-
公开(公告)号：KR1020030058417A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088866
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/30
Abstract: PURPOSE: A method for adjusting a radiation wavelength of an InGaAs quantum dot by an AlGaAs insertion layer is provided, which obtains a long wavelength photo luminescence by growing a thin AlGaAs insertion layer after forming the InGaAs quantum dot. CONSTITUTION: According to the method for adjusting a radiation wavelength radiated from an InGaAs/GaAs quantum dot, the InGaAs/GaAs quantum dot is formed, and an AlGaAs insertion layer is grown on the above InGaAs/GaAs quantum dot. A location of photo luminescence of the InGaAs/GaAs quantum dot is varied according to the existence of the above AlGaAs insertion layer. As the AlGaAs insertion layer becomes thicker, a peak of a base state of the InGaAs/GaAs quantum dot moves toward a long wavelength to be saturated.
Abstract translation: 目的：提供通过AlGaAs插入层调整InGaAs量子点的辐射波长的方法，其通过在形成InGaAs量子点之后生长薄的AlGaAs插入层来获得长波长的光发光。 构成：根据用于调整从InGaAs / GaAs量子点辐射的辐射波长的方法，形成InGaAs / GaAs量子点，并且在上述InGaAs / GaAs量子点上生长AlGaAs插入层。 根据上述AlGaAs插入层的存在，InGaAs / GaAs量子点的光发光的位置是不同的。 当AlGaAs插入层变厚时，InGaAs / GaAs量子点的基态峰向长波长移动以饱和。
-
公开(公告)号：KR1019950033667A
公开(公告)日：1995-12-26
申请号：KR1019940011792
申请日：1994-05-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G03F7/00
Abstract: 본 발명은 전자 현미경을 그 본래의 기능을 살리면서 전자빔 리소그래피를 할 수 있도록 간단한 부가 장치로 개조하여 사용함으로써 다층의 마스크 제작시 각각의 마스크 패턴을 간단히 수정할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 방법은 전자 현미경의 기능을 활용하므로써 마스크를 만들기 직전에 마스크의 결함을 간단히 수정 보완할 수 있다는 장점과 전자 현미경 기능을 그대로 살리면서 전자빔 리소그래프를 하여 시료위에 패턴을 직접 묘사할 수 있고 마스크를 제작할 수 있다는 장점이 있다.
-
公开(公告)号：KR101296744B1
公开(公告)日：2013-08-20
申请号：KR1020120005832
申请日：2012-01-18
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 수중에서 외부 장치와 광통신을 수행하는 수중 통신 장치에 있어서, 외부 장치로 송신할 제 1 데이터를 제 1 전류로 변조하는 전류 제어부; 및 변조된 제 1 전류에 대응하는 450 내지 500nm의 파장의 광을 외부 장치로 송신하는 광 송신부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 수중 통신 장치가 개시된다.
-
公开(公告)号：KR100880122B1
公开(公告)日：2009-01-23
申请号：KR1020070085316
申请日：2007-08-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: H01S5/101 , H01S5/1017 , H01S5/5027
Abstract: An optical device having optical power loss reducing region near optical waveguide and a manufacturing method thereof are provided to secure enough optical output in a device of identical length by reducing optical power loss generated by a bending of an optical waveguide. An optical device having optical power loss reducing region near optical waveguide comprises an optical waveguide(103) and one or more optical power loss reducing region(106). The optical waveguide has a curve region(II). The optical power loss reducing region is positioned near the optical wave guide, and is operated in order to prevent an optical power loss inside the optical waveguide.
Abstract translation: 提供了一种具有光波导附近的光功率损耗减少区域的光学装置及其制造方法，用于通过降低由光波导的弯曲产生的光功率损失来确保在相同长度的器件中的足够的光输出。 具有光波导附近的光功率损耗减少区域的光学器件包括光波导（103）和一个或多个光功率损耗减少区域（106）。 光波导具有曲线区域（II）。 光功率损耗减少区域位于光波导附近，并且为了防止光波导内的光功率损耗而被操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100644967B1
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：KR1020040086139
申请日：2004-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L33/06
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L33/0045
Abstract: 파장대역폭이 넓고 광출력이 큰 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해, 기판, 상기 기판 상에 형성되어 방출되는 광을 구속하는 제 1 클래딩층 및 제2 클래딩층, 상기 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층 사이에 형성되어 사전설정된 적어도 두 파장의 광을 방출하는 CQD 양자점 구조의 활성층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
고휘도 발광소자, 파장 대역폭, 광출력, CQD (Chirped Quantum Dots), 활성층Abstract translation: 具有宽波长带宽和大光输出的高亮度发光器件及其制造方法。 为此，所述衬底，所述第一包层和第二包层，第一包覆层和第二包层发射的光的至少两个波长用于限制发射的光预设的层之间所形成的基板上形成 CQD量子点结构及其制造方法。
-
公开(公告)号：KR100644968B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050102333
申请日：2005-10-28
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: Provided is a preparation method of biocompatible silicon nano particles excellent in dispersion stability for use in fluorescent probe in biological studies that include cancer diagnosis and cell imaging. The preparation method of biocompatible silicon nano particles comprises the steps of: obtaining silicon nano particle colloid by treating Si-containing zintl salt with diethylene glycol diethyl ether(DGDE) under ultrasonic radiation; and mixing the silicon nano particle colloid with a hydrogen halide solution. In detail, Si-containing zintl salt and DGDE are used in a ratio of 1:10 to 1:100,000 by weight and are subjected to ultrasonic radiation for 1 minute to 10 hours under an inert gas atmosphere such as Ar, He, N and so on. Preferably, the hydrogen halide solution has a concentration of 1 to 35 wt%, and is mixed in an amount of 0.01 to 1 wt% with respect to the weight of silicon nano particle collide.
Abstract translation: 本发明提供一种在生物学研究中用于荧光探针的分散稳定性优异的生物相容性硅纳米粒子的制备方法，其包括癌症诊断和细胞成像。 一种生物相容性硅纳米颗粒的制备方法，包括以下步骤：用超声辐射处理含二乙二醇二乙醚（DGDE）的含硅锌盐，得到硅纳米颗粒胶体; 并将硅纳米颗粒胶体与卤化氢溶液混合。 具体而言，含Si的锌盐和DGDE以1:10至1:100,000的重量比使用，并且在诸如Ar，He，N和N的惰性气体气氛下经受超声辐射1分钟至10小时 等等。 优选卤化氢溶液的浓度为1〜35重量％，相对于硅纳米粒子的重量碰撞而混合0.01〜1重量％。
-
公开(公告)号：KR100508850B1
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：KR1020030074986
申请日：2003-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02518 , H01L21/02617
Abstract: 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.
-
公开(公告)号：KR1020030058421A
公开(公告)日：2003-07-07
申请号：KR1020010088870
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/09
Abstract: PURPOSE: A method of changing wavelength response of quantum well infrared photo-detectors by using quantum well intermixing technique is provided to change the detected wavelength band of the quantum well infrared photo-detectors by using a substrate having a changed band gap of a quantum well infrared absorption layer. CONSTITUTION: A band gap of a quantum well infrared absorption layer of quantum well infrared photo-detectors is increased by using various quantum well intermixing processes. A quantum well infrared detection device is fabricated by using a substrate having the increased band gap of the quantum well infrared absorption layer. Various dielectric capping layers such as SiO2, SiNx, and SrF2 are coated on the substrate. The band gap of the quantum well infrared absorption layer is increased by performing a thermal process for the substrate.
Abstract translation: 目的：通过使用量子阱混合技术改变量子阱红外光电探测器的波长响应的方法，通过使用量子阱的带隙改变的衬底来改变量子阱红外光电检测器的检测波长带 红外吸收层。 构成：量子阱红外光电探测器的量子阱红外吸收层的带隙通过使用各种量子阱混合过程增加。 通过使用具有增加的量子阱红外线吸收层的带隙的衬底来制造量子阱红外检测装置。 各种电介质覆盖层如SiO 2，SiN x和SrF 2涂覆在基片上。 通过对衬底进行热处理来增加量子阱红外线吸收层的带隙。
-
公开(公告)号：KR100132539B1
公开(公告)日：1998-04-16
申请号：KR1019940012262
申请日：1994-06-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: Computer central processing unit scans electron beam by scanning circuit by running analog/digital convertor and detects generating signal with detector(S10). Detected signal converted through analog/digital convertor after passing through an image signal amplifier and is stored at data storing device by computer central processing unit. Stored signal outputs to computer monitor and outputs to electron microscope monitor(S11) through an image signal amplifier from a detector(S10). Therefore, electron beam lithography device carries mask pattern alignment from an output alignment mark image and by using electron beam blocker(S4) blocks electron beam and controls electron microscope magnification so all electron beam lithography area are positioned within range of scanning.
Abstract translation: 计算机中央处理单元通过运行模拟/数字转换器扫描电路扫描电子束，并用检测器检测生成信号（S10）。 检测信号通过模拟/数字转换器通过图像信号放大器后转换，并由计算机中央处理单元存储在数据存储装置中。 存储的信号输出到计算机监视器并通过来自检测器的图像信号放大器输出到电子显微镜监视器（S11）（S10）。 因此，电子束光刻设备从输出对准标记图像和使用电子束阻挡器（S4）携带掩模图案对准，阻止电子束并控制电子显微镜放大率，使得所有电子束光刻区域位于扫描范围内。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.024 seconds)
