公开(公告)号：KR100899355B1

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020070116932

申请日：2007-11-15

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  박종극 ,  황규원 ,  정증현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3497 ,  H01J37/3435

Abstract: 본 발명은 플라스마 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 직류 전원(방전) 플라스마 증착 공정에 의해 다이아몬드를 비롯한 물질을 증착함에 있어 고융점 금속재질의 음극표면에 균열을 생기는 현상을 방지하며, 실리콘 등의 반도체 기판을 사용할 경우 반도체 기판의 손상을 방지하여 균일하고 손상이 없는 상태로 박막을 증착할 수 있는 이점이 있다.
플라스마 증착, 박막 증착, 힛업(heatup)

公开(公告)号：KR1020060034418A

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020040083434

申请日：2004-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극

IPC: C23C28/00

Abstract: 본 발명은 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 내산화성 및 열 안정성이 우수한 Ti
x Al
y N (0.2≤y≤1, x+y=1) 막과 경도 및 내산화성이 우수한 크롬질화물(CrN) 막을 각각 한 층씩 포함하는 박막 단위체의 두께를 1 ∼ 20 nm로 형성시키고 상기 박막 단위체들을 적층시켜 전체의 다층 박막의 두께를 0.5 ∼ 10 ㎛로 코팅함으로써 피복층의 경도, 내산화성 및 열 안정성이 우수하여 절삭공구 및 미세 정밀부품의 표면강도 향상을 위하여 널리 적용될 수 있을 뿐만 아니라 집합조직의 방향과 무관하게 TiAlN 막의 알루미늄의 함량 또는 적층되는 상기 박막 단위체의 두께를 조절하여 절삭 공구 및 미세 정밀부품의 물성을 조절할 수 있도록 개선된, 표면 피복용 경질 다층 박막에 관한 것이다.
경질 다층 박막, TiAlN, 금속질화물, 경도, 내산화성, 열 안정성

公开(公告)号：KR100466406B1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：KR1020020039401

申请日：2002-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박종극 ,  백영준 ,  이욱성 ,  채기웅

IPC: C23C16/22

Abstract: PURPOSE: A method for refining particle size of deposited diamond film, particularly, particle size of the edge of the cutting tool by consistently applying negative bias to the cutting tool from the outside in the diamond film deposition process is provided, and a diamond film deposited cutting tool used in the method is provided. CONSTITUTION: The method comprises the process of depositing a diamond film on a cutting tool matrix using vapor chemical deposition and applying a negative bias to the cutting tool so that a bias lower than other electrodes is impressed to the surface of the cutting tool from the outside at the same time, thereby coating on the surface of the tool a diamond film which has fine particle size on the edge compared to the central part of the tool. In a cutting tool on the surface of which diamond film is deposited using vapor chemical deposition, the diamond film deposited cutting tool is characterized in that a diamond film which has a micro particle size of 0.1 to 5 μm and has finer particle size on the edge compared to the central part of the same surface of the tool is coated on the surface of the tool by impressing a negative bias to the cutting tool so that a bias lower than other electrodes is impressed to the surface of the cutting tool from the outside at the same time as the diamond film is being deposited on the cutting tool.

Abstract translation: 目的：提供一种通过在金刚石膜沉积过程中从外部一致地向切削工具施加负偏压来精炼沉积的金刚石膜的粒度，特别是切削刀具的边缘的粒度的方法，并且沉积金刚石膜 提供了在该方法中使用的切割工具。 构成：该方法包括使用蒸汽化学沉积在切割工具基体上沉积金刚石膜并向切割工具施加负偏压以使得比其他电极低的偏压从外部施加到切割工具表面的过程 同时在工具的表面上涂覆与工具的中心部分相比在边缘上具有精细粒度的金刚石膜。 在使用气相化学沉积法在其表面上沉积金刚石膜的切削工具中，金刚石膜沉积切削工具的特征在于具有0.1至5μm的微粒尺寸并具有更精细颗粒的金刚石膜 与刀具的相同表面的中心部分相比，边缘上的尺寸被涂覆在刀具的表面上，通过向切削刀具施加负偏压，使得比其他电极低的偏压被施加到切削刀具的表面 在钻石膜沉积在切割工具上的同时从外部进行。

公开(公告)号：KR1020030001801A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：KR1020010037563

申请日：2001-06-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이재갑 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C23C16/27

CPC classification number: B22F9/16 ,  B22F2202/13 ,  B22F2302/406

Abstract: PURPOSE: A process for synthesizing diamond powder having several micrometers or less of small particle size and spherical particle shape by chemical vapor deposition method is provided, and an apparatus which is capable of synthesizing diamond powder in large quantities by modifying structure of a synthesizing apparatus is provided. CONSTITUTION: In a CVD (chemical vapor deposition) diamond synthesizing apparatus for synthesizing a film shaped diamond on the substrate I by forming plasma in a vacuum container(1) thereby decomposing a carbon source reaction gas, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I(3) which is directly contacted with plasma(2), and a substrate II(8) which is mounted on the circumference of the substrate I so that the substrate II is not directly contacted with plasma, wherein the apparatus for synthesizing spherical diamond powder(7) comprises a substrate I which is fabricated in a ring shape, and a substrate II which is mounted on inner and outer parts of the ring shaped substrate I so that the substrate II is not contacted with plasma, the apparatus for synthesizing spherical diamond powder comprises two or more substrates I for separating plasma into two or more, and a substrate II which is mounted on the circumference of the substrates I so that the substrate II is not contacted with plasma, and wherein the substrate II is installed within 10 cm from plasma with the substrate II not being contacted with plasma.

Abstract translation: 目的：提供一种通过化学气相沉积法合成具有数μm以下的小粒径和球状粒子形状的金刚石粉末的方法，通过改变合成装置的结构能够大量合成金刚石粉末的装置是 提供。 构成：用于通过在真空容器（1）中形成等离子体从而分解碳源反应气体，在基板I上合成膜状金刚石的CVD（化学气相沉积）金刚石合成装置中，合成球形金刚石粉末（7 ）包括与等离子体（2）直接接触的基板I（3）和安装在基板I的圆周上的基板II（8），使得基板II不与等离子体直接接触，其中该装置 用于合成球形金刚石粉末（7）的方法包括制造成环形的基片I和安装在环形基片​​I的内部和外部的衬底II，使得基底II不与等离子体接触， 用于合成球形金刚石粉末的装置包括两个或更多个用于将等离子体分离成两个或更多个的基板I和安装在基板I的圆周上的基板II， 衬底II不与等离子体接触，并且其中衬底II安装在等离子体的10cm内，衬底II不与等离子体接触。

公开(公告)号：KR100338667B1

公开(公告)日：2002-05-30

申请号：KR1020000004292

申请日：2000-01-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박영준 ,  백영준

IPC: B23K26/364 ,  B23K26/40

Abstract: 본 발명은 레이저를 이용한 다이아몬드막의 가공에 있어서, 상기 다이아몬드막의 밑면에 열전도도가 작은 저 열전달 밑판을 위치시켜 다이아몬드막과의 열전달이 억제되도록 하고, 일정한 가공분위기 하에서 레이저빔을 상기 다이아몬드막의 표면에 초점이 형성되도록 하여 다이아몬드막을 가공하고, 가공이 진행됨에 따라 상기 레이저빔의 초점이 형성되는 위치를 밑으로 이동하며 레이저빔을 주사하는 것으로 이루어지는 레이저를 이용한 다이아몬드막의 가공 방법을 제공하며, 또한, 상기 다이아몬드막의 밑면에 가열판을 위치시키고 상기 가열판으로 다이아몬드막에 열이 공급되도록 하고, 일정한 가공분위기 하에서 레이저빔을 상기 다이아몬드막의 표면에 초점이 형성되도록 하여 다이아몬드막을 가공하고, 가공이 진행됨에 따라 상기 레이저� ��의 초점이 형성되는 위치를 밑으로 이동하며 레이저빔을 주사하는 것으로 이루어지는 레이저를 이용한 다이아몬드막의 가공 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면 고출력의 레이저를 사용하지 않고도 다이아몬드막을 효과적으로 가공하는 것이 가능하며, 특히 다이아몬드막의 레이저 절단시 종래의 한계를 넘어 절단 종횡비를 증가시킬 수 있다. 따라서, 저출력의 레이저를 사용한 가공이 가능하여, 다이아몬드막의 손실이 과다하게 되는 것을 억제할 수 있고, 적은 가공 비용으로 양호한 가공품질을 얻는 것이 가능하다.

公开(公告)号：KR100313780B1

公开(公告)日：2001-11-26

申请号：KR1019990018826

申请日：1999-05-25

Applicant: 학교법인 명지학원 ,  한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  백은송 ,  전동렬

IPC: H01J9/02

Abstract: 본발명은냉전자전계방출용다이아몬드팁 제조방법에관한것으로, 종래다이아몬드팁 제조방법은몰리브덴이나실리콘으로팁을제조하여그 팁의내구성, 전계방출특성등이충분치않고, 그제조공정이복잡한문제점이있었다. 이와같은문제점을감안한본 발명은기판의상부에다이아몬드막과마스크용막을순차적으로증착하는단계와; 상기마스크용막을패터닝하여상기증착된다이아몬드막의일부를노출시키는단계와; 건식식각시발생하는상기마스크용막 패턴의스퍼터(sputter)와패싯팅(facetting) 현상을이용하여그 마스크용막과그 하부에점차적으로노출면적이증가하는다이아몬드막을건식식각하여원뿔형다이아몬드팁을형성하는단계로구성함으로써, 원하는기판에다이아몬드가증착된상태에서간단한후속공정을통해저온에서원하는규격의원뿔형다이아몬드팁을제작할수 있게되므로전계방출소자의구현에핵심이되는우수한방출특성과내구성을가진다이아몬드의실용화가가시화될수 있어, 현재문제점이많은 Spindt 형의팁 어레이를대체하여보다우수한성능의전계방출소자의구현이가능한효과와아울러다양한전계방출소자의제작을위한후속공정의선택이자유롭고, 제조공정이단순화되어공정비용이크게절감되는효과가있다.

公开(公告)号：KR1020010076875A

公开(公告)日：2001-08-17

申请号：KR1020000004292

申请日：2000-01-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 박영준 ,  백영준

IPC: B23K26/364 ,  B23K26/40

CPC classification number: B23K26/364 ,  B23K26/40

Abstract: PURPOSE: A process for processing a diamond film by disposing a plate having low heat conductivity at the lower part of a diamond film and irradiating a laser beam to form the focus on the surface of the diamond film is provided, which can inhibit excess loss of the diamond film and obtain excellent processing quality at low cost. CONSTITUTION: The titled diamond film is processed by the following process consisting of: disposing a plate having low heat conductivity at the lower part of a diamond film to inhibit heat transfer to a diamond film, irradiating a laser beam to form the focus on the surface of the diamond film and moving the position of the focus of the laser beam to the lower part due to the progress of the processing.

Abstract translation: 目的：提供一种通过在金刚石膜的下部设置具有低导热性的板并照射激光束以在金刚石膜的表面上形成焦点来处理金刚石膜的方法，其可以抑制金刚石膜的过度损耗 金刚石薄膜，并以低成本获得优良的加工质量。 构成：标题金刚石膜通过以下工艺处理，该方法包括：在金刚石膜的下部设置具有低导热性的板，以抑制向金刚石膜的热传递，照射激光束以在表面上形成焦点 并且由于处理的进行而将激光束的焦点的位置移动到下部。

公开(公告)号：KR100291533B1

公开(公告)日：2001-07-12

申请号：KR1019970067702

申请日：1997-12-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이광렬 ,  은광용 ,  백영준 ,  구형회

IPC: C23C16/26

Abstract: PURPOSE: A method is provided which improves corrosion resistance for solid particles by improving mechanical properties of a membrane without change of optical characteristics while neither a fatally poisonous gas is used nor a thick membrane is coated. CONSTITUTION: The corrosion resistance non-reflective diamond-like rigid carbon membrane contains 0.1 to 10 atom% of silicon and has a thickness of 0.5 to 3 microns. In a method for depositing a diamond-like rigid carbon membrane on an optical substrate, the method for manufacturing the corrosion resistance non-reflective diamond-like rigid carbon membrane having a thickness of 0.5 to 3 microns is characterized in that hydrocarbon compounds are used as a carbon source, a silicon contained gas is used as a silicon source, the optical substrate is selected from the group consisting of Ge, Si, ZnS, ZnSe, MgF2 and sapphire, and silicon contains 0.1 to 10 atom% in a carbon membrane which is manufactured by controlling a partial pressure of silicon of the synthetic gas, wherein the deposition is carried out using a plasma chemical vapor deposition, sputtering, ion beam synthesis or ion plating, and wherein the plasma chemical vapor deposition is performed under the conditions of a high frequency of 10 to 50 MHz and a pressure of 1 m Torr to 100 Torr.

公开(公告)号：KR1020000009734A

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019980030343

申请日：1998-07-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 유명기 ,  백영준 ,  홍경태

IPC: H01L23/34

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: The heat dissipater has a low thermal expansion coefficient and a high thermal conductivity to be used in a power transistor, to dissipate effectively the heat generated in the operation of a semiconductor chip and to protect a circuit comprising a device or a module from a moisture and an electromagnetic disturbance. CONSTITUTION: The heat dissipater comprises: a heat dissipater net-shaped with a tungsten-copper composite as a heat dissipater material of a high power semiconductor or a laser diode; and a diamond film coated on the surface of the heat dissipater to improve the thermal conductivity of the heat dissipater. The method comprises the steps of: fabricating a tungsten-copper composite material heat dissipater net-shaped by a powder injection molding; improving the quality of the surface of the heat dissipater by gushing out copper from the surface; coating the diamond film to improve the thermal conductivity on the surface of the heat dissipater; and improving the adhesion force of the coating by the thermal treatment of the heat dissipater.

Abstract translation: 目的：散热器在功率晶体管中具有低热膨胀系数和高导热性，有效地散发在半导体芯片的操作中产生的热量，并且将包括器件或模块的电路从 潮湿和电磁干扰。 构成：散热器包括：具有钨铜复合材料的网状散热器作为大功率半导体或激光二极管的散热材料; 以及涂覆在散热器表面上的金刚石膜以改善散热器的导热性。 该方法包括以下步骤：通过粉末注射成型制造网状铜钨复合材料散热器; 通过从表面喷出铜来提高散热器表面的质量; 涂覆金刚石膜以改善散热器表面的导热性; 并通过散热器的热处理改善涂层的附着力。

公开(公告)号：KR1019970070236A

公开(公告)日：1997-11-07

申请号：KR1019960013138

申请日：1996-04-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  백영준 ,  은광용

IPC: C23C18/22

Abstract: 본 발명은 초경 공구의 다이아몬드막 피복방법에 관한 것으로, 다이아몬드막을 초경 공구의 표면에 중착하기전에 초경 공구 모재의 표면을 NaOH 혹은 KOH 수용액으로 전해 엣칭하거나, KMnO
4 +KOH 수용액으로 화학엣칭하여 다이아몬드막과 초경 모재와의 접착력을 향상시키도록 한 것이다.
이와 같은 본 발명에서는 전해 엣칭을 실시함으로써 종래 기술에서 사용되는 무라까미 용액 중의 페리시안화칼륨 성분이 그 용액 중의 다른 성분인 KOH와 반응을 거쳐 발생기 산소를 발생시키게 되므로 무라까미 용액중의 산화제 성분인 페리시안화칼륨을 제외시키는 대신에, 피엣칭재에 전기적 전압을 가해주는 전해 에칭 방법을 사용하여 동일한 효과를 얻도록 한 것이며, KMnO
4 +KOH 수용액을 사용하는 엣칭 방법은 페리시안화칼륨의 산화 작용을 KMnO
4 가 대신함으로써 KMnO
4 의 가격이 저렴하여 제조비용이 절감되는 효과가 있고, 산화 작용이 있는 것을 제외하고는 시안화물과 같은 독성이 없기 때문에 인체에 무해함과 아울러 폐기물처리가 훨씬 간단하다는 잇점이 있으며, 엣칭 효과가 무라까미 용액에 비하여 더 강력하게 이루어지는 장점이 있다.
또한, 상기 방법에 의해 초경 공구 표면을 화학 처리하면 초경 공구의 탄화물상이 불규칙하게 식각되어 초경 공구의 표면의 조도가 증가하게 되며, 이와 같이 조도가 증가한 초경 공구의 표면은 다이아몬드막과 기계적인 맞물림 효과를 발휘하여 그 상호간의 결합력이 증가하는 효과가 있는 것이다.