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公开(公告)号：KR101386241B1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020100096841
申请日：2010-10-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 무기발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 무기발광소자에 있어서, 기 설정된 간격을 갖도록 주기적으로 배치된 구조를 갖는 패턴된 금속전극; 및 상기 패턴된 금속전극의 상부에 위치하는 형광층을 포함하며, 상기 패턴된 금속전극이 배치된 순서에 따라 양극과 음극이 교대로 인가됨에 따라 상기 형광층에서 발광한 빛이 상기 패턴된 금속전극의 사이로 방출되는 것을 특징으로 한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130067907A
公开(公告)日：2013-06-25
申请号：KR1020110134949
申请日：2011-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H02J50/00 , H04B5/0037 , Y02D70/00
Abstract: PURPOSE: An active wireless power apparatus which has an energy harvest function and a method thereof are provided to supply power to reduce power consumption of a wireless communication device, to enable the wireless communication device to be operated mainly in a power down mode state, and to supply power to the wireless communication device when communications are required. CONSTITUTION: An active wireless power apparatus includes a gathering unit(21) which receives a radio signal of light or frequency which is transmitted from the outside, and a power generation unit(22) which processes a signal which is outputted through the gathering unit, and outputs a fixed level of a voltage signal. A wireless communication device, which is in a power down mode, is woken up and operated in an operation mode according to the voltage signal. [Reference numerals] (12) Matching unit; (13) RF signal processing unit; (14) Battery; (21) Gathering unit; (22) Power generation unit; (23) Switch unit; (3) Reader; (AA) Frequency & Light
Abstract translation: 目的：提供具有能量收集功能的有源无线电力装置及其方法，以提供功率以减少无线通信装置的功耗，使得无线通信装置主要以断电模式状态运行，以及 当需要通信时向无线通信设备供电。 构成：有源无线电力装置包括：接收从外部发送的光或频率的无线电信号的收集单元（21），以及处理通过收集单元输出的信号的发电单元（22） 并输出电压信号的固定电平。 处于断电模式的无线通信装置根据电压信号被唤醒并在操作模式下操作。 （附图标记）（12）匹配单元; （13）射频信号处理单元; （14）电池; （21）收集单位; （22）发电机组; （23）开关单元; （3）读者; （AA）频率与光
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公开(公告)号：KR101087136B1
公开(公告)日：2011-11-25
申请号：KR1020080122215
申请日：2008-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
Abstract: 본 발명은 실리콘 웨이퍼 기판의 적재가 용이할 뿐만 아니라 초기 열산화 공정 시 발생될 수 있는 자연 산화막 발생을 최대한 억제할 수 있고, 반응 가스의 균일할 확산을 유도하여 균일한 두께의 산화막을 발생시킬 수 있는 반도체 제조용 횡형 확산로에 관한 것으로서, 상기 횡형 확산로는, 상하로 개폐가능하며 그 내부에 다수의 실리콘 웨이퍼 기판이 적재되는 적재 수단과, 상기 적재 수단을 수평 방향으로 이동시켜 상기 반응실 내부로 이동시키는 운반 수단과, 상기 운반 수단에 의해 적재 수단이 반응실 내부로 이동되는 동안 상기 적재 수단의 내부로 질소 가스를 주입하는 질소 가스 주입 수단을 포함하여 이루어진다.
반도체 제조, 열산화, 열확산, 확산로,-
公开(公告)号：KR1020110038570A
公开(公告)日：2011-04-14
申请号：KR1020100034426
申请日：2010-04-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 강진영
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14614 , H01L27/1461 , H01L27/14689
Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor and manufacturing method thereof are provided to prevent the deterioration of image quality with low illumination and high illumination by changing a cell structure and doping density. CONSTITUTION: A light receiving device includes an electron collecting layer(110). A transfer transistor is connected to a light receiving device and a vertical type trench gate(140) is formed. An EOT(Equivalent Oxide Thickness) of a gate is 120 angstrom or more. A selection transistor is driven according to a selection signal with regard to the light receiving device. A reset transistor is driven according to a reset signal transmitted after the selection signal. A driving transistor outputs an electric signal sensed by the light receiving device according to the driving signal transmitted after the reset signal.
Abstract translation: 目的：提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，通过改变单元结构和掺杂密度来防止低照度和高照度的图像质量的劣化。 构成：光接收装置包括电子收集层（110）。 传输晶体管连接到光接收装置，并形成垂直型沟槽栅极（140）。 栅极的EOT（等效氧化物厚度）为120埃或更大。 根据关于光接收装置的选择信号来驱动选择晶体管。 根据在选择信号之后发送的复位信号来驱动复位晶体管。 驱动晶体管根据在复位信号之后传输的驱动信号输出由光接收装置感测的电信号。
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公开(公告)号：KR101016441B1
公开(公告)日：2011-02-21
申请号：KR1020080124277
申请日：2008-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 게이트 전극과 소스-드레인 전극 형상 간 오정렬을 방지하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 하부 게이트형 유기박막 트랜지스터 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 유기박막 트랜지스터 제조 방법은, 게이트 전극과 게이트 절연막이 형성된 기판 전면 상에 형상반전 감광막과 광 표백물질막을 도포하는 단계와, 마스크를 사용하여 상기 형상반전 감광막 중에서 필드 영역의 감광막만을 선택적으로 감광시키는 단계와, 상기 형상 반전 감광막 중에서 상기 게이트 전극 상부에 위치한 감광막이 감광되고 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막은 감광되지 않도록 전면 노광을 실시하는 단계와, 상기 전면 노광 후, 상기 광 표백물질막을 제거하고, 감광된 상기 필드 영역 및 게이트 전극 상부의 감광막을 형상 반전시키는 단계와, 전면 노광을 실시하여, 형상 반전되지 않은 상기 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 감광시키는 단계와, 상기 감광된 소스-드레인 전극 형성 영역의 감광막을 현상액으로 제거하는 단계를 포함한다.
유기박막 트랜지스터, 게이트 전극-
公开(公告)号：KR100934216B1
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：KR1020070125515
申请日：2007-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: A bipolar phototransistor for a short wavelength and a manufacturing method thereof are provided to improve the characteristic of a leakage current by forming an anti-depletion layer in a surface of a base. A first base is formed in a base region(20) by the high energy ion implantation of a first type impurity. A second oxide film is formed in the front side of the substrate. An emitter region(30) and a blocking region are defined in a second oxide film. A second emitter and a second blocking layer are formed by ion-implanting a second impurity to the emitter region and the blocking region. A second anti-depletion layer is formed by ion-implanting the second impurity to the surface of the first base.
Abstract translation: 提供一种用于短波长的双极光电晶体管及其制造方法，以通过在基底的表面中形成抗耗尽层来改善泄漏电流的特性。 通过第一类型杂质的高能离子注入在基区（20）中形成第一基极。 第二氧化物膜形成在衬底的正面。 发射极区域（30）和阻挡区域被限定在第二氧化物膜中。 通过将第二杂质离子注入发射极区域和阻挡区域来形成第二发射极和第二阻挡层。 通过将第二杂质离子注入第一基底的表面来形成第二抗耗尽层。
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