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公开(公告)号：KR100383287B1
公开(公告)日：2003-05-12
申请号：KR1020000005620
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor fiber amplifier integration type wavelength converter is provided to perform easily broadband wavelength conversion and control arbitrarily a width of an output signal by integrating a semiconductor fiber amplifier and a DFB laser. CONSTITUTION: A semiconductor fiber amplifier(100) has a predetermined gain fixed point and amplifies an input optical signal. A DFB(Distributed FeedBack) laser(110) has another gain fixed point and oscillates the amplified signal to a single wavelength. An electrical separator(120) separates electrically the semiconductor fiber amplifier(100) and the DFB laser(110). A buried active waveguide(130) has a multi-quantum well structure. A grating(140) is formed on the edge portion of the buried active waveguide(130) and reflects or transmits the light.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光纤放大器集成型波长转换器，用于通过集成半导体光纤放大器和DFB激光器来执行容易的宽带波长转换并任意控制输出信号的宽度。 构成：半导体光纤放大器（100）具有预定的增益固定点并放大输入光信号。 DFB（分布式反馈）激光器（110）具有另一个增益固定点，并且将放大的信号振荡到单个波长。 电分离器（120）电分离半导体光纤放大器（100）和DFB激光器（110）。 埋入式有源波导（130）具有多量子阱结构。 光栅（140）形成在掩埋有源波导（130）的边缘部分上并反射或透射光。
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公开(公告)号：KR100368789B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020000005561
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01B9/00
Abstract: PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量场吸收型器件的截面反射率的方法，以通过使用光学电流容易地测量光学变量。 构成：透镜型光纤（21）传输从可变波长激光器（10）发射的激光束。 穿过透镜型滤波器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。 斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。 在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成旋光器（14）以控制激光束的路径。 光检测器（16）与旋光器（14）连接以测量反射光束的反射强度的变化。 锁定放大器（17）与斩波器（11）连接以便检测调制的可变波长激光束。 电源（18）为每个组件供电。 电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。
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公开(公告)号：KR1020010103086A
公开(公告)日：2001-11-23
申请号：KR1020010058131
申请日：2001-09-20
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H03K19/14
CPC classification number: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 반도체 광증폭기를 이용한 전광 ＸＯＲ 논리소자의 구현방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 반도체 광증폭기에 주입되는 전류와 입사되는 조사신호 및 펌프신호로 조절이 가능한 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현할 수 있는 기술에 관한 것이다.
본 발명에 따른 XOR 논리소자의 구현방법은, 두개의 반도체 광증폭기에 펌프신호와 조사신호를 같이 입사시켜 상기 반도체 광증폭기의 이득포화와 파장변환에 의해 생기는 인버터 특성의 출력신호를 합하여 전광 XOR 논리소자의 동작특성을 얻음을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 반도체 광증폭기의 인버터 특성을 이용하여 전광 XOR 논리소자를 구현하기 때문에 광섬유에 기반을 둔 소자들보다 안정적이고 다른 논리소자와의 결합이 용이하며, 클록 신호를 만들어 줄 필요가 없으므로 논리소자의 규모 및 속도 제한이 크게 줄어드는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020010077667A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005620
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor fiber amplifier integration type wavelength converter is provided to perform easily broadband wavelength conversion and control arbitrarily a width of an output signal by integrating a semiconductor fiber amplifier and a DFB laser. CONSTITUTION: A semiconductor fiber amplifier(100) has a predetermined gain fixed point and amplifies an input optical signal. A DFB(Distributed FeedBack) laser(110) has another gain fixed point and oscillates the amplified signal to a single wavelength. An electrical separator(120) separates electrically the semiconductor fiber amplifier(100) and the DFB laser(110). A buried active waveguide(130) has a multi-quantum well structure. A grating(140) is formed on the edge portion of the buried active waveguide(130) and reflects or transmits the light.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体光纤放大器积分型波长转换器，通过集成半导体光纤放大器和DFB激光器，轻松实现宽带波长转换和任意控制输出信号的宽度。 构成：半导体光纤放大器（100）具有预定的增益固定点并放大输入光信号。 DFB（分布反馈）激光器（110）具有另一个增益固定点，并将放大的信号振荡到单个波长。 电分离器（120）将半导体光纤放大器（100）和DFB激光器（110）电分离。 掩埋有源波导（130）具有多量子阱结构。 在掩埋有源波导（130）的边缘部分上形成光栅（140）并反射或透射光。
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公开(公告)号：KR1020010077666A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005619
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/12
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气流量来防止量子阱基板损坏 。 构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。 电介质覆盖层通过等离子体化学气相沉积工艺沉积在衬底上（S200）。 在规定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。 去除电介质覆盖层（S400）。 测量荧光光谱（S500）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020010077665A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005618
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A mounting technology of a semiconductor optical device for anti-reflection coating is provided to perform the mounting technology in a stable and identical condition by preventing a sample from damaging in the anti-reflection coating. CONSTITUTION: A spacer(20), a fixing plate(30) and the second stainless(40) is deposited on the first stainless(10) in turns. A holder coupling unit(50) couples from the second stainless(40) to the first stainless(10) via each hole. A sample fixing unit(55) couples from the second stainless(40) to the fixing plate(30) via each hole. A laser bar(60) is extended at a level with the spacer(20) between the fixing plate(30) and the first stainless(10). The area size of the second stainless(40) is less than that of the first stainless(10).
Abstract translation: 目的：提供用于防反射涂层的半导体光学装置的安装技术，以通过防止样品在抗反射涂层中的损坏来以稳定和相同的状态执行安装技术。 构成：间隔件（20），固定板（30）和第二不锈钢（40）轮流沉积在第一不锈钢（10）上。 保持器联接单元（50）经由每个孔从第二不锈钢（40）连接到第一不锈钢（10）。 样品定影单元（55）经由每个孔从第二不锈钢（40）耦合到固定板（30）。 激光棒（60）在固定板（30）和第一不锈钢（10）之间的间隔件（20）的水平面上延伸。 第二不锈钢（40）的面积小于第一不锈钢（10）的面积。
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公开(公告)号：KR1020010077635A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005561
申请日：2000-02-07
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01B9/00
Abstract: PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).
Abstract translation: 目的：提供一种用于测量场吸收型装置的截面反射性的方法，以便通过使用光电流容易地测量光学变量。 构成：透镜型光纤（21）传送从可变波长激光器（10）发射的激光束。 穿过透镜型过滤器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。 斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。 在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成光旋转器（14），以控制激光束的路径。 光学检测器（16）与光学旋转器（14）连接，以便测量反射光束的反射强度的变化。 锁定放大器（17）与斩波器（11）连接，以便检测调制的可变波长激光束。 电源（18）为每个组件供电。 电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。
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公开(公告)号：KR1019950001938A
公开(公告)日：1995-01-04
申请号：KR1019930011279
申请日：1993-06-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/308
Abstract: 본 발명은 레이저 리소그파피 장비를 이용한 네가티브 마스크 제작방법에 관한 것으로, 종래의 네가티브패턴 제작은 정확한 제어나 좋은 대비를 얻기 위해 AZ5200 포토레지스트 시리즈가 사용된다. 그러나 이는 일반적인 포토레지스트보다 값이 비싸고, 제조공정시 가벼운 열처리과정과 역열처리과정을 거쳐야 하므로 제작과정이 복잡하며 열처리조건이 상당한 영향을 받아 제작에 많은 어려움이 있으며, 0℃에서 보관해야 하므로 보관상에 어려움이 있는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 네가티브 패턴 제작시 사용되는 포토레지스트를 일반적인 포지티브 포토레지스트를 사용할 수 있어 가격이 저렴할 뿐 아니라 역열처리 과정등 까다로운 조건없이도 쉽게 제작할 수 있고, 마스크 제작시간의 단축과 폐곡선 및 특수형태의 마스크 제작에 유용하게 사용할 수 있도록 한 것이다.
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公开(公告)号：KR102241004B1
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：KR1020190041802
申请日：2019-04-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Inventor： 우덕하 , 이석 , 이택진 , 이준석 , 이준석 , 송현석 , 김재헌 , 김선호 , 변영태 , 전영민 , 전명석 , 서민아 , 김철기 , 유용상 , 이선미 , 이효진
Abstract: 본발명은피부미용에사용되는전기적펄스인가장치에대한것으로, 더욱상세하게는손에들고피부에문지르는동작을수행하지않고서도피부에전기적펄스를인가할수 있어사용상편리성이향상된전기적펄스인가장치에대한것이다.
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公开(公告)号：KR20180005036A
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR20160084921
申请日：2016-07-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/407 , G01N33/00
CPC classification number: G01N27/4071 , G01N33/0037
Abstract: 본발명은백금(Pt) 나노입자및 산화백금(PtO) 나노입자(이하, 'Pt/PtO 나노입자'라함)로기능화된탄소나노튜브네트워크를포함하는가스센서용감지물질, 이를포함하는가스센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따르면, 자외선조사를이용하여 Pt/PtO 나노입자를탄소나노튜브측벽에기능화하고, 이렇게 Pt/PtO 나노입자로기능화된탄소나노튜브를감지물질로이용함으로써 Cl가스에대한감도및 선택성이우수한가스센서를제공할수 있다. 또한, 본발명에따른가스센서는히터사용없이상온에서동작이가능하므로소비전력이최소화되는효과가있으며, 소형화가가능해휴대용으로사용될수 있다.
Abstract translation: 本发明是铂（Pt）纳米粒子和氧化铂（PTO），纳米颗粒（在下文中，“PT / PtO的纳米颗粒”亚伯拉罕），包括官能化的碳纳米管网络向所述材料的气体传感器检测到时，气体传感器，其包括相同 及其制造方法。 根据本发明，通过使用与官能化碳纳米管侧壁官能化的碳纳米管的使用UV照射到氯气的Pt / PtO的纳米粒子的灵敏度和选择性，并由此的Pt / PtO的纳米颗粒敏感材料 可以提供出色的气体传感器。 此外，由于根据本发明的气体传感器可以在不使用加热器的情况下在室温下操作，所以功耗被最小化，并且气体传感器可以小型化并用于便携式目的。
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