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公开(公告)号：KR1020170014966A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150109065
申请日：2015-07-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/314 , H01L21/02
Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에순차적으로형성된하부절연층, 활성층및 상부절연층; 및상부절연층상에형성된상부전극을포함하는메모리소자로서, 활성층은화학기상증착으로성장된이황화몰리브덴(MoS)을포함하고, 하부및 상부절연층은각각화학기상증착으로성장된육방정질화붕소(h-BN)를포함하는것을특징으로하는쌍안정성비휘발성메모리소자가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020170002949A
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020150092916
申请日：2015-06-30
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 자외선영역의빛 에너지를흡수한후 비복사에너지로방출하는나노물질이열가소성수지에분산된것이고, 상기열가소성수지는나노물질로부터방출되는비 복사에너지에의하여이동가능한자외선감응열가소성수지기반자가치유복합체및 그제조방법을제공한다. 해당복합체는반복적치유가가능하면서도제조과정이저렴하여상업화에유용하다. 또한, 자외선감응시 복합체 내부에서생성되는열 에너지가효과적으로열가소성수지에전달되어효율적인자가치유가일어나도록할 수있다. 아울러, 양호한용매분산성, 고분자매트릭스내에서의양호한분산성과고분자와의계면특성으로인하여균일한복합체를제공할수 있고이에따라자가치유특성을더욱향상할수 있으며, 또한, 전도성을부여하기가용이하다.
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公开(公告)号：KR1020170001160A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150090746
申请日：2015-06-25
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C09K11/06 , H01L51/50 , H01L21/285 , H01L21/205 , H01L51/56
Abstract: 본발명은이차원전이금속디칼코겐화합물을발광층으로하는발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는대면적 CVD 방법으로이차원전이금속디칼코겐화합물이고분자절연체의샌드위치구조로적층되어발광특성을발휘하도록이루어진발광소자와그 제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160107720A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030876
申请日：2015-03-05
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/02
CPC classification number: C01B32/158 , C01B2202/02 , C01P2004/64
Abstract: 본발명은직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브및 산처리된탄소나노튜브및 금속산화물전구체의용액을반응시켜침전물을얻는단계; 및상기침전물을산성용액에용해시켜금속산화물을제거하여직경 20 내지 30nm의나노링 형태의탄소나노튜브를얻는단계를포함하는나노링 형태의탄소나노튜브의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供纳米环状碳纳米管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：通过使具有20〜30nm直径的纳米环状碳纳米管与酸处理碳纳米管反应而得到析出物， 金属氧化物前体溶液; 并通过在将沉淀物溶解在酸性溶液中后除去金属氧化物，得到直径为20〜30nm的纳米环形碳纳米管。
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公开(公告)号：KR1020160095423A
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：KR1020150016660
申请日：2015-02-03
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L27/115 , C01B31/04
CPC classification number: H01L27/11521 , C01B32/20 , H01L27/11524 , H01L2924/1443
Abstract: 기판상에형성된하부전극; 하부전극상에형성된활성층; 및활성층상에형성된상부전극을포함하며, 활성층은금속산화물- 그래핀양자점및 유기고분자물질을포함하는비휘발성메모리장치를제공한다. 이에따라, 전류-전압특성이우수한비휘발성메모리장치가제공될수 있다.
Abstract translation: 提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在基板上的下电极; 形成在下电极上的有源层; 以及形成在有源层上的上电极。 有源层包括：金属氧化物 - 石墨烯量子点和有机聚合物材料。 因此，可以提供具有优异的电流 - 电压特性的非易失性存储器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160060376A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020140162582
申请日：2014-11-20
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/18 , B01J23/06 , B01J23/22 , B01J23/30 , B01J23/745 , B01J31/00 , B01J35/0013 , B01J35/0033 , B01J37/0219 , H01G9/2027 , H01G9/2045
Abstract: 본발명은반도체-탄소나노소재핵-껍질복합구조체의양자점을이용한광촉매와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는반도체-탄소나노소재핵-껍질복합구조체의양자점을 4-아미노페놀을사용하여자가조립하여이루어진마이크로입자를합성하고이를광전지화학소자의광촉매로사용함으로써광전기화학반응성과광전환효율을우수하게개선할수 있는광촉매와이를포함하는광전지화학소자및 이들을제조하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用半导体 - 碳纳米材料核 - 壳复合结构的量子点的光催化剂及其制造方法。 更具体地说，本发明涉及一种用于光电池化学元素的光催化剂，其通过使用4-氨基苯酚，光电池化学品合成由半导体 - 碳纳米材料核 - 壳复合结构的量子点自组装形成的微粒而制备 包含该元件的元件及其制造方法。 本发明的光催化剂可显着提高光电化学反应性和光转化效率。
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公开(公告)号：KR101607478B1
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：KR1020140162583
申请日：2014-11-20
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/426 , H01L51/442
Abstract: 본발명은핵-껍질구조의나노입자를이용한역구조유기태양전지소자와그 제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는기능화된금속산화물-그래핀의핵-껍질나노입자를표면개질고분자층과광활성층사이에전자수송층으로도입함으로써전극과광활성층사이에서밴드갭의배합을최적화하여전지수명과광전변환효율을크게개선한역구조유기태양전지소자와이를제조하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用核 - 壳结构纳米颗粒的反向结构有机太阳能电池器件及其制造方法，更具体地涉及使用核 - 壳结构纳米颗粒采用核 - 壳的逆向结构有机太阳能电池器件 功能化金属氧化物石墨烯的纳米颗粒作为表面改性聚合物层和光活化层之间的电子传输层，以优化电极和光活化层之间的带隙的混合，以显着地改善电池寿命和光电转换效率 ，及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020130038428A
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：KR1020110102494
申请日：2011-10-07
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L31/035218 , B01J13/02 , B82Y40/00 , H01G9/204
Abstract: PURPOSE: An oxide semiconductor - nano carbon nucleus - shell integrated quantum dot is provided to maximize the chemical combinding number of metal-oxide-carbon(nano carbon) within oxide semiconductor by binding nano carbon with an excellent electrical characteristic to an oxide semiconductor with a chemical method. CONSTITUTION: An oxide semiconductor - nano carbon nucleus - shell integrated quantum dot has oxide semiconductor which comprises light absorption layer as a nucleus and cover the core with nano carbon in a form of shell. The oxide semiconductor is zinc oxide. The nano carbon is graphene or fullerene. Connect a oxide semiconductor which comprised nucleus and a nano carbon which comprises the shell through a chemical bond of oxygen atom. A size of the quantum dot is 8-15nm. An ultraviolet ray solar cell has oxide semiconductor - nano carbon integrated nucleus - shell quantum dot as a single active layer.
Abstract translation: 目的：提供氧化物半导体 - 纳米碳核 - 壳集成量子点，通过将具有优异电特性的纳米碳与氧化物半导体结合，使氧化物半导体中的金属氧化物 - 碳（纳米碳）的化学组合数最大化， 化学方法。 构成：氧化物半导体 - 纳米碳核 - 壳集成量子点具有氧化物半导体，其包括作为核的光吸收层并且以壳的形式用纳米碳覆盖核心。 氧化物半导体是氧化锌。 纳米碳是石墨烯或富勒烯。 通过氧原子的化学键连接包含核和包含壳的纳米碳的氧化物半导体。 量子点的大小为8-15nm。 紫外线太阳能电池具有氧化物半导体 - 纳米碳集成核 - 壳量子点作为单一活性层。
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公开(公告)号：KR102250647B1
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：KR1020190099603
申请日：2019-08-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B32/194 , C08J3/20
Abstract: 본명세서는구조적결함을포함하는결함영역이존재하는그래핀층; 및상기결함영역또는결합영역에인접하여형성된결함치유구조;를포함하며, 상기결함치유구조는친수성고분자를포함하고, 상기친수성고분자는상기그래핀층과수소결합하여상기구조적결함을치유하는, 그래핀복합체를개시한다.
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公开(公告)号：KR101987972B1
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：KR1020170118057
申请日：2017-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: F21V1/16 , F21W121/00
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