탐침 지지부를 형성함으로써 전자빔유도 증착에 의한 탐침 중간부 형성의 재현성을 높이고 전자빔융착에 의한 탄소나노튜브 부착과 그 각도 조절이 용이할 뿐만 아니라 2축 구동 압전 액츄에이터에 의해 측정시의 왜곡을 감소시킴으로서 보다 정밀하고 신뢰성 있는 측정을 가능하게 하는 효과가 있다.
고종횡비, 캔틸레버, 탐침, 2축 구동 압전 액츄에이터, 탄소나노튜브-
公开(公告)号：KR1020060000809A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040049780
申请日：2004-06-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 100㎚ 이하의 극소 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터가 내장된 원자간력 현미경용 캔틸레버를 구현할 수 있어, 바이오 분자를 분석할 수 있고, 극소 채널로 야기되는 쇼트 채널(Short channel) 효과의 발생을 방지할 수 있으며, 탐침의 종횡비를 크게 하여, 정보의 센싱도를 향상시키는 원자간력 현미경용 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 동일한 두께의 포지티브 포토레지스트를 도포하여 탐침의 첨두부만 보이도록 하거나 포지티브 포토레지스트를 두껍게 도포한 후에 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포지티브 포토레지스트 상부에 네거티브 포토레지스트를 도포한 후에 마스크를 패터닝하여 탐침의 첨두부의 상기 네거티브 포토레지스트를 제거하는 단계; (e) 상기 네거티브 포토레지스트가 제거된 탐침의 첨두부에만 금속점을 증착하는 단계; 및 (e) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 액체에서 사용가능한 고 종횡비 단전자 트랜지스터 구조를 갖는 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 바이오 분자들 간의 상호작용에 따른 전기적 효과를 측정함으로써 단일 분자를 탐침에 부착하는 장점이 있고, 수신 감도가 증대되는 효과가 있다.
AFM, 캔틸레버, 전하량 측정, 종횡비, 현미경, 트랜지스터-
公开(公告)号：KR100521695B1
公开(公告)日：2005-10-17
申请号：KR1020030098668
申请日：2003-12-29
IPC: H04R23/00
Abstract: 광섬유의 정렬작업 등을 하지 않고, 반도체 제조공정 등으로 간단히 제조할 수 있고, 소형화가 가능하며, 배치공정에 의해 간단히 제조하여 생산비를 절감할 수 있다.
하부기판과, 상기 하부기판에 상호간에 소정의 간격을 두고 형성되는 광원 및 수광부와, 상기 하부기판의 광원과 수광부의 사이에 형성되고 하부가 외부로 노출되어 음파에 의해 진동되는 진동판과, 상기 하부기판의 상부에 부착되고, 상기 광원에서 발생된 광이 상기 진동판에서 반사되어 상기 수광부로 입사되게 하기 위한 반사각을 가지는 반사부가 형성된 상부기판으로 이루어지고, 상기 하부기판에, 상기 수광부가 출력하는 전기적인 신호를 처리하는 신호 처리부가 더 포함되거나, 상기 상부기판에, 상기 수광부가 출력하는 전기적인 신호를 처리하는 신호 처리부가 더 포함되고, 수광부와 신호 처리부가 와이어 본딩으로 연결된다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100506820B1
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：KR1020020087864
申请日：2002-12-31
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04R19/04
Abstract: 본 발명은 음향 감지 소자의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판에 음향 감지 소자의 구동회로부를 집적시키는 단계와; 상기 구동회로부의 전극단자가 노출되도록 상기 실리콘 기판 상부에 유기 물질막을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판 상부에 있는 유기 물질막의 좌, 우측에는 하부전극라인과 상부전극라인을 각각 상기 구동회로부의 전극단자와 연결되도록 형성하고, 상기 하부전극라인과 상부전극라인 사이의 유기물질막에는 상기 하부전극라인과 연결되는 하부전극을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 기판의 일부를 제거하여 상기 하부전극의 하부에 있는 유기 물질막을 부상시키는 단계와; 상기 실리콘 기판 상부에 있는 유기 물질막에 지지되어 상기 하부전극으로부터 부상되며, 상부전극라인과 연결되고, 복수개의 관통홀이 형성된 상부전극을 형성하는 단계로 제조함으로써, 다결정 실리콘 및 질화산화막 등으로 이루어진 두꺼운 상부전극을 형성하지 않고 도금 공정으로 금속 상부전극을 형성함으로써, 제조 비용을 줄일 수 있으며, MEMS(Micro Electro Mechanical System)공정기술을 이용하여 제조함으로서 초소형의 소자를 구현할 수 있고, 하나의 실리콘 웨이퍼 상에 복수개의 음향감지소자를 제조할 수 있음으로써, 대량생산이 가능하고, 기존 CMOS 공정을 그대로 이용하여 제조를 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050020050A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030057693
申请日：2003-08-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N13/16
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a cantilever for an atomic force microscope having a field effect transistor structure is provided to obtain the cantilever having a micro channel without using an electric beam lithography process. CONSTITUTION: A method includes a step of forming a probe(204) on an upper surface of a second silicon layer of an SOI substrate, on which a first silicon layer, a first insulation layer, and the second silicon layer are sequentially deposited. A second insulation layer, a third insulation layer, a polysilicon layer, and a photoresist layer are sequentially stacked on the second silicon layer including the probe(204). A first mask pattern of a cantilever for an atomic force microscope is formed on an upper surface of the polysilicon layer by removing the photoresist layer through a photolithography process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有场效应晶体管结构的原子力显微镜的悬臂的方法，以在不使用电子光刻工艺的情况下获得具有微通道的悬臂。 构成：一种方法包括在SOI衬底的第二硅层的上表面上形成探针（204）的步骤，其上依次沉积有第一硅层，第一绝缘层和第二硅层。 第二绝缘层，第三绝缘层，多晶硅层和光致抗蚀剂层依次堆叠在包括探针（204）的第二硅层上。 通过光刻工艺去除光致抗蚀剂层，在多晶硅层的上表面上形成用于原子力显微镜的悬臂的第一掩模图案。
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公开(公告)号：KR100453976B1
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：KR1020020074493
申请日：2002-11-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: PURPOSE: A diaphram manufacturing method for a micro device is provided to improve the stability of a diaphram structure by forming an octagonal diaphram using an etching mask having a cross type pattern. CONSTITUTION: A low stress etch stop layer(110) is formed on a silicon substrate(100). An etching mask layer(120) is formed at the lower portion of the silicon substrate. A cross type pattern(150) is formed at the center portion of the etch mask layer for partially exposing the silicon substrate. A diaphram for a micro device is formed by carrying out anisotropic etching process on the silicon substrate exposed through the cross type pattern. Preferably, the diaphram of the low stress etch stop layer is the shape of an octagonal structure.
Abstract translation: 目的：提供一种用于微型器件的隔膜制造方法，以通过使用具有十字型图案的蚀刻掩模形成八角形膜片来改善隔膜结构的稳定性。 构成：在硅衬底（100）上形成低应力蚀刻停止层（110）。 蚀刻掩模层（120）形成在硅衬底的下部。 在蚀刻掩模层的中心部分形成十字型图案（150），用于部分暴露硅衬底。 通过在通过十字型图案暴露的硅衬底上执行各向异性蚀刻工艺来形成用于微器件的隔膜。 优选地，低应力蚀刻停止层的膜片是八边形结构的形状。
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公开(公告)号：KR100307756B1
公开(公告)日：2001-11-02
申请号：KR1019990041939
申请日：1999-09-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G01R29/0878
Abstract: 본발명은밀리미터파대역이상의전자기파를검출하기위한검출장치의감지센서를개시한다. 본발명은기판상에열전쌍으로이용할수 있는서로다른이종금속중 어느하나의금속물질로다이폴안테나를형성하고, 다이폴안테나의급전부에나머지금속으로전기적저항체를형성하되안테나의입력임피던스와같도록한다. 두금속이만나는접점중 한접점은안테나를형성한금속이연장되고다른접점에서는저항체를형성한금속이연장되어열전쌍온도센서가형성되는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 밀리미터파대역이상의전자기파를검출할수 있으면서도제작이용이한새로운방식즉, 열전쌍(thermo-couple)과안테나소자를조합한전자기파검출장치의감지센서와 CMOS 구동소자의제조공정을동시에수행할수 있어공정이단축되는효과를얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020010029228A
公开(公告)日：2001-04-06
申请号：KR1019990041939
申请日：1999-09-30
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01R29/08
CPC classification number: G01R29/0878
Abstract: PURPOSE: A sensor of an electromagnet wave detecting device is provided to detect an electromagnetic wave over a millimeter wave band by joining a thermo-couple and an antenna device. CONSTITUTION: An electromagnetic wave detecting device includes a sensor which is arranged with a matrix structure as to detect an electromagnetic wave image over a millimeter wave band. A dipole antenna(10) is formed with any one metal material among the different heterogeneous metals(11a,11b) using as a thermo-couple on a substrate. A feeder resistor part(12) is formed with the different heterogeneous metal from that of the dipole antenna. The resistor part formed with the different metal material from the metal material forming the dipole antenna among the different heterogeneous metals is extended to form a thermo-couple with the dipole antenna.
Abstract translation: 目的：提供电磁波检测装置的传感器，通过连接热电偶和天线装置来检测毫米波段上的电磁波。 构成：电磁波检测装置包括传感器，该传感器具有矩阵结构，以便检测毫米波段上的电磁波图像。 偶极天线（10）在不同的非均质金属（11a，11b）中使用在基板上作为热电偶的任何一种金属材料形成。 馈电电阻器部分（12）形成有与偶极子天线不同的异质金属。 由形成偶极天线的不同金属材料形成的不同金属材料的电阻部分在不同的非均质金属之间扩展，以形成与偶极子天线的热电偶。
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