公开(公告)号：KR100116165B1

公开(公告)日：1997-06-09

申请号：KR1019930005879

申请日：1993-04-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  맹성재 ,  이종람 ,  윤광준

IPC: H01L21/68

公开(公告)号：KR1019970004497A

公开(公告)日：1997-01-29

申请号：KR1019950017180

申请日：1995-06-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  정구영 ,  김영수 ,  김창주

IPC: H04L7/00

Abstract: 본 발명은 디지틀 무선통신 시스템에서 실시간 처리를 하기 위한 방법에 관한 것으로 특히, Circular Buffer와 pointer를 이용한 QAM TCM의 심볼 타이밍 동기 알고리즘 구현에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019960012638B1

公开(公告)日：1996-09-23

申请号：KR1019930005958

申请日：1993-04-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  맹성재 ,  이종람 ,  윤광준

IPC: H01L21/68

Abstract: A semiconductor wafer(1) is equipped on a mounting glass substrate(4) by using bonding wax(3). After a certain processes, the semiconductor wafer is separated from the glass substrate(4). The method includes the steps of: forming auxiliary layer(5) by spreading photoresist film on the mounting glass substrate(4); uniting the semiconductor wafer(1) and the mounting glass substrate(4) by the bonding wax(3).

Abstract translation: 通过使用粘结蜡（3）将半导体晶片（1）装配在安装玻璃基板（4）上。 在一定的处理之后，半导体晶片与玻璃基板（4）分离。 该方法包括以下步骤：通过在安装玻璃基板（4）上铺展光致抗蚀剂膜形成辅助层（5）; 通过粘结蜡（3）将半导体晶片（1）和安装玻璃基板（4）结合在一起。

公开(公告)号：KR100102822B1

公开(公告)日：1996-07-31

申请号：KR1019930026891

申请日：1993-12-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강법주 ,  문재경

IPC: H03M13/00

公开(公告)号：KR1019960026434A

公开(公告)日：1996-07-22

申请号：KR1019940036015

申请日：1994-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 문재경 ,  이종람 ,  김해천

IPC: H01L21/334

Abstract: 본 발명은 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(MESFET), 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 또는 이종접합 바이폴라트랜지스터(HBT) 등과 같은 갈륨비소 화합물반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 게이트의 구성방법을 개선하여 소자의수명 및 열적안정성을 향상시킬 수 있는 다중게이트 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의해 제작된 다층구조의 게이트는 계면접착층(Ti)/확산장벽층(Pt)/전기전도층(Au)으로 구성된 게이트에 있어서, 확산장벽층의 구성물질과 두께를 최적화하여 금 원자의 내부확산으로 인한 채널층의 퇴화를 방지한다.

公开(公告)号：KR1019960002090B1

公开(公告)日：1996-02-10

申请号：KR1019930005959

申请日：1993-04-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  문재경 ,  이종람 ,  윤광준

IPC: H01L29/772

Abstract: The power FET is manufactured by (a) covering a dual tone photoresist (7) on the substrate(1), and light-exposing the covered photoresist by the use of a mask, (b) developing the photoresist to form a positive profile, (c) etching a wafer by the positive profile, (d) covering a dual tone photoresist(7a) on the wafer, light-exposing the covered wafer, and heat treating it to form a negative profile(7a'), and (e) depositing an anticorrosive metal on the wafer by the use of the profile(7a') to form a metal film pattern. The power FET is used for the amplification of an output signal in the microwave unit.

Abstract translation: 功率FET通过（a）覆盖基板（1）上的双色光致抗蚀剂（7）并通过使用掩模曝光所覆盖的光致抗蚀剂来制造，（b）显影光致抗蚀剂以形成正型， （c）通过正轮廓蚀刻晶片，（d）覆盖晶片上的双色光致抗蚀剂（7a），对被覆盖的晶片进行曝光，并对其进行热处理以形成负廓线（7a'），并且（e ）通过使用轮廓（7a'）在晶片上沉积防锈金属以形成金属膜图案。 功率FET用于放大微波单元中的输出信号。

公开(公告)号：KR1019950021740A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930029627

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  이종람 ,  문재경 ,  권오승

IPC: H01L29/76

公开(公告)号：KR1019940025041A

公开(公告)日：1994-11-19

申请号：KR1019930005880

申请日：1993-04-08

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 맹성재 ,  문재경 ,  이종람 ,  윤광준

IPC: H01L29/772

公开(公告)号：KR101988893B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020120144273

申请日：2012-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고상춘 ,  문재경 ,  민병규 ,  박영락 ,  안호균 ,  김정진 ,  남은수

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

公开(公告)号：KR101923972B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：KR1020120148675

申请日：2012-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안호균 ,  임종원 ,  김정진 ,  김해천 ,  문재경 ,  남은수

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/51 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 전계효과트랜지스터가제공된다. 이트랜지스터는기판상에순차적으로적층된활성층및 캡핑층, 캡핑층상에서로이격되어배치된소스오믹전극및 드레인오믹전극, 및소스오믹전극과드레인오믹전극사이의기판상에배치되되, 캡핑층을관통하여활성층에연결된게이트전극을포함한다. 게이트전극은활성층에연결된좁은폭을갖는다리부및 다리부보다넓은폭을갖는다리부상의머리부로구성된다. 게이트전극이연장되는방향의게이트전극의양 말단부위들의게이트전극의다리부는나머지부위의게이트전극의머리부보다좁고, 그리고다리부보다넓은폭을갖는다.