-
公开(公告)号：KR1019960026291A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940033715
申请日：1994-12-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 건식공정에 의한 주기율표 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 에칭방법으로서, 반도체의 열해리증발 온도 이상의 반도체기판온도에서, 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스를 다같이 사용하는 반도체의 에칭방법에 관한 것이다.
본 발명에 따라 에칭제로서 트리알킬인듐 가스와 과산화수소 가스의 이용은 이들을 사용하는 금속 유기물 분자선에피탁시장치나 화학빔에피탁시 장치와 함께 인라인 또는 인시투로 반도체의 선택적 에칭공정에서 유력한 에칭제로 활용될 수 있다.-
公开(公告)号：KR100541305B1
公开(公告)日：2006-01-16
申请号：KR1020010088870
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: 본 발명은 양자우물을 적외선 흡수층으로 사용하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와, 상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO
2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 SiO
2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것이다.
양자우물, 적외선 흡수층, 양자우물 적외선 검출소자, 양자우물 무질서화, 밴드갭-
公开(公告)号：KR1020030058417A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088866
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A method for adjusting a radiation wavelength of an InGaAs quantum dot by an AlGaAs insertion layer is provided, which obtains a long wavelength photo luminescence by growing a thin AlGaAs insertion layer after forming the InGaAs quantum dot. CONSTITUTION: According to the method for adjusting a radiation wavelength radiated from an InGaAs/GaAs quantum dot, the InGaAs/GaAs quantum dot is formed, and an AlGaAs insertion layer is grown on the above InGaAs/GaAs quantum dot. A location of photo luminescence of the InGaAs/GaAs quantum dot is varied according to the existence of the above AlGaAs insertion layer. As the AlGaAs insertion layer becomes thicker, a peak of a base state of the InGaAs/GaAs quantum dot moves toward a long wavelength to be saturated.
Abstract translation: 目的：提供通过AlGaAs插入层调整InGaAs量子点的辐射波长的方法，其通过在形成InGaAs量子点之后生长薄的AlGaAs插入层来获得长波长的光发光。 构成：根据用于调整从InGaAs / GaAs量子点辐射的辐射波长的方法，形成InGaAs / GaAs量子点，并且在上述InGaAs / GaAs量子点上生长AlGaAs插入层。 根据上述AlGaAs插入层的存在，InGaAs / GaAs量子点的光发光的位置是不同的。 当AlGaAs插入层变厚时，InGaAs / GaAs量子点的基态峰向长波长移动以饱和。
-
公开(公告)号：KR100359739B1
公开(公告)日：2002-11-09
申请号：KR1020000083712
申请日：2000-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 이종 단결정박막의 접합 및 덧성장방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 접합된 퓨전층을 패터닝하고 패터닝된 특성을 살려 덧성장시키며, 이과정에서 나타나는 측면성장률 및 수직 성장률의 차이를 이용한 양질의 이종박막을 형성시키는 기술이다. 본 발명에 의하여 형성된 이종 반도체기판의 패턴된 퓨전층상에는 격자상수차이를 극복하고 성장된 양질의 양자구조가 형성된다. 본 발명에 의하면 격자상수차이가 큰 반도체 물질 사이에서 접합이 가능하고 양질의 박막 덧성장이 가능하여, 지금까지 구현하지 못했던 신개념의 광전소자를 제조할 수 있는 기반소재를 제공할 수 있게 된다.
-
公开(公告)号：KR100356266B1
公开(公告)日：2002-10-12
申请号：KR1020000018481
申请日：2000-04-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09K11/59
Abstract: 본 발명은 세륨실리케이트 발광재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상온에서 자외선 영역부터 가시광선의 파란색 영역까지의 빛을 내는 새로운 발광재료로서 세륨실리케이트(cerium silicate)를 제공하며, 또한 상기 물질의 광학적·구조학적인 변화를 줄 수 있는 제조방법을 제공한다. 실리콘 기판 위에 세륨산화물을 증착하거나 세륨산화물과 실리콘을 동시에 증착하고 일정 온도에서 열처리함으로써 세륨실리케이트의 결정구조를 형성시킬 수 있으며, 기존의 질화갈륨에 비하여 간단한 방법으로 제조할 수 있다. 광여기발광을 나타내는 세륨실리케이트 성분은 Ce
4.667 (SiO
4 )
3 O 또는 Ce
2 Si
2 O
7 이며, 제조방법에 따라 발광 파장의 범위를 400nm ~ 358nm로 변화시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020020055475A
公开(公告)日：2002-07-09
申请号：KR1020000083712
申请日：2000-12-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/02381 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02494 , H01L21/02546 , H01L21/02658 , H01L21/2007 , H01L21/76248
Abstract: PURPOSE: A method for joining and overgrowing heteroepitaxy is provided to form an excellent quantum structure, by patterning a fusion layer formed on a semiconductor substrate and by overgrowing the fusion layer so that excellent heteroepitaxy is formed by using a difference between a lateral growth rate and a vertical growth rate. CONSTITUTION: An epitaxial layer having a similar lattice constant to a material constituting the first semiconductor substrate(5) is formed as a sacrificial layer on the first semiconductor substrate. An epitaxial layer having the same material as the first semiconductor substrate is formed as a fusion layer on the sacrificial layer. The fusion layer is attached to the upper surface of the second semiconductor substrate which is composed of a material having a lattice constant different from that of the first semiconductor substrate. The sacrificial layer is removed to separate the first semiconductor substrate from the second semiconductor substrate. The fusion layer is patterned to make the section of the fusion a U or V type. A plurality of thin films(9) having the same material as the fusion layer are formed on the patterned fusion layer(3').
Abstract translation: 目的：提供一种接合和过度生长异质外延的方法，以形成优异的量子结构，通过图案化形成在半导体衬底上的熔融层，并通过过度生长熔融层，从而通过使用横向生长速率和 垂直增长率。 构成：在构成第一半导体衬底（5）的材料上形成具有类似晶格常数的外延层作为第一半导体衬底上的牺牲层。 在牺牲层上形成具有与第一半导体衬底相同的材料的外延层作为熔融层。 熔融层附着于第二半导体基板的上表面，该第二半导体基板由与第一半导体基板不同的晶格常数的材料构成。 去除牺牲层以将第一半导体衬底与第二半导体衬底分离。 将融合层图案化以使融合部分成U或V型。 在图案化熔融层（3'）上形成具有与熔融层相同的材料的多个薄膜（9）。
-
公开(公告)号：KR1020020020474A
公开(公告)日：2002-03-15
申请号：KR1020000053649
申请日：2000-09-09
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L33/08 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L29/127 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01S5/12 , H01S5/3412 , Y10S438/938 , Y10S438/962
Abstract: PURPOSE: A method for arranging quantum dots is provided to control the position of the quantum dots without a complicated process, by controlling the inner strain distribution through a period determined by a composition ratio and the thickness of two materials constituting a super-lattice layer and by regularly distributing the position of arrangement of the quantum dots. CONSTITUTION: A substrate(1) is prepared. At least two semiconductor materials having different lattice constants are alternatively stacked on the substrate for a predetermined period to grow a super-lattice strained layer(4'). A quantum dot active layer including quantum dots aligned along the inner strain of the alternatively-stacked super-lattice strained layer is formed on the super-lattice strained layer. The predetermined period is determined in consideration of the inner strain.
Abstract translation: 目的：提供一种用于布置量子点的方法，通过控制内部应变分布经由组成比确定的周期和构成超晶格层的两种材料的厚度和 通过定期分配量子点的排列位置。 构成：制备基材（1）。 具有不同晶格常数的至少两种半导体材料交替地堆叠在衬底上一段预定的时间以生长超晶格应变层（4'）。 在超晶格应变层上形成量子点活性层，该量子点活性层包括沿着交替层叠的超晶格应变层的内部应变排列的量子点。 考虑到内部应变来确定预定时间。
-
公开(公告)号：KR100286253B1
公开(公告)日：2001-05-02
申请号：KR1019980008282
申请日：1998-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/00
Abstract: PURPOSE: A method is provided which manufactures a selectively patterned thin metal film not using dry etching process, and a method is provided which connects a multilayer metal wiring for memory elements and non-memory elements using the method. CONSTITUTION: The method for selectively depositing a thin metal film comprises a plasma treatment step of discharging 13.56 MHz nitrogen plasma having a certain power onto a substrate(6) which is patterned with a metal diffusion prevention film(7) and an oxide film(8) for a certain period of time under the conditions of certain temperature and pressure; a thin metal film(9) deposition step of depositing a metal material on the plasma treated substrate using an organic chemical deposition process, wherein the diffusion prevention film(7) is a thin titanium nitride(TiN) film, the oxide film(8) is silicon dioxide(SiO2) or borophosphosilicate glass(BPSG), and the plasma treatment is performed under the conditions of a plasma power of 30 W, a pressure of 0.1 to 1 torr, a temperature of an ordinary temperature to 200 deg.C and a treatment time of 30 minutes.
-
公开(公告)号：KR1020000002944A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980023945
申请日：1998-06-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C30B25/00
Abstract: PURPOSE: The nitride of III group metal element such as gallium nitride useful as a raw material for a circuit board is prepared which has a fine crystal. CONSTITUTION: An ammonia gas is injected into the III group metal at 850- 1,100°C by bubbling method to give the fine crystal of the metal. The apparatus comprises a reaction tube(2) built-in a reaction vessel(4) of the III group metal, a support(5) of the reaction tube(2), a spiral rotary impeller(6) rotatable forwardly or reversely, an introducing tube(7) for the ammonia gas, and an electric furnace(1).
Abstract translation: 目的：制备可用作电路板原料的III族金属元素如氮化镓的氮化物，其具有细晶体。 构成：通过鼓泡法将氨气在850-1100℃下注入到III族金属中，得到金属的细晶体。 该装置包括反应管（2），其内置有III族金属的反应容器（4），反应管（2）的支撑体（5），可向前或向后旋转的螺旋旋转叶轮（6） 引入用于氨气的管（7）和电炉（1）。
-
公开(公告)号：KR1019990074592A
公开(公告)日：1999-10-05
申请号：KR1019980008282
申请日：1998-03-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C23C16/00
Abstract: 건식 식각공정을 이용하지 않고 선택적으로 패터닝된 금속박막을 제조하는 방법 및 그를 이용한 기억소자 및 비기억소자(이하 "소자")용 다층 금속 연결배선 방법을 제공한다.
확산방지막(TiN) 및 산화막(SiO
2 또는 BPSG)으로 패터닝된 반도체 기판상에 소정 온도, 압력, 주파수 및 전력 조건하에서 질소 플라즈마를 소정 시간동안 방전하여 기판을 플라즈마 처리하고, 그 위에 유기화학증착법을 사용하여 금속원료를 증착하는 금속박막 증착단계로 이루어진다.
본 발명에 의한 선택적 금속박막 증착방법은 종래의 건식 식각공정이나 다마신에 비하여 공정이 간단하고, 우수한 특성의 금속박막을 형성할 수 있으며, 현재 반도체소자의 주배선재료인 알루미늄보다 뛰어난 전기적, 물리적 특성을 갖고 있는 구리를 배선재료로 쓸 수 있게 됨으로써 우수한 특성의 반도체 소자를 제작할 수 있게 되었다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
69
records
(took 0.021 seconds)
